Question

W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，其原子半徑隨原子序數(shù)變化如圖所示．已知W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18，中子數(shù)為10；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1；Y的單質(zhì)是一種常見的半導體材料；Z的原子半徑在同周期主族元素中最小．
（1）X位于元素周期表中第

 

周期第

 

族；
（2）Z的氣態(tài)氫化物和溴化氫相比，較穩(wěn)定的是

 

（寫化學式）；
（3）在25℃、101kPa下，已知Y的氣態(tài)氫化物在氧氣中完全燃燒后恢復至原狀態(tài)，平均每轉(zhuǎn)移1mol 電子放熱190.0kJ，該反應的熱化學方程式是

 

．

Answer 1

考點：位置結構性質(zhì)的相互關系應用

專題：元素周期律與元素周期表專題

分析：由W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18，中子數(shù)為10，可知W的質(zhì)子數(shù)為8，是氧元素；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1，且根據(jù)圖可知半徑比W大，可知X為11號元素，鈉元素；Y的半徑介于X和W之間，Y的單質(zhì)是一種常見的半導體材料，所以Y是硅元素；Z的原子半徑在同周期主族元素中最小，且半徑也介于X和W之間，所以Z為氯元素．

解答： 解：由W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18，中子數(shù)為10，可知W的質(zhì)子數(shù)為8，是氧元素；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1，且根據(jù)圖可知半徑比W大，可知X為11號元素，鈉元素；Y的半徑介于X和W之間，Y的單質(zhì)是一種常見的半導體材料，所以Y是硅元素；Z的原子半徑在同周期主族元素中最小，且半徑也介于X和W之間，所以Z為氯元素，（1）X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1，且根據(jù)圖可知半徑比W大，可知X為11號元素，是鈉元素，它位于周期表第三周期第ⅠA族．故答案為：三，ⅠA；
（2）Z的原子半徑在同周期主族元素中最小，且半徑也介于X和W之間，所以Z為氯元素，與溴元素同主族，穩(wěn)定性HCl大于HBr，故答案為：HCl；
（3）Y的半徑介于X和W之間，Y的單質(zhì)是一種常見的半導體材料，所以Y是硅元素，因為SiH₄+2O₂═SiO₂+2H₂O～8e-，所以，當有1molSiH₄參加反應是，放出熱量為190.0kJ×8=1520.0 kJ，其熱反應方程式為：SiH₄（g）+2O₂（g）═SiO₂（s）+2H₂O（l）△H=-1520.0 kJ?mol^-1中，
故答案：SiH₄（g）+2O₂（g）═SiO₂（s）+2H₂O（l）△H=-1520.0 kJ?mol^-1．

點評：本題屬于基礎題，主要考查學生根據(jù)元素的原子結構特點推元素種類，再根據(jù)其在周期表中的位置，推性質(zhì)，再運用電子轉(zhuǎn)移數(shù)目進行反應熱的計算，考查了學生基本的計算能力，及規(guī)范書寫熱方程式的基本要求．