如圖所示,充電的平行板電容器兩板間形成勻強(qiáng)電場,以A點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn),AB方向?yàn)槲灰苮的正方向,能正確反映電勢φ隨位移x變化的圖像是
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科目:高中物理 來源: 題型:單選題
將一個(gè)帶負(fù)電的點(diǎn)電荷依次放置在下列四個(gè)電場中的a、b兩點(diǎn),其中甲圖為點(diǎn)電荷形成的電場,乙圖為等量異種電荷形成的電場,且a、b在電荷連線的中垂線上,丙圖為等量同種電荷形成的電場,且a、b關(guān)于電荷連線中點(diǎn)對稱,如圖所示,該點(diǎn)電荷在a、b兩點(diǎn)所受電場力的大小用Fa、Fb表示,具有的電勢能用Ea、Eb表示,則滿足條件Fa=Fb,Ea<Eb的是![]()
| A.甲圖 | B.乙圖 | C.丙圖 | D.丁圖 |
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科目:高中物理 來源: 題型:單選題
如圖所示,表示在一個(gè)電場中的四點(diǎn)分別引入檢驗(yàn)電荷時(shí),測得的檢驗(yàn)電荷的電荷量跟它所受的電場力的函數(shù)關(guān)系圖象,則下列敘述正確的是 ( )![]()
| A.這個(gè)電場是勻強(qiáng)電場(各點(diǎn)的電場強(qiáng)度處處相同的電場) |
| B.四點(diǎn)場強(qiáng)大小的關(guān)系是Ed>Ea>Eb>Ec |
| C.四點(diǎn)場強(qiáng)大小的關(guān)系是Ea<Eb<Ed<Ec |
| D.無法確定這四個(gè)點(diǎn)的場強(qiáng)大小關(guān)系 |
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科目:高中物理 來源: 題型:單選題
a、b、c、d是勻強(qiáng)電場中的四個(gè)點(diǎn),它們正好是一個(gè)矩形的四個(gè)頂點(diǎn).電場線與矩形所在平面平行.已知a點(diǎn)的電勢為 20 V,b點(diǎn)的電勢為24 V,d點(diǎn)的電勢為4 V,如圖所示,由此可知c點(diǎn)的電勢為( )![]()
| A.4 V | B.8 V | C.12 V | D.24 V |
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科目:高中物理 來源: 題型:單選題
如圖所示,在兩等量異種點(diǎn)電荷的電場中,MN為兩電荷連線的中垂線,a、b、c三點(diǎn)所在直線平行于兩電荷的連線,且a與c關(guān)于MN對稱,b點(diǎn)位于MN上,d點(diǎn)位于兩電荷的連線上。以下判斷正確的是![]()
| A.b點(diǎn)場強(qiáng)大于d點(diǎn)場強(qiáng) |
| B.b點(diǎn)電勢高于d點(diǎn)電勢 |
| C.試探電荷+q在a點(diǎn)的電勢能小于在c點(diǎn)的電勢能 |
| D.a(chǎn)、b兩點(diǎn)的電勢差等于b、c兩點(diǎn)間的電勢差 |
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科目:高中物理 來源: 題型:單選題
關(guān)于電勢差的說法中,正確的是 ( )
| A.兩點(diǎn)間的電勢差等于電荷從其中一點(diǎn)移到另一點(diǎn)時(shí),電場力所做的功 |
| B.1C電荷從電場中一點(diǎn)移動(dòng)到另一點(diǎn),如果電場力做了1J的功,這兩點(diǎn)間的電勢差就是1V |
| C.在兩點(diǎn)間移動(dòng)電荷時(shí),電場力做功的多少跟這兩點(diǎn)間的電勢差無關(guān) |
| D.兩點(diǎn)間的電勢差的大小跟放入這兩點(diǎn)的電荷的電量成反比 |
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科目:高中物理 來源: 題型:單選題
對以下幾個(gè)公式的理解,正確的是( )
| A.公式C=Q/U指出,電容器的電容隨帶電量Q的增加而增大 |
| B.由E=U/d可知,平行板電容器兩板電勢差U越大時(shí)板內(nèi)場強(qiáng)E越強(qiáng) |
| C.在F=kq1q2/r2中,kq2/r2是q1所在位置的場強(qiáng)的值 |
| D.公式E=q |
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科目:高中物理 來源: 題型:單選題
在空間直角坐標(biāo)系Oxyz中,有一四面體C-AOB,C、A、O、B為四面體的四個(gè)頂點(diǎn),且O(0,0,0)、A(L,0,0)、B(0,L,0)、 C(0,0,L),D(2L,0,0)是x軸上一點(diǎn),在坐標(biāo)原點(diǎn)O處固定著+Q的點(diǎn)電荷,下列說法正確的是( )![]()
A.A、B、C三點(diǎn)的電場強(qiáng)度相同
B.電勢差UOA =UAD
C.將一電子由OC中點(diǎn)分別移動(dòng)到A、B兩點(diǎn),電場力做功相同
D.電子在A點(diǎn)的電勢能大于在D點(diǎn)的電勢能
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科目:高中物理 來源: 題型:單選題
如圖所示,一重力不計(jì)的帶電粒子以某一速度進(jìn)入負(fù)點(diǎn)電荷形成的電場中,且只在電場力作用下依次通過M、N、P三點(diǎn),其中N點(diǎn)是軌跡上距離負(fù)點(diǎn)電荷最近的點(diǎn)。若粒子在M點(diǎn)和P點(diǎn)的速率相等,則 ![]()
| A.粒子在N點(diǎn)時(shí)的速率最大 |
| B.UMN=UNP |
| C.粒子在N點(diǎn)時(shí)的加速度最大 |
| D.粒子在M點(diǎn)時(shí)電勢能大于其在N點(diǎn)時(shí)的電勢能 |
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