Question

圖1是元素周期表的一部分，表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素．

試回答下列問(wèn)題：

（1）請(qǐng)寫(xiě)出字母O代表的元素符號(hào)　　，該元素在周期表中的位置　　．

（2）第三周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)高低的順序如圖2，其中序號(hào)“8”代表　　（填元素符號(hào)）；其中電負(fù)性最大的是　　（填圖2中的序號(hào)）．

（3）由j原子跟c原子以1：1相互交替結(jié)合而形成的晶體，晶型與晶體j相同．兩者相比熔點(diǎn)更高的是　　（填化學(xué)式），試從結(jié)構(gòu)角度加以解釋：　．

（4）k與l形成的化合物kl₂的電子式是　　，它在常溫下呈液態(tài)，形成晶體時(shí)，屬于

　　晶體．

（5）i單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖3（甲）所示，其晶胞特征如圖3（乙）所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖3（丙）所示．

若已知i的原子半徑為d，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)，i的相對(duì)原子質(zhì)量為M，請(qǐng)回答：

晶胞中i原子的配位數(shù)為　，一個(gè)晶胞中i原子的數(shù)目為　　，該晶體的密度為　　（用M、N_A、d表示）．

Answer 1

考點(diǎn)：  晶胞的計(jì)算；晶體熔沸點(diǎn)的比較．

分析：  （1）o為Fe，原子核外電子數(shù)為26，據(jù)此確定元素在周期表中的位置；

（2）第三周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)最高的為原子晶體Si，第三周期中電負(fù)性最大的為氯元素；

（3）j為Si，c為C，二者以1：1相互交替結(jié)合而形成的晶體為SiC，SiC晶體與晶體Si都是原子晶體，根據(jù)Si﹣C與Si﹣Si鍵能大小分析解答晶體熔點(diǎn)高低；

（4）k與l形成的化合物SCl₂，硫原子與氯原子之間形成一對(duì)共用電子對(duì)，根據(jù)SCl₂的物理性質(zhì)要判斷晶體類型；

（5）該類型為面心立方最密堆積，配位數(shù)=3××8=12；根據(jù)計(jì)算密度．

解答：  解：（1）o為Fe，原子核外電子數(shù)為26，位于周期表中第四周期 第 VIII族，

故答案為：Fe；第四周期 第 VIII族；

（2）序號(hào)“8”單質(zhì)的熔點(diǎn)最高，第三周期8種元素單質(zhì)熔點(diǎn)最高的為原子晶體Si，第三周期中電負(fù)性最大的為氯元素，單質(zhì)常溫下為氣體，其沸點(diǎn)高于氬氣，所以選 2，

故答案為：Si；2；

（3）j為Si，c為C，二者以1：1相互交替結(jié)合而形成的晶體為SiC，因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C﹣Si鍵鍵長(zhǎng)比晶體Si中Si﹣Si鍵長(zhǎng)短，C﹣Si鍵的鍵能大，因而SiC的熔沸點(diǎn)高，

故答案為：SiC；SiC晶體與晶體Si都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C﹣Si鍵鍵長(zhǎng)比晶體Si中Si﹣Si鍵長(zhǎng)短，C﹣Si鍵的鍵能大，因而SiC的熔沸點(diǎn)高；

（4）k與l形成的化合物SCl₂，硫原子與氯原子之間形成一對(duì)共用電子對(duì)，其電子式為，根據(jù)SCl₂的熔點(diǎn)較低，所以是分子晶體，

故答案為：；分子；

（5）根據(jù)圖片知，Al單質(zhì)為面心立方最密堆積，Al原子配位數(shù)配位數(shù)=3××8=12，由圖3乙可知占據(jù)頂點(diǎn)和面心，則個(gè)數(shù)為8×+6×=4，Al的原子半徑為d，則晶胞的邊長(zhǎng)為4d×cm=cm，所以晶胞的體積為（）³cm³，根據(jù)可知，該晶胞的密度為=，

故答案為：12；4；．

點(diǎn)評(píng)：  本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，涉及元素周期表、電子式、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)、晶體類型與性質(zhì)、晶胞的計(jì)算等，難度中等，側(cè)重考查學(xué)生對(duì)知識(shí)運(yùn)用、分析解決問(wèn)題能力．