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根據(jù)鍵能數(shù)據(jù)估算Si（s）+O2（g）=SiO2（s）的反應(yīng)熱△H為（　�。�
化學(xué)鍵 Si-O Si-Si O=O Si-C
鍵能/（kJ/mol） 460 176 498 155[
A、-246kJ?mol-1
B、+246kJ?mol-1
C、-990kJ?mol-1
D、+990kJ?mol-1
分析：二氧化硅晶體中每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-O鍵，1mol二氧化硅晶體中含有4molSi-O鍵，反應(yīng)熱△H=反應(yīng)物總鍵能-生成物總鍵能．
解答：解：二氧化硅晶體中每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-O鍵，1mol二氧化硅晶體中含有4molSi-O鍵，則SiO2晶體中Si和Si-O鍵的比例為1：4，
因晶體硅中每個(gè)Si原子與周圍的4個(gè)硅原子形成正四面體，向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每Si原子與周圍的4個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-Si鍵，每個(gè)Si-Si鍵為1個(gè)Si原子提供
1
2
個(gè)Si-Si鍵，所以1mol晶體硅中含有1mol×4×
1
2
=2molSi-Si鍵，
反應(yīng)熱△H=反應(yīng)物總鍵能-生成物總鍵能，所以Si（s）+O2（g）=SiO2（s）中，
△H=176kJ/mol×2mol+498kJ/mol-460kJ/mol×4=-990 kJ/mol；
故選C．
點(diǎn)評：本題考查鍵能與反應(yīng)熱的關(guān)系，難度中等，確定1mol晶體硅中Si-Si鍵、1mol二氧化硅晶體中Si-O鍵的物質(zhì)的量是解題關(guān)鍵．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差．參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問題：
化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C
鍵能/kJ?mol-1 460 360 436 431 176 347
（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“＞”或“＜”）
SiC
＞
＞
Si； SiCl4
＜
＜
SiO2
（2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低？
不能
不能
（填“能”或“不能”），原因是
物質(zhì)熔點(diǎn)高低由構(gòu)成物質(zhì)的微粒間作用力決定，單質(zhì)Si屬于原子晶體，原子間作用力是共價(jià)鍵；SiCl4屬于分子晶體，分子間作用力是范德華力，比共價(jià)鍵弱得多．因此不能都根據(jù)鍵能來判斷物質(zhì)的熔點(diǎn)高低．
物質(zhì)熔點(diǎn)高低由構(gòu)成物質(zhì)的微粒間作用力決定，單質(zhì)Si屬于原子晶體，原子間作用力是共價(jià)鍵；SiCl4屬于分子晶體，分子間作用力是范德華力，比共價(jià)鍵弱得多．因此不能都根據(jù)鍵能來判斷物質(zhì)的熔點(diǎn)高低．

（3）如圖立方體中心的“?”表示金剛石晶體中的一個(gè)原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“?”表示出與之緊鄰的碳原子

（4）工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。篠iCl4（g）+2H2（g）
高溫
 Si（s）+4HCl（g）計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為
+236kJ/mol
+236kJ/mol
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（6分）鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的化學(xué)鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問題：

化學(xué)鍵

Si-O

Si-Cl

H-H

H-Cl

Si-Si

Si-C

鍵能/KJ.mol-1

460

360

436

431

176

347

(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“>”“<”）

SiC_______Si;   SiCl4_______SiO2

(2)能否根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si晶體和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低？     （填“能”或“不能”）原因是：                            

(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。�

SiCl4（g）+2H2（g）      Si(s)+4HCl(g)

計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為                  。

選做題：26—27兩題任選做一題，若全做按26題計(jì)分。

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2012屆河北省唐山一中高三上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型：填空題

（10分）鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問題：

化學(xué)鍵
Si—O
Si—Cl
H—H
H—Cl
Si—Si
Si—C
鍵能/kJ·mol-1
460
360
436
431
176
347
（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“>”或“<”）SiC_____Si； SiCl4_____SiO2
（2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si 和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低？___（填“能”或“不能”），原因是_________
（3）如圖立方體中心的“· ”表示金剛石晶體中的一個(gè)原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“· ”表示出與之緊鄰的碳原子

（4）工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。�
SiCl4(g) + 2H2（g） 高溫   Si（s）+4HCl（g)
計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為_______________

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科目：高中化學(xué) 來源：2013屆福建省高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問題：

化學(xué)鍵

Si—O

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

Si—C

鍵能/kJ·mol-1

460

360

436

431

176

347

（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“>”或“<”）

SiC__________Si； SiCl4___________SiO2

（2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si 和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低？____________（填“能”或“不能”），理由是___________________（提示對比二者晶體類型及內(nèi)部微粒作用力）

（3）如右圖立方體中心的“·”表示金剛石晶體中的一個(gè)原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“·”表示出與之緊鄰的碳原子；

（4）工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。�

SiCl4(g) + 2H2（g）  高溫    Si（s）+4HCl（g)

 計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為______________________（要包含數(shù)據(jù)和焓變單位）

 

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