A、在穿過線框的磁通量為
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B、在穿過線框的磁通量為
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| C、線框每轉(zhuǎn)動一周,線框中的感應(yīng)電流方向改變一次 | ||||||||
D、線框轉(zhuǎn)動的角速度為
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年江西省高三聯(lián)合考試?yán)砭C物理卷(解析版) 題型:選擇題
如圖所示,由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質(zhì)量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動.在線框的下方,有一個上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場區(qū),磁場區(qū)高度為2L,磁場方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進(jìn)入磁場區(qū).對此,下列說法中正確的是
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A.線圈ab邊剛進(jìn)入磁場時,感應(yīng)電流的方向?yàn)閍→b→c→d→a
B.線圈ab邊剛進(jìn)入磁場時,a、b兩點(diǎn)間的電壓為![]()
C.線圈在磁場以上,下落的高度為![]()
D.線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中,電路中產(chǎn)生的電能為2mgL
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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質(zhì)量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動.在線框的下方,有一個上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場區(qū),磁場區(qū)高度為2L,磁場方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進(jìn)入磁場區(qū).對此,下列說法中正確的是
A.線圈ab邊剛進(jìn)入磁場時,感應(yīng)電流的方向?yàn)?i>a→b→c→d→a
B.線圈ab邊剛進(jìn)入磁場時,a、b兩點(diǎn)間的電壓為![]()
C.線圈在磁場以上,下落的高度為![]()
D.線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中,電路中產(chǎn)生的電能為2mgL
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科目:高中物理 來源:2012屆江西省贛州三中、于都中學(xué)高三聯(lián)合考試?yán)砭C物理卷(帶解析) 題型:單選題
如圖所示,由粗細(xì)均勻的導(dǎo)電材料做成的單匝矩形線框abcd的電阻為R,線框的質(zhì)量為m,高度為L、寬度為2L.若線框無初速度地從高處落下,下邊保持水平向下平動.在線框的下方,有一個上、下界面都是水平的勻強(qiáng)磁場區(qū),磁場區(qū)高度為2L,磁場方向與線框平面垂直.閉合線圈下落后,可勻速進(jìn)入磁場區(qū).對此,下列說法中正確的是![]()
| A.線圈ab邊剛進(jìn)入磁場時,感應(yīng)電流的方向?yàn)閍→b→c→d→a |
| B.線圈ab邊剛進(jìn)入磁場時,a、b兩點(diǎn)間的電壓為 |
| C.線圈在磁場以上,下落的高度為 |
| D.線圈從開始下落到ab邊剛好離開磁場的過程中,電路中產(chǎn)生的電能為2mgL |
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