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一塊N型半導(dǎo)體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示.已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e.將此元件放在勻強(qiáng)磁場中,磁場方向沿Z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I.
(1)此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面中,哪個(gè)面電勢高?
(2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí),此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面的電勢差與其中的電流成正比
(3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來測量磁感應(yīng)強(qiáng)度B 的儀器.其測量方法為:將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場之中,用毫安表測量通以電流I,用毫伏表測量C、C,間的電壓U CC′,就可測得B.若已知其霍爾系數(shù)k=
1
ned
=10mV/mA?T
.并測得UCC′=0.6mV,I=3mA.試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大。
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(1)電流沿x軸正方向,知電子流動的方向沿x軸負(fù)方向,根據(jù)左手定則,知電子向C側(cè)面偏轉(zhuǎn),所以C側(cè)面得到電子帶負(fù)電,C′側(cè)面失去電子帶正電.故C'面電勢較高.
(2)當(dāng)電子受力平衡時(shí)有:e
U
d
=evB
.得U=vBd.電流的微觀表達(dá)式I=nevS=nevbd.所以v=Inebd.U=
I
nebd
×Bd=
B
ned
I
.知兩個(gè)側(cè)面的電勢差與其中的電流成正比.
(3)UCC′=
B
ned
 I,則B=
nedUCC′
I
=
UCC′
KI
=
0.6
10×3
T=0.02T

故該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小為0.02T.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2007?蘇州模擬)一塊N型半導(dǎo)體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示.已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e.將此元件放在勻強(qiáng)磁場中,磁場方向沿Z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I.
(1)此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面中,哪個(gè)面電勢高?
(2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí),此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面的電勢差與其中的電流成正比
(3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來測量磁感應(yīng)強(qiáng)度B 的儀器.其測量方法為:將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場之中,用毫安表測量通以電流I,用毫伏表測量C、C,間的電壓U CC′,就可測得B.若已知其霍爾系數(shù)k=
1ned
=10mV/mA?T
.并測得UCC′=0.6mV,I=3mA.試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小.

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科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年江蘇省沭陽縣高二下學(xué)期期中調(diào)研測試物理試卷(帶解析) 題型:計(jì)算題

一塊N型半導(dǎo)體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示。已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e,將此元件放在勻強(qiáng)磁場中,磁場方向沿z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I。

(1)此元件的CC/兩個(gè)側(cè)面中,哪個(gè)面電勢高?
(2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí),此元件的CC/ 兩個(gè)側(cè)面的電勢差與其中的電流成正比;
(3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來測量磁感應(yīng)強(qiáng)度B的儀器。其測量方法為:將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場之中,用毫安表測量通以電流I,用毫伏表測量C、C/間的電壓U, 就可測得B。若已知其霍爾系數(shù),并測得U =0.6mV,I=3mA。試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小。

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科目:高中物理 來源:2014屆江蘇省沭陽縣高二下學(xué)期期中調(diào)研測試物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題

一塊N型半導(dǎo)體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示。已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e,將此元件放在勻強(qiáng)磁場中,磁場方向沿z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I

(1)此元件的CC/兩個(gè)側(cè)面中,哪個(gè)面電勢高?

(2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí),此元件的CC/ 兩個(gè)側(cè)面的電勢差與其中的電流成正比;

(3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來測量磁感應(yīng)強(qiáng)度B的儀器。其測量方法為:將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場之中,用毫安表測量通以電流I,用毫伏表測量C、C/間的電壓U, 就可測得B。若已知其霍爾系數(shù),并測得U =0.6mV,I=3mA。試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小。

 

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科目:高中物理 來源: 題型:

一塊N型半導(dǎo)體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示。已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e.將此元件放在勻強(qiáng)磁場中,磁場方向沿Z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I。
(1)此元件的CC/兩個(gè)側(cè)面中,哪個(gè)面電勢高?
(2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí),此元件的CC/ 兩個(gè)側(cè)面的電勢差與其中的電流成正比
(3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來測量磁感應(yīng)強(qiáng)度B 的儀器。其測量方法為:將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場之中,用毫安表測量通以電流I,用毫伏表測量C、C/間的電壓U CC’, 就可測得B。若已知其霍爾系數(shù)。并測得U CC’=0.6mV,I=3mA。試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小。

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科目:高中物理 來源:2007-2008學(xué)年江蘇省蘇州市五市三區(qū)高三(上)教學(xué)調(diào)研物理試卷(解析版) 題型:解答題

一塊N型半導(dǎo)體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示.已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e.將此元件放在勻強(qiáng)磁場中,磁場方向沿Z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I.
(1)此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面中,哪個(gè)面電勢高?
(2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí),此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面的電勢差與其中的電流成正比
(3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來測量磁感應(yīng)強(qiáng)度B 的儀器.其測量方法為:將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場之中,用毫安表測量通以電流I,用毫伏表測量C、C,間的電壓U CC′,就可測得B.若已知其霍爾系數(shù).并測得UCC′=0.6mV,I=3mA.試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小.

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