| A. | $\frac{vLtanθ}{R}$ | B. | $\frac{vLsi{n}^{2}θ}{Rcosθ}$ | C. | $\frac{vLta{n}^{2}θ}{R}$ | D. | $\frac{vLtanθ}{Rcosθ}$ |
分析 將物塊的速度分解為沿桿子方向和垂直于桿子方向,在垂直于桿子方向上的速度等于B點(diǎn)繞O轉(zhuǎn)動(dòng)的線速度,根據(jù)v=rω可求出桿轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度,再根據(jù)桿的角速度和A的轉(zhuǎn)動(dòng)半徑可以求出A的線速度大小.
解答 解:如圖所示![]()
根據(jù)運(yùn)動(dòng)的合成與分解可知,接觸點(diǎn)B的實(shí)際運(yùn)動(dòng)為合運(yùn)動(dòng),可將B點(diǎn)運(yùn)動(dòng)的速度vB=v沿垂直于桿和沿桿的方向分解成v2和v1,其中v2=vBsinθ=vsinθ為B點(diǎn)做圓周運(yùn)動(dòng)的線速度,v1=vBcosθ為B點(diǎn)沿桿運(yùn)動(dòng)的速度.當(dāng)桿與水平方向夾角為θ時(shí),OB=$\frac{h}{sinθ}$,
由于B點(diǎn)的線速度為v2=vsinθ=OBω,所以ω=$\frac{vsinθ}{OB}$=$\frac{vsi{n}^{2}θ}{h}$,
依據(jù)幾何關(guān)系,h=Rcosθ,所以A的線速度vA=Lω=$\frac{Lvsi{n}^{2}θ}{Rcosθ}$,故B正確,ACD錯(cuò)誤.
故選:B.
點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵會(huì)根據(jù)平行四邊形定則對(duì)速度進(jìn)行分解,木塊速度在垂直于桿子方向的分速度等于B點(diǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)的線速度.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
| A. | β衰變所釋放的電子是原子核外的電子電離形成的 | |
| B. | 對(duì)于某種金屬,超過(guò)極限頻率的入射光頻率越高,所產(chǎn)生的光電子的最大初動(dòng)能就越大 | |
| C. | 原子從較高的激發(fā)態(tài)向較低的激發(fā)態(tài)或基態(tài)躍遷的過(guò)程,是吸收能量的過(guò)程 | |
| D. | 用能量等于氘核結(jié)合能的光子照射靜止氘核,可使氘核分解為一個(gè)質(zhì)子和一個(gè)中子 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
| A. | 法拉第在實(shí)驗(yàn)中觀察到電流的效應(yīng),該效應(yīng)解釋了電和磁之間存在聯(lián)系 | |
| B. | 牛頓從理論和實(shí)驗(yàn)兩個(gè)角度,證明了輕、重物體下落一樣快,從而推翻了古希臘學(xué)者亞里士多德的“小球質(zhì)量越大下落越快”的錯(cuò)誤觀點(diǎn) | |
| C. | 德布羅意提出:實(shí)物粒子也具有波動(dòng)性,而且粒子的能量?和動(dòng)量P跟它對(duì)應(yīng)的波的頻率v和波長(zhǎng)λ之間,遵從v=$\frac{ε}{h}$和λ=$\frac{P}{h}$ | |
| D. | 安培根據(jù)通電螺線管的磁場(chǎng)和條形磁鐵的磁場(chǎng)的相似性,提出了分子電流假說(shuō) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
| A. | 在c點(diǎn)速度最大 | |
| B. | 在c點(diǎn)下方某位置速度最大 | |
| C. | 重力對(duì)小球做的功一定大于小球克服摩擦力做的功 | |
| D. | 在b、c兩點(diǎn),摩擦力的瞬時(shí)功率大小相等 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
| A. | $\frac{1}{4}$m | B. | $\frac{3}{4}$m | C. | $\frac{1}{5}$m | D. | $\frac{4}{5}$m |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
| A. | 在2s~4s內(nèi),該同學(xué)對(duì)電梯底板的壓力等于他所受的重力 | |
| B. | 在0~2s內(nèi),電梯在加速上升,該同學(xué)處于失重狀態(tài) | |
| C. | 在4s~6s內(nèi),該同學(xué)所受的支持力不變,該同學(xué)處于失重狀態(tài) | |
| D. | 在5s~6s內(nèi),電梯在加速下降,該同學(xué)處于超重狀態(tài) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
| A. | 每根金屬桿的電阻R=$\frac{{{B}^{2}l}^{2}\sqrt{gl}}{mg}$ | |
| B. | 甲金屬桿在磁場(chǎng)區(qū)域運(yùn)動(dòng)過(guò)程中,拉力對(duì)桿做的功在數(shù)值上等于電路中產(chǎn)生的焦耳熱 | |
| C. | 乙金屬桿在磁場(chǎng)區(qū)域運(yùn)動(dòng)過(guò)程中,安培力的功率是P=mg$\sqrt{gl}$ | |
| D. | 從乙金屬桿進(jìn)入磁場(chǎng)直至其離開(kāi)磁場(chǎng)過(guò)程中,回路中通過(guò)的電量為Q=$\frac{m}{B}$$\sqrt{\frac{g}{l}}$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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