科目: 來源: 題型:選擇題
| A. | T=4 s | B. | v0=60 m/s | C. | h=180 m | D. | t=16 s |
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| A. | aA=10m/s2 aB=10m/s2 | B. | aA=13m/s2 aB=2m/s2 | ||
| C. | aA=15m/s2 aB=2m/s2 | D. | aA=10m/s2 aB=0 |
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科目: 來源: 題型:填空題
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科目: 來源: 題型:選擇題
| A. | 光電效應(yīng)和康普頓效應(yīng)說明光具有粒子性 | |
| B. | 光電效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中,改用強(qiáng)光可以增大逸出光電子的最大初動(dòng)能 | |
| C. | 在一定的光照條件下,增大所加正向電壓的值,一定可以增大飽和光電流 | |
| D. | 實(shí)驗(yàn)時(shí),若用光照射金屬不能發(fā)生光電效應(yīng)時(shí),可以改用強(qiáng)光照射使實(shí)驗(yàn)成功 |
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科目: 來源: 題型:計(jì)算題
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科目: 來源: 題型:選擇題
| A. | F1 | B. | F2 | C. | F3 | D. | F4 |
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科目: 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目: 來源: 題型:選擇題
| A. | P、Q兩板構(gòu)成電容器的電容增大 | B. | P板電荷量增大 | ||
| C. | M點(diǎn)的電勢比N點(diǎn)低 | D. | M點(diǎn)的電勢比N點(diǎn)高 |
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科目: 來源: 題型:計(jì)算題
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