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下列微粒中,含有孤電子對的是


  1. A.
    SiH4
  2. B.
    CCl4
  3. C.
    H2O
  4. D.
    NH4+
C
試題分析:根據(jù)價層電子對互斥理論可知,水中中心原子氧原子含有的孤電子對數(shù)是(6-2×1)÷2=2,其余選項中都不存在孤對電子,答案選C。
考點:考查孤對電子的判斷
點評:該題是基礎(chǔ)性知識的考查,主要是考查學(xué)生靈活運用價層電子對互斥理論解決實際問題的能力,有利于調(diào)動學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣和學(xué)習(xí)積極性。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(1)第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似.Ga原子的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
.在GaN晶體中,與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
.在四大晶體類型中,GaN屬于
原子
原子
晶體.
(2)銅、鐵元素能形成多種配合物.微粒間形成配位鍵的條件是:一方是能夠提供孤電子對的原子或離子,另一方是具有
能夠接受孤電子對的空軌道
能夠接受孤電子對的空軌道
的原子或離子
(3)CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子:請回答下列問題:

①H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是
O>N>H
O>N>H

②SO2分子的空間構(gòu)型為
V形
V形
.與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為
SO42-、SiO44-
SO42-、SiO44-

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為
sp3雜化
sp3雜化
.乙二胺和三甲胺[N(CH33]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點高的多,原因是
乙二胺分子間可以形成氫鍵,三甲胺分子間不能形成氫鍵
乙二胺分子間可以形成氫鍵,三甲胺分子間不能形成氫鍵

④(3)中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有
abd
abd

a.配位鍵     b.極性鍵     c.離子鍵    d.非極性鍵
⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,其中Cl原子的配位數(shù)為
4
4

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(12分) “物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)”

(1)第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為               。在GaN晶體中,與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為            。在四大晶體類型中,GaN屬于             晶體。

(2)銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是:一方是能夠提供孤電子對的原子或離子,另一方是具有               的原子或離子

(3)CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子:請回答下列問題:

① H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是          。

②SO2分子的空間構(gòu)型為           。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為           。

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為          。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點高的多,原因是                             。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有              。   

a.配位鍵     b.極性鍵    c.離子鍵    d.非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,其中Cl原子的配位數(shù)為               。

 

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為    ▲    。在GaN晶體中,與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為   ▲   。在四大晶體類型中,GaN屬于  ▲ 晶體。

⑵銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是:一方是能夠提供孤電子對的原子或離子,另一方是具有   ▲   的原子或離子

⑶CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子:請回答下列問題:

① H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是   ▲  。

②SO2分子的空間構(gòu)型為  ▲ 。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為  ▲

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為  ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點高的多,原因是  ▲   。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有  ▲   。   

a.配位鍵     b.極性鍵    c.離子鍵    d.非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,其中Cl原子的配位數(shù)為    ▲  。

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2010-2011學(xué)年福建省高三下學(xué)期第六次模擬考試(理綜)化學(xué)部分 題型:填空題

【化學(xué)—物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】

氮、磷、砷是同族元素,該族元素單質(zhì)及其化合物在農(nóng)藥、化肥等方面有重要作用。

請回答下列問題。

   (1)砷原子外圍電子排布式為                      。

   (2)熔沸點:NH3          PH3(>、<、=)原因是               

   (3)N、P、As三種元素電負性由小到大的順序為            ,NCl3分子中中心原子的雜化方式為                  。

   (4)汽車尾氣中CO和NO經(jīng)催化劑作用變成N2和CO2,此反應(yīng)中三種元素第一電離能由小到大的順序為            ,在這四種物質(zhì)中含有極性鍵的非極分子內(nèi)鍵和鍵的比為        。

   (5)K3[Fe(CN)6]配合物中微粒的相互作用力有         ,配位體為           。

    A.氫鍵   B.離子鍵   C.共價鍵     D.配位鍵[     E.范德華力

   (6)CO、NH3都能提供孤電子對與Cu+形成配合物。Cu+與NH3形成的配合物可表示為

[Cu(NH3n]+。該配合物中,Cu+的4s軌道及4p軌道通過sp雜化接受NH3提供的孤電子對,則[Cu(NH3n]+中n的值為                

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2010-2011年江蘇泰州中學(xué)上學(xué)期高三質(zhì)量檢測化學(xué)卷 題型:填空題

(12分)⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為    ▲    。在GaN晶體中,與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為   ▲   。在四大晶體類型中,GaN屬于  ▲  晶體。

⑵銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是:一方是能夠提供孤電子對的原子或離子,另一方是具有    ▲   的原子或離子

⑶CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子:請回答下列問題:

① H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是   ▲  。

②SO2分子的空間構(gòu)型為  ▲ 。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為  ▲

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為  ▲  。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點高的多,原因是  ▲   。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有   ▲   。

a.配位鍵     b.極性鍵     c.離子鍵    d.非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如上圖所示,其中Cl原子的配位數(shù)為    ▲ 

 

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