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  • 如圖所示,在傾角為θ,用絕緣材料制成的斜面上,一個質(zhì)量為m,帶電量為+q小滑塊,它與斜面間的動摩擦因數(shù)為?(?<tgθ).整個裝置處于方向垂直斜面向上,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場中.若小滑塊由A點靜止釋放,到達(dá)B點時剛好能做直線運動.已知斜面足夠大,滑塊電量不變,A、B兩點高度差為H.
    求:(1)試根據(jù)小滑塊的受力特點,分析小滑塊經(jīng)過b點后的運動情況;
    (2)小滑塊作直線運動時的速度方向與斜面邊線MN的夾角(用三角函數(shù)表示);
    (3)小滑塊從A運動到B的過程中,滑動摩擦力所做的功.
    (1)滑塊在斜面上a點時受力分析如圖5所示:
    小滑塊受到的支持力為N=mgcosθ,
    釋放后,受到的摩擦力大小為f=μmgcosθ,
    因重力沿斜面向下的分力F1=mgsinθ>f(依?<tgθ可知),
    小滑塊將向下運動,此時受到的洛倫茲力為f=qvB  
    當(dāng)滑塊在斜面上b點作直線運動時,速度方向不變,所以洛侖茲力方向不變;而重力的分力F1的大小(=mgsinθ)、方向(平行于斜面的邊線MN向下)不變,摩擦力f大。=μmgcosθ)、方向(與運動方向相反)也不變,所以洛侖茲力的大小也不變,物塊將做勻速直線運動(否則不能作直線運動).   
    (2)在b點時,從上往下正對斜面所在平面來看(即俯視圖,此時磁場方向垂直紙面向外),滑塊的受力如圖6所示,
    設(shè)運動方向與MN夾角(∵F1MN,即v與F1的夾角)為α
    則:cosα=
    μmgcosθ
    mgsinθ
    =μcotθ
    (3)由上分析知,小滑塊通過b點后作勻速直線運動,受力平衡,所以:f2+f2=(mgsinθ)2
    將f=μmgcosθ、f=qvB,代入得:v=
    mg
    qB
    sin2θ-μ2cos2θ

    由A到B對物塊用動能定理得:mgh+Wf=
    1
    2
    mv2

    解得:Wf=
    m3g2
    2q2B2
    (sin^
    -mgh
    答:(1)小滑塊經(jīng)過b點后物塊將做勻速直線運動;
    (2)小滑塊作直線運動時的速度方向與斜面邊線MN的夾角cosα=μcotθ;
    (3)小滑塊從A運動到B的過程中,滑動摩擦力所做的功為
    m3g2
    2q2B2
    (sin^
    -mgh.
    練習(xí)冊系列答案
    相關(guān)習(xí)題

    科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題



    (1)E0E1的大;
    (2)若從M點射出的粒子恰從中點S孔垂直射入邊長為a的正方形容器中,容器中存在如  圖所示的勻強(qiáng)磁場,已知粒子運動的半徑小于a。欲使粒子與器壁多次垂直碰撞后仍能從S孔射出(粒子與絕緣壁碰撞時無能量和電量損失),求磁感應(yīng)強(qiáng)度B應(yīng)滿足的條件?
    (3)在PQ間還有許多水平射入電場的粒子通過電場后也能從CD邊水平射出,這些入射點到P點的距離應(yīng)滿足的條件?

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    科目:高中物理 來源:不詳 題型:計算題

    (16分)如圖所示,相距的AB、CD兩直線間的區(qū)域存在著兩個大小不同、方向相反的有界勻強(qiáng)電場,其中PT上方的電場的場強(qiáng)方向豎直向下,PT下方的電場的場強(qiáng)方向豎直向上,在電場左邊界AB上寬為的PQ區(qū)域內(nèi),連續(xù)分布著電量為、質(zhì)量為的粒子。從某時刻起由Q到P點間的帶電粒子,依次以相同的初速度沿水平方向垂直射入勻強(qiáng)電場中,若從Q點射入的粒子,通過PT上的某點R進(jìn)入勻強(qiáng)電場后從CD邊上的M點水平射出,其軌跡如圖,若MT兩點的距離為。不計粒子的重力及它們間的相互作用。試求:
    (1)電場強(qiáng)度;
    (2)在PQ間還有許多水平射入電場的粒子通過電場后也能垂直CD邊水平射出,這些入射點到P點的距離有什么規(guī)律?
    (3)有一邊長為、由光滑絕緣壁圍成的正方形容器,在其邊界正中央開有一小孔S,將其置于CD右側(cè),若從Q點射入的粒子經(jīng)AB、CD間的電場從S孔水平射入容器中。欲使粒子在容器中與器壁多次垂直碰撞后仍能從S孔射出(粒子與絕緣壁碰撞時無能量和電量損失),并返回Q點,在容器中現(xiàn)加上一個如圖所示的勻強(qiáng)磁場,粒子運動的半徑小于,磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小還應(yīng)滿足什么條件?

