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如圖在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個場強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(設(shè)電子的電量為q,質(zhì)量為m,不計電子的重力).
(1)在該區(qū)域AB邊的B處由靜止釋放電子,求電子經(jīng)過多長時間達(dá)到勻強(qiáng)電場II區(qū)域的右邊界和電子最終離開CD邊界的位置坐標(biāo).
(2)在電場I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點的位置.(提示:設(shè)釋放點的位置為(x.y)坐標(biāo)點,最后寫出含有xy的函數(shù)表達(dá)式)

【答案】分析:(1)在AB邊的B點處由靜止釋放電子,電場力對電子做正功,根據(jù)動能定理求出電子穿過電場時的速度,由于電子做勻加速直線運(yùn)動,因此由運(yùn)動學(xué)公式可求出在電場中加速運(yùn)動的時間;進(jìn)入電場II之前,電子做勻速直線運(yùn)動,由運(yùn)動學(xué)公式結(jié)合求出電子在沒有電場中運(yùn)動的時間,從而可求出電子從靜止到達(dá)到電場II區(qū)域右邊界的時間.當(dāng)電子進(jìn)入電場II時,做類平拋運(yùn)動,運(yùn)用運(yùn)動學(xué)公式結(jié)合牛頓第二定律,可求出離開CD區(qū)域的位置坐標(biāo).
(2)在電場I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子先在電場Ⅰ中做勻加速直線運(yùn)動,進(jìn)入電場Ⅱ后做類平拋運(yùn)動,根據(jù)牛頓第二定律和運(yùn)動學(xué)公式結(jié)合求出位置x與y的關(guān)系式.
解答:解:(1)電子的質(zhì)量為m,電量為q,在電場I中做勻加速直線運(yùn)動,出區(qū)域I時的速度為v,時間為t1,
然后勻速直線運(yùn)動到達(dá)電場II所用時間t2,此后進(jìn)入電場II做類平拋運(yùn)動,
由動能定理得: 
由運(yùn)動學(xué)公式,  
由牛頓第二定律,  
解得: 
勻速運(yùn)動時間,    
則所需的時間,
假設(shè)電子從CD邊射出,出射點縱坐標(biāo)為y,則整個運(yùn)動過程中
對電子先后運(yùn)用及勻變速位移公式有:
 則:側(cè)位移   
 縱坐標(biāo)為
  解得 ,
所以原假設(shè)成立,
即電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)為(-2L,
(2)設(shè)釋放點在電場區(qū)域I中,其坐標(biāo)為(x,y),在電場I中電子被加速到v1,
然后進(jìn)入電場II做類平拋運(yùn)動,并從D點離開,
同理,有:,
  
解得:
即在電場I區(qū)域內(nèi)滿足此方程的點即為所求位置.
答:(1)在該區(qū)域AB邊的B處由靜止釋放電子,求電子經(jīng)過時間達(dá)到勻強(qiáng)電場II區(qū)域的右邊界和電子最終離開CD邊界的位置坐標(biāo)(-2L,).
(2)在電場I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,則所有釋放點的位置滿足:
點評:本題實際是加速電場與偏轉(zhuǎn)電場的組合,考查分析帶電粒子運(yùn)動情況的能力和處理較為復(fù)雜的力電綜合題的能力.
練習(xí)冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個場強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場Ⅰ和Ⅱ,已知A、D兩點的坐標(biāo)分別為(L,0)和(-2L,0),兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計電子所受重力),現(xiàn)在該區(qū)域AB邊的中點處由靜止釋放一電子,已知電子質(zhì)量為m,帶電量為e,試求:
(1)電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);
(2)電子從電場Ⅱ出來后經(jīng)過多少時間到達(dá)X軸;
(3)電子到達(dá)X軸時的位置坐標(biāo).

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(1)電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);

(2)電子從電場II出來后經(jīng)過多少時間到達(dá)x軸;

(3)電子到達(dá)x軸時的位置坐標(biāo)。

 

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