硅及其化合物的應(yīng)用范圍很廣。下列說(shuō)法正確的是

A．硅是人類將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能的常用材料

B．粗硅制備單晶硅不涉及氧化還原反應(yīng)

C．石英玻璃和餐桌上的瓷盤都是硅酸鹽制品

D．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

硅及其化合物的應(yīng)用范圍很廣。下列說(shuō)法正確的是

1. A.
   硅是人類將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能的常用材料
2. B.
   粗硅制備單晶硅不涉及氧化還原反應(yīng)
3. C.
   石英玻璃和餐桌上的瓷盤都是硅酸鹽制品
4. D.
   鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

硅及其化合物的應(yīng)用范圍很廣。下列說(shuō)法正確的是

A．硅是人類將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能的常用材料

B．粗硅制備單晶硅不涉及氧化還原反應(yīng)

C．石英玻璃和餐桌上的瓷盤都是硅酸鹽制品

D．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。
三氯甲硅烷(SiHCl₃)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

①寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式                                 。
②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式                                             ；
H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混入O₂，可能引起的后果是                                 
                                                                            。
(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是        (填字母)。

（16分）硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl₃）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

（1）在制粗硅的反應(yīng)中，焦炭的作用是                                                   。

（2）整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水、無(wú)氧。

①SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式　　　　；②H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混O₂，可能引起的后果是                                     。

 (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋　　　                                                          　。

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。

（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅：

Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃～500 ℃ 反應(yīng)制得SiCl₄

Ⅲ.  SiCl₄液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H₂在1100 ℃～1200 ℃ 反應(yīng)制得純硅

已知SiCl₄沸點(diǎn)為57.6 ℃，能與H₂O強(qiáng)烈反應(yīng)。1 mol H₂與SiCl₄氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2 kJ。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

① 第Ⅰ步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                                       ，第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是                                                   。

②整個(gè)制備純硅過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiCl₄在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是           ；H₂還原SiCl₄過(guò)程中若混O₂，可能引起的后果是        。

（2）二氧化硅大量用于生產(chǎn)玻璃。工業(yè)上用SiO₂、Na₂CO₃和CaCO₃共283 kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO₂ 44 kg，生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na₂SiO₃·CaSiO₃·xSiO₂表示，則其中x＝          。

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

    （1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl₃)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

    ①寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式        。

    ②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式           ；H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混入O₂，可能引起的后果是                                 。

    （2）下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是         (填字母)。

      A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

      B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

      C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

      D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高

      E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

（3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋          。

（16分）硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl₃）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

（1）在制粗硅的反應(yīng)中，焦炭的作用是                                                  。

（2）整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水、無(wú)氧。

①SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式　　　　；②H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混O₂，可能引起的后果是                                    。

 (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋　　　                                                         　。

（10分)硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下:

①寫出由純制備高純硅的化學(xué)方程式:                         。
②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。遇水劇烈反應(yīng)生成、HCl和另一種物質(zhì),配平后的化學(xué)反應(yīng)方程式為                   ;還原過(guò)程中若混入可能引起的后果是                 。
(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是       (填字母)。

(08年廣東卷)硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式________。

②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式____；H2還原SihCl3過(guò)程中若混02，可能引起的后果是______     。

（2）下列有頭硅材料的詳法正確的是_____    （填字母）。

A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水混

B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

C.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂的，其熔點(diǎn)很高

D.鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

E．鹽酸可以和硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋_____。

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：三硅酸鎂（2MgO·3SiO₂·nH₂O）被用來(lái)治療胃潰瘍，是因?yàn)樵撐镔|(zhì)不溶于水，服用后能中和胃酸，作用持久。寫出三硅酸鎂與胃酸（鹽酸）反應(yīng)的化學(xué)方程式：

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。
（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅：
Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃～500 ℃ 反應(yīng)制得SiCl₄
Ⅲ.  SiCl₄液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H₂在1100 ℃～1200 ℃ 反應(yīng)制得純硅
已知SiCl₄沸點(diǎn)為57.6 ℃，能與H₂O強(qiáng)烈反應(yīng)。1 mol H₂與SiCl₄氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2 kJ。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
① 第Ⅰ步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                                       ，第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是                                                   。
②整個(gè)制備純硅過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiCl₄在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是          ；H₂還原SiCl₄過(guò)程中若混O₂，可能引起的后果是        。
（2）二氧化硅大量用于生產(chǎn)玻璃。工業(yè)上用SiO₂、Na₂CO₃和CaCO₃共283 kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO₂ 44 kg，生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na₂SiO₃·CaSiO₃·xSiO₂表示，則其中x＝         。

（10分)硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下:

①寫出由純制備高純硅的化學(xué)方程式:                         。

②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。遇水劇烈反應(yīng)生成、HCl和另一種物質(zhì),配平后的化學(xué)反應(yīng)方程式為                   ;還原過(guò)程中若混入可能引起的后果是                 。

(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是       (填字母)。

A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高

E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入稀硝酸,振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋                         。

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl₃)還原法是當(dāng)前制備高純硅  的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

①     寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________。

②     整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式

________________________________________________________________________；

H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混入O₂，可能引起的后果是

________________________________________________________________________。

(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是________(填字母)。

A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高

E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，      振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋：

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________。

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。

（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅：

Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃～500 ℃ 反應(yīng)制得SiCl₄

Ⅲ.  SiCl₄液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H₂在1100 ℃～1200 ℃ 反應(yīng)制得純硅

已知SiCl₄沸點(diǎn)為57.6 ℃，能與H₂O強(qiáng)烈反應(yīng)。1 mol H₂與SiCl₄氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2 kJ。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

① 第Ⅰ步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                                        ，第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是                                                    。

②整個(gè)制備純硅過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiCl₄在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是           ；H₂還原SiCl₄過(guò)程中若混O₂，可能引起的后果是         。

（2）二氧化硅大量用于生產(chǎn)玻璃。工業(yè)上用SiO₂、Na₂CO₃和CaCO₃共283 kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO₂ 44 kg，生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na₂SiO₃·CaSiO₃·xSiO₂表示，則其中x＝          。

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。

（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅，工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅：

Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃～500 ℃ 反應(yīng)制得SiCl₄

Ⅲ.  SiCl₄液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H₂在1100 ℃～1200 ℃ 反應(yīng)制得純硅

已知SiCl₄沸點(diǎn)為57.6 ℃，能與H₂O強(qiáng)烈反應(yīng)。1 mol H₂與SiCl₄氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2 kJ。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

① 第Ⅰ步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                                        ，第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是                                                   。

②整個(gè)制備純硅過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiCl₄在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧，其生成物是           ；H₂還原SiCl₄過(guò)程中若混O₂，可能引起的后果是         。

（2）二氧化硅大量用于生產(chǎn)玻璃。工業(yè)上用SiO₂、Na₂CO₃和CaCO₃共283 kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO₂ 44 kg，生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na₂SiO₃·CaSiO₃·xSiO₂表示，則其中x＝          。