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如圖,為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示怠圖.在xOy平面的第一象限,存在以x軸y軸及雙曲線的一段_o≤x≤L,0≤y≤L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域I;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0,y=L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域II (即正方 形MNPQ區(qū)域\兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E,電子的電荷量為e,不計(jì)電子重力的影響,則 從電場(chǎng)I區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的各個(gè)電子( )

A.從PN間不同位置處離開(kāi)區(qū)域II
B.從PQ間不同位置處離開(kāi)區(qū)域II
C.在電場(chǎng)區(qū)域II中運(yùn)動(dòng)時(shí)間相同
D.離開(kāi)MNPQ的最小動(dòng)能為eEL
【答案】分析:根據(jù)數(shù)學(xué)知識(shí)求出B點(diǎn)距離y軸的距離.由動(dòng)能定理求出電子從B運(yùn)動(dòng)到C時(shí)的速度.電子離開(kāi)第一象限電場(chǎng)后,先做勻速直線運(yùn)動(dòng),進(jìn)入第二象限電場(chǎng)后做類平拋運(yùn)動(dòng):水平方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),豎直方向做勻加速直線運(yùn)動(dòng),根據(jù)牛頓第二定律求出加速度,由位移公式求出水平位移,確定電子離開(kāi)區(qū)域的位置和時(shí)間;設(shè)從AB曲線邊界處釋放位置坐標(biāo)為(x,y),再根據(jù)動(dòng)能定理和類平拋運(yùn)動(dòng)的分解方法,求出電子從第二象限射出電場(chǎng)的位置.對(duì)全過(guò)程應(yīng)用動(dòng)能定理,得到電子離開(kāi)MNPQ時(shí)的動(dòng)能與x的關(guān)系,由數(shù)學(xué)知識(shí)求出最小的動(dòng)能.
解答:解:令電子從I電場(chǎng)區(qū)域的AB曲線上靜止釋放的橫坐標(biāo)為X,則據(jù)曲線方程可知縱坐標(biāo)y=,則粒子在第一象限里粒子在電場(chǎng)力作用下做勻加速直線運(yùn)動(dòng),根據(jù)動(dòng)能定理有:
eEX=,則電子離開(kāi)電場(chǎng)I時(shí)的速度
電子進(jìn)入電場(chǎng)II時(shí),在電場(chǎng)力作用下做類平拋運(yùn)動(dòng),初速度為
水平方向:S=v1t=t
豎直方向:y=,a=
解得:S=L,t=
所以可知,電子從P點(diǎn)離開(kāi)II區(qū)域電場(chǎng),且電子在II區(qū)域電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間跟出發(fā)位置的縱坐標(biāo) X有關(guān)的變量,故ABC均錯(cuò)誤;
由上面分析知,所有從邊界AB上出發(fā)的電子都從P點(diǎn)射出,所以從全過(guò)程使用動(dòng)能定理有,電子射出電場(chǎng)II的動(dòng)能
Ek=eE(x+y)
又y=得:
動(dòng)能,根據(jù)數(shù)學(xué)知識(shí)得知,當(dāng)x=y=時(shí),動(dòng)能Ek有最小值Ek=eEL
所以D正確.
故選D.
點(diǎn)評(píng):本題中電子先加速后偏轉(zhuǎn),基本方法是動(dòng)能定理和運(yùn)動(dòng)的分解,難點(diǎn)在于數(shù)學(xué)知識(shí)的應(yīng)用求極值和軌跡方程.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(附加題)如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力).
(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開(kāi)ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo).
(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開(kāi),求所有釋放點(diǎn)的位置.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖,為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示怠圖.在xOy平面的第一象限,存在以x軸y軸及雙曲線y=
L2
4x
的一段_o≤x≤L,0≤y≤L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域I;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0,y=L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域II (即正方 形MNPQ區(qū)域\兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E,電子的電荷量為e,不計(jì)電子重力的影響,則 從電場(chǎng)I區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的各個(gè)電子( 。

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖精英家教網(wǎng)所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力).若在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放質(zhì)量為m,帶電量為e的電子:
(1)求電子離開(kāi)勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ時(shí)的速度;
(2)求電子離開(kāi)勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅱ的位置(位置坐標(biāo)用L表示)

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題

如圖,為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示怠圖.在xOy平面的第一象限,存在以x軸y軸及雙曲線y=
L2
4x
的一段_o≤x≤L,0≤y≤L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域I;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0,y=L為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域II (即正方 形MNPQ區(qū)域\兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E,電子的電荷量為e,不計(jì)電子重力的影響,則 從電場(chǎng)I區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的各個(gè)電子(  )
A.從PN間不同位置處離開(kāi)區(qū)域II
B.從PQ間不同位置處離開(kāi)區(qū)域II
C.在電場(chǎng)區(qū)域II中運(yùn)動(dòng)時(shí)間相同
D.離開(kāi)MNPQ的最小動(dòng)能為eEL
精英家教網(wǎng)

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