Question

16．硼元素B在化學(xué)中有很重要的地位．硼的化合物在農(nóng)業(yè)、醫(yī)藥、玻璃工業(yè)等方面用途很廣．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）寫(xiě)出與B元素同主族的Ga元素的基態(tài)原子核外電子排布簡(jiǎn)式1s²2s²2p⁶3d¹⁰4s²4p¹．從原子結(jié)構(gòu)的角度分析，B、N、O元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)镹＞O＞B．
（2）立方氮化硼可利用人工方法在高溫高壓條件下合成，屬于超硬材料．同數(shù)原子晶體的氮化硼（BN）比晶體硅具有更高硬度和耐熱性的原因是N原子和B原子的半徑比硅原子小，B-N鍵長(zhǎng)比Si-Si短．
（3）在BF3分子中中心原子的雜化軌道類型是sp²，SiF4微粒的空間構(gòu)型是正四面體．又知若有d軌道參與雜化，能大大提高中心原子成鍵能力，試解釋為什么BF3、SiF4水解的產(chǎn)物中，除了相應(yīng)的酸外，前者生成BF₄^-，后者卻是生成SiF${\;}_{6}^{2-}$：B原子最外電子層為L(zhǎng)層，無(wú)d軌道；而Si原子最外層為N層，有d軌道，可參與雜化，使Si配位數(shù)增加至6．

Answer 1

分析 （1）鎵是31號(hào)元素，其原子核外有31個(gè)電子，根據(jù)構(gòu)造原理書(shū)寫(xiě)其基態(tài)原子核外電子排布式；同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢(shì)，但第IIA族和第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素；
（2）原子晶體的硬度與原子半徑、鍵長(zhǎng)成反比；
（3）根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定其雜化方式及空間構(gòu)型；B原子最外電子層為L(zhǎng)層，無(wú)d軌道；而Si原子最外層為N層，有d軌道．

解答 解：（1）鎵位于周期表中第四周期第IIIA，故其核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3d¹⁰4s²4p¹或[Ar]3d¹⁰4s²4p¹；同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢(shì)，但第IIA族和第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素，所以三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)镹＞O＞B，
故答案為：1s²2s²2p⁶3d¹⁰4s²4p¹；N＞O＞B；
（2）原子晶體的硬度與原子半徑、鍵長(zhǎng)成反比，N原子和B原子的半徑比硅原子小，B-N鍵長(zhǎng)比Si-Si短鍵能大，所以氮化硼（BN）比晶體硅具有更高硬度和耐熱性，
故答案為：N原子和B原子的半徑比硅原子小，B-N鍵長(zhǎng)比Si-Si短；
（3）在BF₃分子中B原子的價(jià)層電子對(duì)等于3，且沒(méi)有孤電子對(duì)，所以中心原子的雜化軌道類型是sp²雜化，SiF₄中硅原子含有4個(gè)共價(jià)鍵，且不含孤電子對(duì)，中心原子的雜化軌道類型是sp³雜化，所以它的空間構(gòu)型是正四面體型；B原子最外電子層為L(zhǎng)層，無(wú)d軌道，而Si原子最外層為N層，有d軌道，可參與雜化，使Si配位數(shù)增加至6；
故答案為：sp²；正四面體；B原子最外電子層為L(zhǎng)層，無(wú)d軌道；而Si原子最外層為N層，有d軌道，可參與雜化，使Si配位數(shù)增加至6．

點(diǎn)評(píng) 本題考查核外電子排布、電離能、雜化軌道等，注意同一周期中第一電離能的變化趨勢(shì)及異常現(xiàn)象，為易錯(cuò)點(diǎn)，題目難度中等．