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圖1-2-10是M、N兩個物體做直線運(yùn)動的位移—時間圖象，由圖可知（    ）

圖1-2-10

A.M物體做勻速直線運(yùn)動                            B.N物體做曲線運(yùn)動

C.t0秒內(nèi)M、N兩物體的位移相等                 D.t0秒內(nèi)M、N兩物體的路程相等

解析：由圖可知：M物體的位移隨時間均勻變化，N物體的位移隨時間不均勻變化，所以M物體做勻速直線運(yùn)動，N物體做變速直線運(yùn)動，選項(xiàng)A正確、B錯誤.t0秒內(nèi)，M、N兩物體的位移都是s0，所以t0秒內(nèi)兩物體的位移相等；隨著時間的增加，位移一直在變大，說明M、N的運(yùn)動方向沒變，路程和位移的大小相等，所以t0秒內(nèi)兩物體的路程也相等．

答案：ACD

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，在真空中有一平行板電容器，兩板間距離為10cm，a點(diǎn)離M板2cm，b點(diǎn)離N板也是2cm，ab兩點(diǎn)在平行于極板方向的距離為6cm．當(dāng)電容器充電后，M板帶正電荷，N板帶負(fù)電荷，現(xiàn)測得一個電荷量為+2×10-8C的點(diǎn)電荷，放在a點(diǎn)時所受的電場力大小為2×10-5N，則：該電容器兩板間的電勢差大小為
100
100
V，如果把點(diǎn)電荷從a點(diǎn)移到b點(diǎn)，電場力做功為
1.2×10-6
1.2×10-6
J．

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科目：高中物理 來源： 題型：

與打點(diǎn)計(jì)時器一樣，光電計(jì)時器也是一種研究物體運(yùn)動情況的常用計(jì)時儀器，其結(jié)構(gòu)如圖甲所示，a、b分別是光電門的激光發(fā)射和接收裝置，當(dāng)有物體從a、b間通過時，光電計(jì)時器就可以顯示物體通過時的擋光時間．為了測定兩張紙之間的動摩擦因數(shù)，某同學(xué)利用光電計(jì)時器設(shè)計(jì)了一個實(shí)驗(yàn)：如圖乙所示，在小鐵塊A和木板B上貼上待測的紙，木板B水平固定，鉛錘通過細(xì)線和小鐵塊相連，其中木板上方的細(xì)線水平．1和2是固定在木板上適當(dāng)位置的兩個光電門，與之連接的兩個光電計(jì)時器沒有畫出．釋放鉛錘，讓小鐵塊在木板上加速運(yùn)動，光電門1、2各自連接的計(jì)時器顯示的擋光對間分別為1.2×10一2 s和0.5×10-2 s．用游標(biāo)卡尺測量小鐵塊左、右側(cè)間的寬度d如圖丙所
（1）讀出小鐵塊的寬度d=
1.05
1.05
cm．
（2）鐵塊通過光電門2的速度V2=
2.1
2.1
m/s（計(jì)算結(jié)果保留2位有效數(shù)字）．
（3）已知當(dāng)?shù)刂亓铀俣葹間，細(xì)線對鉛錘的拉力大小和細(xì)線對小鐵塊A的拉力大小相等，為完成測量，除了測量v1、v2和鉛錘、小鐵塊的質(zhì)量M、m外，還需測量的物理量有：
兩個光電門之間的距離L
兩個光電門之間的距離L
（用文字說明并用字母表示）．
（4）用（3）中各量求解動摩擦因數(shù)的表達(dá)式：μ=
2MgL-(M+m)
(v
2
2
-v
2
1
)
2mgL
2MgL-(M+m)
(v
2
2
-v
2
1
)
2mgL
（用字母表示）．

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科目：高中物理 來源： 題型：

霍爾效應(yīng)是電磁基本現(xiàn)象之一，在現(xiàn)代汽車上廣泛應(yīng)用霍爾器件：ABS系統(tǒng) 中的速度傳感器、汽車速度表等．如圖1，在一矩形半導(dǎo)體薄片的P、Q間通入電流I，同時外加與薄片垂直的磁場B，在M、N間出現(xiàn)電壓UH，這個現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)，UH稱為霍爾電壓，且滿足UH=k
IB
d
，式中k為霍爾系數(shù)，由半導(dǎo)體材料的性質(zhì)決定，d為薄片的厚度．利用霍爾效應(yīng)可以測出磁場中某處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B．
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（1）為了便于改變電流方向作研究，設(shè)計(jì)如圖2的測量電路，S1、S2均為單刀雙擲開關(guān)，虛線框內(nèi)為半導(dǎo)體薄片（未畫出）．為使電流從P端流入，Q端流出，應(yīng)將S1擲向
 
（填“a”或“b”），S2擲向
 
（填“c”或“d”）．
（2）已知某半導(dǎo)體薄片厚度d=0.40mm，霍爾系數(shù)為1.5×10-3V?m?A-1?T-1，保持待測磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度B不變，改變電流I的大小，測量相應(yīng)的UH值，記錄數(shù)據(jù)如表．
I（×10-3A） 3.0 6.0 9.0 12.0 15.0 18.0
UH（×10-3V） 1.1 1.9 3.4 4.5 6.2 6.8
根據(jù)表中數(shù)據(jù)在給定區(qū)域內(nèi)圖3中畫出UH-I圖線，利用圖線求出待測磁場B為
 
T．
（3）利用上述方法，可以粗略測出磁場的分布．為了更精細(xì)測出磁場的分布，可采取的措施有
 

（A）選用厚度較薄的半導(dǎo)體薄片
（B）選用厚度較厚的半導(dǎo)體薄
（C）選用霍爾系數(shù)k大的半導(dǎo)體薄片
（D）增大電流強(qiáng)度I．

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科目：高中物理 來源： 題型：

有一個直角支架AOB，AO水平放置，表面粗糙，OB豎直向下，表面光滑，AO上套有小環(huán)P，OB上套有小環(huán)Q，兩環(huán)質(zhì)量均為m，兩環(huán)間由一根質(zhì)量可忽略、不可伸長的細(xì)繩相連，并在某一位置平衡，如圖1-2-10所示.現(xiàn)將P環(huán)向左移一小段距離，兩環(huán)再次達(dá)到平衡，那么將移動后的平衡狀態(tài)和原來的平衡狀態(tài)比較，AO桿對P環(huán)的支持力N和細(xì)繩上的拉力T的變化情況是 （　　）

圖1-2-10

A.N不變，T變大            B.N不變，T變小

C.N變大，T變大            D.N變大，T變小

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同步練習(xí)冊答案