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正方形輕質(zhì)導(dǎo)線框在水平恒力F作用下,向右平動(dòng),并將穿過一個(gè)有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁場寬度大于線框邊長(如圖).已知ab進(jìn)入磁場時(shí)線框的加速度為零,若線框進(jìn)入磁場的過程為過程Ⅰ,線框穿出磁場的過程為過程Ⅱ,則在這兩個(gè)過程中

[  ]

A.力F做功相同

B.線框中感應(yīng)電流方向相同,線框所受安培力的方向也相同

C.線框中感應(yīng)電流產(chǎn)生的內(nèi)能相同

D.過程Ⅱ中線框中感應(yīng)電流產(chǎn)生的內(nèi)能較多

答案:D
解析:

解析:過程Ⅰ,由楞次定律線圈感應(yīng)磁場垂直紙面向外,按右手螺旋規(guī)則,電流ab,過程Ⅱ,感應(yīng)磁場向內(nèi),電流ba,磁場力f做功產(chǎn)生內(nèi)能,.過程Ⅰ中,=F,過程Ⅱ中F(或至少在某段時(shí)間內(nèi)F)

,故過程Ⅱ中產(chǎn)生的內(nèi)能多.


練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,正方形輕質(zhì)導(dǎo)線框在水平恒力F作用下向右平動(dòng),并將穿過一個(gè)有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁場寬度大于線框邊長.已知ab邊進(jìn)入磁場時(shí),線框的加速度為零,若線框進(jìn)入磁場的過程為過程Ⅰ,線框走出磁場的過程為過程Ⅱ,則這兩個(gè)過程中( 。

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科目:高中物理 來源:新編高中總復(fù)習(xí)優(yōu)化訓(xùn)練(物理) 題型:013

正方形輕質(zhì)導(dǎo)線框在水平恒力F作用下,向右平動(dòng),并將穿過一個(gè)有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁場寬度大于線框邊長(如圖).已知ab進(jìn)入磁場時(shí)線框的加速度為零,若線框進(jìn)入磁場的過程為過程Ⅰ,線框穿出磁場的過程為過程Ⅱ,則在這兩個(gè)過程中

[  ]

A.力F做功相同

B.線框中感應(yīng)電流方向相同,線框所受安培力的方向也相同

C.線框中感應(yīng)電流產(chǎn)生的內(nèi)能相同

D.過程Ⅱ中線框中感應(yīng)電流產(chǎn)生的內(nèi)能較多

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,正方形輕質(zhì)導(dǎo)線框在水平恒力F作用下向右平動(dòng),并將穿過一個(gè)有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁場寬度大于線框邊長.已知ab邊進(jìn)入磁場時(shí),線框的加速度為零,若線框進(jìn)入磁場的過程為過程Ⅰ,線框走出磁場的過程為過程Ⅱ,則這兩個(gè)過程中( 。
A.力F做功相同
B.線框中感應(yīng)電流方向相同,線框所受安培力方向也相同
C.線框中感應(yīng)電流方向相反,線框所受安培力方向也相反
D.線框中感應(yīng)電流產(chǎn)生的內(nèi)能也相同
精英家教網(wǎng)

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科目:高中物理 來源:2004年江蘇省高考物理仿真模擬試卷(三)(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,正方形輕質(zhì)導(dǎo)線框在水平恒力F作用下向右平動(dòng),并將穿過一個(gè)有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁場寬度大于線框邊長.已知ab邊進(jìn)入磁場時(shí),線框的加速度為零,若線框進(jìn)入磁場的過程為過程Ⅰ,線框走出磁場的過程為過程Ⅱ,則這兩個(gè)過程中( )

A.力F做功相同
B.線框中感應(yīng)電流方向相同,線框所受安培力方向也相同
C.線框中感應(yīng)電流方向相反,線框所受安培力方向也相反
D.線框中感應(yīng)電流產(chǎn)生的內(nèi)能也相同

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