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《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》模塊（選考題）

在硼酸[B（OH）3]分子中，B原子與3個羥基相連，其晶體具有與石墨相似的層狀結(jié)構(gòu)。則分子中B原子雜化軌道的類型及同層分子間的主要作用力分別是

A.sp，范德華力

B.sp2，范德華力

C.sp2，氫鍵

D.sp3，氫鍵

C

解析：石墨具有平面正六角形結(jié)構(gòu)，可判斷其中C原子是sp2雜化，由于“在硼酸〔B(OH)3〕分子中，B原子與3個羥基相連”雖然三個C—O都在一個平面上，但σ單鍵能夠旋轉(zhuǎn)，使O—H鍵位于兩個平面之間，因而能夠形成氫鍵，從而使晶體的能量最低，達到穩(wěn)定狀態(tài)。

 


練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中化學 來源： 題型：閱讀理解

（2013?青島一模）[化學-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進入了第三代．第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池．完成下列填空：
（1）亞銅離子（Cu+）基態(tài)時的電子排布式為
[Ar]3d10
[Ar]3d10
；
（2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序為
Br＞As＞Se
Br＞As＞Se
 （用元素符號表示），用原子結(jié)構(gòu)觀點加以解釋
As、Se、Br原子半徑依次減小，原子核對外層電子的吸引力依次增強，元素的第一電離能依次增大；Se原子最外層電子排布為4s24p4，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p電子排布處于半充滿狀態(tài)，根據(jù)洪特規(guī)則特例可知，半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大
As、Se、Br原子半徑依次減小，原子核對外層電子的吸引力依次增強，元素的第一電離能依次增大；Se原子最外層電子排布為4s24p4，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p電子排布處于半充滿狀態(tài)，根據(jù)洪特規(guī)則特例可知，半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大
；
（3）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性（價電子數(shù)少于價層軌道數(shù)），其化合物可與具有孤對電子的分子或離子生成加合物，如BF3能與NH3反應生成BF3?NH3． BF3?NH3中B原子的雜化軌道類型為
sp3
sp3
，B與N之間形成
配位
配位
鍵；
（4）單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂（SiC）結(jié)構(gòu)；在SiC中，每個C原子周圍最近的C原子數(shù)目為
12
12
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

（2013?泰安二模）【化學一物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
X、Y、Z、Q、W為按原子序數(shù)由小到大排列的五種短周期元素，已知：
①x元素與Q處于同一主族，其原子價電子排布式都為ns2np2，且x原子半徑小于Q的原子半徑；
②Y元素是地殼中含量最多的元素；w元素的電負性略小于Y元素；在w原子的電子排布中，P軌道上只有1個未成對電子；
③Z元素的電離能數(shù)據(jù)見下表（kJ?mol-1）
I1 I2 I3 I4 …
496 4562 6912 9540 …
（1）XY2分子空間構(gòu)型為
直線型
直線型
．QX的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石的相似，其中X原子的雜化方式為
SP3
SP3
，微粒間存在的作用力是
共價鍵
共價鍵
．
（2）晶體ZW的熔點比晶體XW4明顯高的原因是
氯化鈉為離子晶體而四氯化碳是分子晶體
氯化鈉為離子晶體而四氯化碳是分子晶體
．
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與QX的相等，則M為
Mg
Mg
（填元素符號）．MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與ZW晶體相似．MO的熔點比CaO的高，其原因是
鎂離子半徑比鈣離子小，氧化鎂晶格能大
鎂離子半徑比鈣離子小，氧化鎂晶格能大
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

（2013?南通一模）【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
K2Cr2O7是一種常見的強氧化劑，酸性條件下會被還原劑還原成Cr3+．
（1）Cr3+能與OH-、CN-形成配合物[Cr（OH）4]-、[Cr（CN）6]3．
①Cr3+的電子排布式可表示為
1s22s22p63s23p63d3
1s22s22p63s23p63d3
．
②不考慮空間構(gòu)型，[Cr（OH）4]-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為
．
③CN-與N2互為等電子體，寫出CN-的電子式：
．
（2）K2Cr2O7能將乙醇氧化為乙醛，直至乙酸．
①乙醛中碳原子的雜化方式有
sp3
sp3
、
sp2
sp2
．
②乙酸的沸點是117.9℃，甲酸甲酯的沸點是31.5℃，乙酸的沸點高于甲酸甲酯的沸點的主要原因是
乙酸分子間存在氫鍵
乙酸分子間存在氫鍵
．
（3）一種新型陽極材料LaCrO3的晶胞如圖所示，已知距離每個Cr原子最近的原子有6個，則圖中
c
c
原子代表的是Cr原子．

