科目: 來源: 題型:多選題
| A. | 產(chǎn)生的安培力的方向相反 | |
| B. | 進(jìn)入磁場(chǎng)過程的時(shí)間等于穿出磁場(chǎng)過程的時(shí)間 | |
| C. | 進(jìn)入磁場(chǎng)過程的發(fā)熱量少于穿出磁場(chǎng)過程的發(fā)熱量 | |
| D. | 進(jìn)入磁場(chǎng)過程和穿出磁場(chǎng)過程中通過導(dǎo)體內(nèi)某一截面的電量相等 |
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科目: 來源: 題型:多選題
| A. | 僅增大勵(lì)磁線圈中的電流,電子束運(yùn)動(dòng)軌跡的半徑將變大 | |
| B. | 僅提高電子槍的加速電壓,電子束運(yùn)動(dòng)軌跡的半徑將變大 | |
| C. | 僅增大勵(lì)磁線圈中的電流,電子做圓周運(yùn)動(dòng)的周期不變 | |
| D. | 僅提高電子槍的加速電壓,電子做圓周運(yùn)動(dòng)的周期不變 |
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科目: 來源: 題型:多選題
| A. | 勻速向右運(yùn)動(dòng) | B. | 加速向右運(yùn)動(dòng) | C. | 減速向右運(yùn)動(dòng) | D. | 加速向左運(yùn)動(dòng) |
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科目: 來源: 題型:多選題
| A. | B. | ||||
| C. | D. |
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科目: 來源: 題型:多選題
| A. | 該衛(wèi)星的發(fā)射速度必定大于11.2km/s | |
| B. | 衛(wèi)星在同步軌道Ⅱ上的運(yùn)行速度大于7.9km/s | |
| C. | 在軌道Ⅰ上,衛(wèi)星在P點(diǎn)的速度大于在Q點(diǎn)的速度 | |
| D. | 衛(wèi)星在Q點(diǎn)通過加速實(shí)現(xiàn)由軌道Ⅰ進(jìn)入軌道Ⅱ |
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科目: 來源: 題型:填空題
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科目: 來源: 題型:解答題
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科目: 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
| U2/V | 5.0 | 4.5 | 4.0 | 3.5 | 3.0 | 2.5 | 2.0 |
| U1/V | 0.66 | 1.00 | 1.33 | 1.88 | 2.00 | 2.32 | 2.68 |
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科目: 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目: 來源: 題型:選擇題
| A. | 物體A可能受到2個(gè)力作用 | B. | 物體A可能受到3個(gè)力作用 | ||
| C. | 物體B可能受到4個(gè)力作用 | D. | 物體B可能受到5個(gè)力作用 |
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