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    科目:高中物理 來源:不詳 題型:填空題

    如圖所示,離子源S產(chǎn)生質(zhì)量為m,電荷量為q的離子,離子產(chǎn)生出來的速度很小,要以看做速度為0,產(chǎn)生的離子經(jīng)過電壓U加速后,進(jìn)入磁感強(qiáng)度為B的一勻強(qiáng)磁場,沿著半圓周運動到達(dá)P點,測得P點到入口處S1的距離為L,則N極板為______極板,此離子荷質(zhì)比
    q
    m
    =______.

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    科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題

    (A)如圖所示,在邊長為L=1m的等邊三角形ACD區(qū)域內(nèi),存在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B=
    3
    3
    T、方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場,現(xiàn)有一束比荷
    q
    m
    =102C/kg帶正電粒子,從AC邊中點P以平行于CD邊的某一速度射入磁場,粒子的重力可忽略不計.
    (1)若粒子進(jìn)入磁場時的速度大小為v0=10m/s,求粒子在磁場中運動的軌道半徑;
    (2)若粒子能從AC邊飛出磁場,求粒子在磁場中的運動時間;
    (3)為使粒子能從CD邊飛出磁場,粒子進(jìn)入磁場時的速度大小應(yīng)滿足的條件?

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    科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題

    在平面直角坐標(biāo)系xOy中,第Ⅰ象限存在沿y軸正方向的勻強(qiáng)電場,場強(qiáng)大小為E.第Ⅲ、第Ⅳ象限-d≤y≤0內(nèi)存在垂直于坐標(biāo)平面向內(nèi)的勻強(qiáng)磁場.一質(zhì)量為m、電荷量為-q的帶負(fù)電的粒子從y軸上的M點以速度υ0垂直于y軸射入電場,經(jīng)x軸上的N點與x軸正方向成θ=60°角射入磁場,恰好不會從磁場的下邊界射出磁場,如圖所示.不計粒子的重力,求
    (1)M、N兩點間的電勢差U;
    (2)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B;
    (3)粒子從M點運動到第一次離開磁場的總時間t.

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    科目:高中物理 來源:不詳 題型:多選題

    如圖,在x>0、y>0的空間中有恒定的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向垂直于xOy平面向里,大小為B.現(xiàn)有一質(zhì)量為m、電量為q的帶電粒子,在x軸上到原點的距離為x0的P點,以平行于y軸的初速度射入此磁場,在磁場作用下沿垂直于y軸的方向射出此磁場.不計重力的影響.由這些條件可知(  )
    A.能確定粒子通過y軸時的位置
    B.能確定粒子速度的大小
    C.能確定粒子在磁場中運動所經(jīng)歷的時間
    D.以上三個判斷都不對

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    科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題

    如圖中左邊有一對平行金屬板,兩板相距為d,電壓為U,兩板之間有勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B0,方向與金屬板面平行并垂直于紙面朝里.圖中右邊有一半徑為R、圓心為O的圓形區(qū)域內(nèi)也存在勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直于紙面朝里.一正離子沿平行于金屬板面、從A點垂直于磁場的方向射入平行金屬板之間,沿同一方向射出平行金屬板之間的區(qū)域,并沿直徑CD方向射入磁場區(qū)域,最后從圓形區(qū)域邊界上的F點射出.已知速度的偏向角為θ=90°,不計重力.求:
    (1)離子速度v的大; 
    (2)離子的比荷q/m.

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    科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題

    如圖所示,寬度為d1的I區(qū)里有與水平方向成45°角的勻強(qiáng)電場E1,寬度為d2的II區(qū)里有相互正交的勻強(qiáng)磁場B和勻強(qiáng)電場E2.一帶電量為q,質(zhì)量為m的微粒自圖中I區(qū)左邊界線上的P點由靜止釋放后水平向右做直線運動進(jìn)入II區(qū)的復(fù)合場再做勻速圓周運動到右邊界上的Q點,其速度方向改變了60°,重力加速度為g.(d1、E1、E2未知)求:
    (1)E1、E2的大。
    (2)有界電場E1的寬度d1

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