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科目：高中化學 來源： 題型：閱讀理解

（2012?開封二模）[選修一物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]同一周期（短周期）各元素形成單質(zhì)的沸點變化如圖1所示（按原子序數(shù)連續(xù)遞增順序排列）．該周期部分元素氟化物的熔點見表．
 
氟化物 AF BF2 DF4
熔點/K 1266 1534 183
（1）A原子核外共有
11
11
種不同運動狀態(tài)的電子，
4
4
種不同能級的電子．
（2）B的單質(zhì)在空氣中燃燒的主要產(chǎn)物是白色的
MgO
MgO
，還生成少量的
Mg3N2
Mg3N2
（填化學式）；
（3）已知下列數(shù)據(jù)：
①、Fe（s）+
1
2
O2（g）=FeO（s）△H=-272.0kJ/mol
②、2C（s）+
3
2
O2（g）=C2O3（s）△H=-1675.7kJ/mol
 則C的單質(zhì)和FeO反應的熱化學方程式為
2Al（s）+3FeO（s）=3Fe（s）+Al2O3（s）△H=-859.7kJ/mol
2Al（s）+3FeO（s）=3Fe（s）+Al2O3（s）△H=-859.7kJ/mol
．
（4）元素D的氣態(tài)氫化物分子為
非極性
非極性
分子（填“極性”或“非極性”）．D的電負性比E的
小
小
 （填“大”或“小”）．在D、E、G、H四種元素形成的氫化物中，熱穩(wěn)定性最大的是
HCl
HCl
 （填化學式）．
（5）G的最高價氧化物水化物的酸根離子的立體構(gòu)型是
正四面體
正四面體
，其中G原子的雜化軌道類型是
sp3
sp3
．
（6）元素H的鈉鹽晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，每個Na+周圍與之距離最近的Na+的個數(shù)為
12
12
．
（7）解釋上表中氟化物熔點差異的原因：
NaF與MgF2為離子晶體，SiF4為分子晶體，故SiF4的熔點低；MgF2的晶格能比NaF的晶格能大，故MgF2的熔點比NaF高
NaF與MgF2為離子晶體，SiF4為分子晶體，故SiF4的熔點低；MgF2的晶格能比NaF的晶格能大，故MgF2的熔點比NaF高
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

（2011?鄭州二模）[化學--選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
已知A、B、C、D、E都是元素周期表中的前20號元素，它們的原子序數(shù)依次增大．B、C、D同周期，A、D同主族，B，C、D的最高價氧化物的水化物兩兩混合均能發(fā)生反應生成鹽和水．E元素的原子核外共有20種不同運動狀態(tài)的電子，且E的原子序數(shù)比D大4．
（1）B、C的第一電離能較大的是
Al
Al
（填元素符號）．
（2）A的氫化物的分子空間構(gòu)型為
V型或折線型
V型或折線型
，其中心原子采取
sp3
sp3
雜化．
（3）A和D的氫化物中，沸點較高的是
H2O
H2O
（填化學式），其原因是
水分子之間可以形成氫鍵，而H2S分子之間不能形成氫鍵
水分子之間可以形成氫鍵，而H2S分子之間不能形成氫鍵
．
（4）僅由A與B元素組成，且含有非極性鍵的化合物是
Na2O2
Na2O2
（填化學式）．
（5）E的核外電子排布式是
1S22S22P63S23P64S2
1S22S22P63S23P64S2
．
（6）B的最高價氧化物對應的水化物，其溶液與C單質(zhì)反應的化學方程式是
2Al+2NaOH+6H2O=2Na[Al（OH）4]+3H2↑或2Al+2NaOH+2H2O=2NaAlO2+3H2↑
2Al+2NaOH+6H2O=2Na[Al（OH）4]+3H2↑或2Al+2NaOH+2H2O=2NaAlO2+3H2↑
．
（7）E單質(zhì)在A單質(zhì)中燃燒時得到一種白色晶體，其晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，則該晶體的化學式為
CaO2
CaO2
．

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