科目: 來源: 題型:
(2)用游標(biāo)卡尺(游標(biāo)尺上有50個(gè)等分刻度)測定某工件的寬度時(shí),示數(shù)如圖所示,此工件的寬度為 mm.
![]()
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:
A.0.013 MeV
B.0.017 MeV
C.0.076 MeV
D.0.093 MeV
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:
![]()
A.OA為黃光,OB為紫光
B.OA為紫光,OB為黃光
C.OA為黃光,OB為復(fù)色光
D.OA為紫光,OB為復(fù)色光
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:
![]()
![]()
圖2
A.甲為Q點(diǎn)的振動(dòng)圖象
B.乙為Q點(diǎn)的振動(dòng)圖象
C.丙為P點(diǎn)的振動(dòng)圖象
D.丁為P點(diǎn)的振動(dòng)圖象
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:
ve+
Cl![]()
Ar+
e
已知
Cl核的質(zhì)量為36.95658 u,
Ar核的質(zhì)量為36.95691 u,
e的質(zhì)量為0.00055 u,1 u質(zhì)量對應(yīng)的能量為931.5 MeV.根據(jù)以上數(shù)據(jù),可以判斷參與上述反應(yīng)的電子中微子的最小能量為…………( )
A.0.82 MeV B.0.31 MeV
C.1.33 MeV D.0.51 MeV
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:
![]()
A.導(dǎo)線框進(jìn)入磁場時(shí),感應(yīng)電流方向?yàn)?I>a→b→c→d→a
B.導(dǎo)線框離開磁場時(shí),感應(yīng)電流方向?yàn)?I>a→d→c→b→a
C.導(dǎo)線框離開磁場時(shí),受到的安培力方向水平向右
D.導(dǎo)線框進(jìn)入磁場時(shí),受到的安培力方向水平向左
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:
A.甲容器中氣體的溫度高于乙容器中氣體的溫度
B.甲容器中氣體的溫度低于乙容器中氣體的溫度
C.甲容器中氣體分子的平均動(dòng)能小于乙容器中氣體分子的平均動(dòng)能
D.甲容器中氣體分子的平均動(dòng)能大于乙容器中氣體分子的平均動(dòng)能
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:
A.衛(wèi)星的軌道半徑越大,它的運(yùn)行速度越大
B.衛(wèi)星的軌道半徑越大,它的運(yùn)行速度越小
C.衛(wèi)星的質(zhì)量一定時(shí),軌道半徑越大,它需要的向心力越大
D.衛(wèi)星的質(zhì)量一定時(shí),軌道半徑越大,它需要的向心力越小
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:
A.α射線與γ射線都是電磁波
B.β射線為原子的核外電子電離后形成的電子流
C.用加溫、加壓或改變其化學(xué)狀態(tài)的方法都不能改變原子核衰變的半衰期
D.原子核經(jīng)過衰變生成新核,則新核的質(zhì)量總等于原核的質(zhì)量
查看答案和解析>>
科目: 來源: 題型:
A.物體放出熱量,溫度一定降低
B.物體內(nèi)能增加,溫度一定升高
C.熱量能自發(fā)地從低溫物體傳給高溫物體
D.熱量能自發(fā)地從高溫物體傳給低溫物體
查看答案和解析>>
國際學(xué)校優(yōu)選 - 練習(xí)冊列表 - 試題列表
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺 | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com