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工業(yè)制備純硅的反應(yīng)：SiCl4 (g)+2H2 (g)Si(s)+4HCl(g) △H =Q(Q>O)，某溫度、壓強下，將一定量的反應(yīng)物通入密閉容器進行以上反應(yīng)，下列敘述正確的是
[     ]
A．只要時間足夠長，SiCl4可完全轉(zhuǎn)化為Si
B．若反應(yīng)開始時SiCl4為1mol，則達到平衡時，吸收熱量為Q
C．反應(yīng)至4min時，若HCl的濃度為0.12mol·L-1，則H2的反應(yīng)速率為0.03mol/(L·min)
D．當(dāng)反應(yīng)吸收熱量為0. 025QkJ時，生成的HCl通入100mL 1mol·L-1的NaOH中恰好反應(yīng)
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．
（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備高純硅．
Ⅰ．高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅；
Ⅱ．粗硅與干燥的氯氣在450～500℃條件下反應(yīng)制得SiCl4；
Ⅲ．SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過量H2在1 100～1 200℃條件下反應(yīng)制得高純硅．
已知SiCl4沸點為57.6℃，能與H2O強烈反應(yīng)．1mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2kJ．
請回答下列問題：
①第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為
2H2（g）+SiCl4（g）
 1100-1200℃ 
.
 
Si（s）+4HCl（g）△H=+240.4kJ?mol-1
2H2（g）+SiCl4（g）
 1100-1200℃ 
.
 
Si（s）+4HCl（g）△H=+240.4kJ?mol-1
．
②整個制備純硅的過程中必須嚴格控制在無水無氧的條件下．SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是
H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
；H2還原SiCl4過程中若混入O2，可能引起的后果是
爆炸
爆炸
．
（2）二氧化硅被大量用于生產(chǎn)玻璃．工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283kg在高溫下完全反應(yīng)時放出CO2 44kg，生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na2SiO3?CaSiO3?xSiO2表示，則其中x=
4
4
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2012?開封一模）已知：A、B為常見的非金屬單質(zhì)且均為氣體；甲、乙為金屬單質(zhì)，乙在I的濃溶液中發(fā)生鈍化；C、H、J的溶液均呈堿性．各物質(zhì)間的轉(zhuǎn)化關(guān)系如下（部分生成物未給出，且未注明反應(yīng)條件）：
（1）寫出反應(yīng)②的化學(xué)方程式
4NH3+5O2
催化劑
.
△
4NO+6H2O
4NH3+5O2
催化劑
.
△
4NO+6H2O
．
（2）反應(yīng)④中每消耗1mol G，轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為
2
3
mol
2
3
mol
．
（3）反應(yīng)⑥的離子方程式是
2Al+2H2O+2OH-═2AlO2-+3H2↑
2Al+2H2O+2OH-═2AlO2-+3H2↑
．
（4）寫出工業(yè)冶煉金屬乙的化學(xué)方程式
2Al2O3（熔融）
   電解   
.
冰晶石
4Al+3O2↑
2Al2O3（熔融）
   電解   
.
冰晶石
4Al+3O2↑
．
（5）實驗室中保存I的方法是
保存在棕色試劑瓶中，放在陰涼處
保存在棕色試劑瓶中，放在陰涼處
．
（6）SiCl4與過量A在加熱條件下反應(yīng)可制得高純硅，整個制備純硅的過程中必須嚴格控制無水無氧．SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是
H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
；H2還原SiCl4過程中若混入O2，可能引起的后果是
爆炸
爆炸
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)金屬和非金屬與人類生活、生產(chǎn)密不可分．
（1）我國多使用鐵鍋炒菜，鐵鍋在
 
條件下易生銹．
（2）清末鋁制藝術(shù)品至今保存完好，藝術(shù)品未被銹蝕的主要原因是（填字母）
 
．
A．鋁不易被氧化
B．鋁的金屬活動性比較弱
C．鋁表面的氧化膜具有保護作用
（3）如圖為金屬與過量鹽酸反應(yīng)的關(guān)系圖，其中A、B兩條直線分別代表鎂、鐵、鋅三種金屬中的兩種．A代表的是（填元素符號）
 
；寫出B與鹽酸反應(yīng)的化學(xué)方程式
 
．
高純硅是制造計算機電路芯片的主要原料．請回答：
①硅元素屬于
 
填金屬或非金屬）元素，在地殼中硅元素的含量僅次于
 
元素．
②硅在氧氣中燃燒生成二氧化硅，并放出大量的熱，可作未來新能源，該反應(yīng)的基本反應(yīng)類型為
 
．
③工業(yè)上用石英（主要成分為SiO2）制備粗硅的反應(yīng)為：SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2R↑，則R的化學(xué)式為
 
，反應(yīng)后硅元素的化合價
 
（填寫“升高”或“降低”）．
④生產(chǎn)高純硅可用三氯硅烷（SiHCl3）．三氯硅烷在空氣中極易燃燒，燃燒時可觀察到有紅色火焰和白色煙，生成物為二氧化硅、氯化氫和氯氣，此反應(yīng)的化學(xué)方程式為
 
．

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科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年貴州省湄潭中學(xué)高二上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（帶解析） 題型：單選題

工業(yè)上制備純硅的反應(yīng)為：SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)△H=+236kJ/mol，將一定量反應(yīng)物通入密閉容器進行以上可逆反應(yīng)，既能提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率又能縮短達到平衡的時間的是

A．增大壓強B．減小氫氣濃度C．升高溫度D．加入催化劑

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