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如圖所示,一個電量為+Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn).另一個電量為﹣q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙,從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動,到B點(diǎn)速度最小,最小值為v.已知靜電力常量為k 、點(diǎn)電荷乙與水平面的動摩擦因數(shù)為μ 及 AB間距離為L0,則

A.OB間的距離為

B.從A到B的過程中,電場力對點(diǎn)電荷乙做的功為

C.從A到B的過程中,電場力對點(diǎn)電荷乙做的功為

D.在點(diǎn)電荷甲形成的電場中,AB間電勢差

AB


解析:

由題意電荷從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動,到B點(diǎn)速度最小,說明庫侖力小于摩擦力可知運(yùn)動電荷從A至B做加速度減小的減速運(yùn)動。B點(diǎn)的加速度減為0,庫侖力等于摩擦力,所以O(shè)B間的距離為。根據(jù)此過程動能定理得:電場力對點(diǎn)電荷乙做的功為

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,一個電量為-Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn).另一個電學(xué)量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙,從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動,到B點(diǎn)的速度最小為v.已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動摩擦因數(shù)為μ、AB間距離為L0及靜電力常量為k,則( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2009?揚(yáng)州模擬)如圖所示,一個電量為+Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn),另一個電量為-q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動,到B點(diǎn)時(shí)速度最小且為v.已知靜電力常量為k,點(diǎn)電荷乙與水平面的動摩擦因數(shù)為μ,AB間距離為L則( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2011?鷹潭一模)如圖所示,一個電量為-Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn).另一個電學(xué)量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙,從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動,運(yùn)動到B點(diǎn)時(shí)的速度為v,且為運(yùn)動過程中速度最小值.已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動摩擦因數(shù)為μ,AB間距離為L0,靜電力常量為k,則下列說法正確的是(  )

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科目:高中物理 來源: 題型:

(2013?湖南模擬)如圖所示,一個電量為+Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn),另一個電量為-q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度vo沿它們的連線向甲運(yùn)動,到B點(diǎn)時(shí)速度最小且為v.已知靜電力常量為k,點(diǎn)電荷乙與水平面的動摩擦因數(shù)為μ,AB間距離為L,則以下說法不正確的是(  )

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,一個電量為-Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn).另一個電量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙,從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動,到B點(diǎn)的速度最小為v.已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動摩擦因數(shù)為μ、AB間距離為L0及靜電力常量為k,則( 。
A、OB間的距離大于
kQq
μmg
B、點(diǎn)電荷乙能越過B點(diǎn)向左運(yùn)動,其電勢能仍增多
C、在點(diǎn)電荷甲形成的電場中,AB間電勢差UAB=
μmgL+
1
2
mv2-
1
2
m
v
2
0
q
D、從A到B的過程中,電場力對點(diǎn)電荷乙做的功為W=μmgL0+
1
2
m
v
2
0
-
1
2
mv2

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