| A. | 電路中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小為$\frac{Blv}{sinθ}$ | |
| B. | 電路中感應(yīng)電流的大小為$\frac{Bvsinθ}{r}$ | |
| C. | 金屬桿所受安培力的大小為$\frac{{B}^{2}lv}{r}$ | |
| D. | 金屬桿的發(fā)熱功率為$\frac{{B}^{2}l{v}^{2}{sin}^{2}θ}{r}$ |
分析 根據(jù)E=BLv,L是有效的切割長(zhǎng)度,求解感應(yīng)電動(dòng)勢(shì).根據(jù)閉合電路歐姆定律求感應(yīng)電流的大。蒄=BIL求安培力,由功率公式求解金屬桿的熱功率.
解答 解:A、切割的有效長(zhǎng)度為導(dǎo)軌間距l(xiāng),故電路中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為:E=Blv,故A錯(cuò)誤;
B、電路中感應(yīng)電流的大小為:I=$\frac{E}{R}$=$\frac{Blv}{\frac{l}{sinθ}×r}$=$\frac{Bvsinθ}{r}$,故B正確;
C、金屬桿所受安培力的大小為:F=BI•$\frac{l}{sinθ}$=$\frac{{B}^{2}lv}{r}$,故C正確;
D、屬桿的熱功率為:P=EI=I2r=$\frac{{B}^{2}l{v}^{2}sinθ}{r}$,故D錯(cuò)誤.
故選:BC.
點(diǎn)評(píng) 本題考查導(dǎo)體切割磁感線中的電動(dòng)勢(shì)和安培力公式的應(yīng)用,要注意明確E=BLv中L為導(dǎo)軌寬度,即導(dǎo)線的有效切割長(zhǎng)度,而求安培力時(shí)L為存在電流的總長(zhǎng)度.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
| A. | 所有的波都能發(fā)生干涉現(xiàn)象和衍射現(xiàn)象 | |
| B. | 當(dāng)波源遠(yuǎn)離接收者時(shí),接收者接收到的波的頻率比波源頻率低 | |
| C. | 當(dāng)障礙物或孔的尺寸與波長(zhǎng)比較相差不多或小得多,波能發(fā)生明顯的衍射 | |
| D. | 在干涉圖樣中,振動(dòng)加強(qiáng)區(qū)域的質(zhì)點(diǎn),其位移始終保持最大;振動(dòng)減弱區(qū)域的質(zhì)點(diǎn),其位移始終保持最小 | |
| E. | 橫波能發(fā)生衍射,縱波不能 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
| A. | 小球在半圓形槽內(nèi)下滑的過(guò)程中,只有重力對(duì)它做功 | |
| B. | 小球在半圓形槽內(nèi)運(yùn)動(dòng)的全過(guò)程中,小球、槽與地球組成的系統(tǒng)機(jī)械能守恒 | |
| C. | 小球從最低點(diǎn)向左側(cè)最高點(diǎn)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中,小球與槽組成的系統(tǒng)在水平方向動(dòng)量守恒 | |
| D. | 小球離開(kāi)槽左側(cè)最高點(diǎn)以后,將到達(dá)初始下落的高度 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
| A. | B點(diǎn)為中垂線上電場(chǎng)強(qiáng)度最大的點(diǎn),場(chǎng)強(qiáng)E=0.2N/C | |
| B. | 由C到A的過(guò)程中物塊的電勢(shì)能先減小后增大 | |
| C. | A、B兩點(diǎn)間的電勢(shì)差UAB=5V | |
| D. | UCB<UBA |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
| A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
| A. | mv0=(m+M)v | B. | mv0cosθ=(m+M)v | ||
| C. | mgh=$\frac{1}{2}$m(v0sinθ)2 | D. | $\frac{1}{2}$(m+M)v2=$\frac{1}{2}$mv02+mgh |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
| A. | 粒子2從O點(diǎn)射出磁場(chǎng) | |
| B. | 粒子3從C點(diǎn)射出磁場(chǎng) | |
| C. | 粒子1、2、3在磁場(chǎng)的運(yùn)動(dòng)時(shí)間之比為3:2:3 | |
| D. | 粒子2、3經(jīng)磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)角相同 |
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