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圖14-14-3
A.都變亮 B.都變暗 C.A、B變亮,C變暗 D.A、C變亮,B變暗
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圖14-14-2
A.電源內(nèi)部產(chǎn)生電熱較多的是甲電路中的電源
B.R1上產(chǎn)生的電熱比R2上產(chǎn)生的電熱多
C.電源做功較多的是乙電路中的電源
D.電源輸出功率較大的是乙電路中的電源
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A.
W B.
W C.
W D.
W
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圖14-14-1
A.小于4 V B.等于4 V C.大于4 V,小于8 V D.等于或大于8 V
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A.改變半導體的溫度 B.改變半導體的長度
C.改變半導體的光照情況 D.在半導體中加入其他微量雜質(zhì)
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(1)在此過程中通過電阻R的電荷量;
(2)通過R的最大電流.
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(1)請判斷該粒子帶何種電荷,并求出其比荷q/m;
(2)若磁場的方向和所在空間范圍不變,而磁感應強度的大小變?yōu)锽′,該粒子仍從A處以相同的速度射入磁場,但飛出磁場時的速度方向相對于入射方向改變了60°角,求磁感應強度B′多大?此次粒子在磁場中運動所用時間t是多少?
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(1)利用如圖所示的電路測量電流表G的內(nèi)阻(圖中電源的電動勢E=4 V,電阻R阻值很大).
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①先閉合S1,調(diào)節(jié)R,使電流表指針指到Ig;②再閉合S2,保持R不變調(diào)節(jié)電阻箱R′,使電流表指針偏轉(zhuǎn)到滿偏電流的
,讀出此時R′=200 Ω,則電流表的內(nèi)阻Rg=__________ Ω.
(2)若將該表改裝成量程為
(3)把改裝好的電流表與標準電流表進行核對,請在下邊方框內(nèi)畫出實驗原理圖,并按照原理圖在實物圖上連線.
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