| A、硅是良好的半導(dǎo)體材料,且是制造光纜的主要材料 | ||||
| B、SiO2不溶于水,也不溶于任何酸 | ||||
C、可以用焦炭還原二氧化硅生產(chǎn)硅:SiO2+C
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| D、SiO2是酸性氧化物,在一定條件下能和氧化鈣反應(yīng) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
| 反應(yīng)1 |
| 反應(yīng)2 |
| 反應(yīng)3 |
| A、反應(yīng)1可用的試劑是氯氣 |
| B、反應(yīng)1為取代反應(yīng),反應(yīng)2為消去反應(yīng) |
| C、反應(yīng)3可用的試劑是氧氣和銅 |
| D、1molA完全燃燒消耗6mol氧氣 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
| A、同溫度同物質(zhì)的量濃度時,HF比HCN易電離,則等濃度等體積的NaF溶液比NaCN溶液中陰離子總數(shù)少 |
| B、0.2 mol?L-l NH4Cl和 0.l mol?L-l NaOH溶液等體積混合后:c(Cl-)>c(NH4+)>c(Na+)>c(OH-)>c(H+) |
| C、0.1 mol/L pH為4的NaHB溶液中:c(HB-)>c(H2B)>c(B2-) |
| D、相同物質(zhì)的量濃度的下列溶液中,①NH4Al(SO4)2、②NH4Cl、③CH3COONH4、④NH3?H2O;c(NH4+) 由大到小的順序是:①>②>④>③ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
| A、轉(zhuǎn)移溶液后未洗滌燒杯和玻璃棒就直接定容 |
| B、在容量瓶中定容時仰視刻度線 |
| C、在容量瓶中定容時俯視刻度線 |
| D、定容后把容量瓶倒置搖勻,發(fā)現(xiàn)液面低于刻度線,又補足了所缺的水 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
| A、①③⑤ | B、①②③ |
| C、①③④ | D、②④⑥ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
| A、金屬鈉和硫酸銅溶液 |
| B、過氧化鈉和氯化鎂溶液 |
| C、氧化鈉和氯化銨溶液 |
| D、硫酸銨和氫氧化鋇溶液混合加熱 |
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