（10分）硫酸渣是用黃鐵礦制造硫酸過(guò)程中排出的廢渣，主要化學(xué)成分為SiO₂(約45%)、Fe₂O₃(約40%)、Al₂O₃(約10%)和MgO(約5%)。某同學(xué)設(shè)計(jì)了如下方案，分離樣品中各種金屬元素。請(qǐng)回答下列問(wèn)題。

（1）寫出溶液B的溶質(zhì)是            。
（2）參照以下框的形式進(jìn)一步完成“溶液C”到“Al₂O₃”的流程（注明試劑、條件和操作）。

（3）為了分析某硫酸渣中鐵元素的含量，先將硫酸渣預(yù)處理，把鐵元素還原成 Fe²⁺，再用KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定。
①判斷到達(dá)滴定終點(diǎn)的現(xiàn)象是            。
②某同學(xué)稱取2.000g硫酸渣，預(yù)處理后在容量瓶中配制成100mL溶液，移到25.00mL試樣溶液，用0.0050mol·L^-1KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定，達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)，消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00mL，則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是               。

硫酸渣是用黃鐵礦制造硫酸過(guò)程中排出的廢渣，主要化學(xué)成分為SiO₂（約45%）、Fe₂O₃（約40%）、Al₂O₃（約10%）和MgO（約5%）．某同學(xué)設(shè)計(jì)了如下方案，分離樣品中各種金屬元素．請(qǐng)回答下列問(wèn)題．
（1）寫出溶液B的溶質(zhì)是______．
（2）參照以下框圖形式進(jìn)一步完成“溶液C”到“Al₂O₃”的流程（注明試劑、條件和操作）．

（3）為了分析某硫酸渣中鐵元素的含量，先將硫酸渣預(yù)處理，把鐵元素還原成Fe²⁺，再用KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定．
①判斷到達(dá)滴定終點(diǎn)的現(xiàn)象是______．
②某同學(xué)稱取 2.000g硫酸渣，預(yù)處理后在容量瓶中配制成100mL溶液，移取25.00mL試樣溶液，用0.0050mol?L^-1KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定，達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)，消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00mL，則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是______．

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度450-500°C），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下：

a.四氯化硅遇水極易水解；

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表：

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                   。

（2）裝置A中g(shù)管的作用是               ；裝置C中的試劑是          ；裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                  。

（3）裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是              （填寫元素符號(hào)）。

（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預(yù)處理，是鐵元素還原成Fe²⁺ ，再用KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定，反應(yīng)的離子方程式是：

①滴定前是否要滴加指示劑？            （填“是”或“否”），請(qǐng)說(shuō)明理由           。

②某同學(xué)稱取5.000g殘留物，預(yù)處理后在容量瓶中配制成100ml溶液，移取25.00ml，試樣溶液，用1.000×10^-2mol· L^-1KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)，消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是            。

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度450-500°C），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下：

a.四氯化硅遇水極易水解；

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表：

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                   。

（2）裝置A中g(shù)管的作用是               ；裝置C中的試劑是          ；裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                  。

（3）裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是              （填寫元素符號(hào)）。

（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預(yù)處理，是鐵元素還原成Fe²⁺ ，再用KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定，反應(yīng)的離子方程式是：

①滴定前是否要滴加指示劑？            （填“是”或“否”），請(qǐng)說(shuō)明理由           。

②某同學(xué)稱取5.000g殘留物，預(yù)處理后在容量瓶中配制成100ml溶液，移取25.00ml，試樣溶液，用1.000×10^-2mol· L^-1KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)，消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是            。

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度450-500°C），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下：

a.四氯化硅遇水極易水解；

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表：

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                   。

（2）裝置A中g(shù)管的作用是               ；裝置C中的試劑是          ；裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                  。

（3）裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是              （填寫元素符號(hào)）。

（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預(yù)處理，是鐵元素還原成Fe²⁺ ，再用KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定，反應(yīng)的離子方程式是：

①滴定前是否要滴加指示劑？            （填“是”或“否”），請(qǐng)說(shuō)明理由           。

②某同學(xué)稱取5.000g殘留物，預(yù)處理后在容量瓶中配制成100ml溶液，移取25.00ml，試樣溶液，用1.000×10^-2mol· L^-1KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)，消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是            。

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度450-500°C），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下：

a.四氯化硅遇水極易水解；

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表：

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                  。

（2）裝置A中g(shù)管的作用是              ；裝置C中的試劑是         ；裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                 。

（3）裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是             （填寫元素符號(hào)）。

（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預(yù)處理，是鐵元素還原成Fe²⁺ ，再用KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定，反應(yīng)的離子方程式是：

①滴定前是否要滴加指示劑？            （填“是”或“否”），請(qǐng)說(shuō)明理由          。

②某同學(xué)稱取5.000g殘留物，預(yù)處理后在容量瓶中配制成100ml溶液，移取25.00ml，試樣溶液，用1.000×10^-2mol· L^-1KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)，消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是           。

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度450-500°C），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下：
a.四氯化硅遇水極易水解；
b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；
c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表：

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                  。
（2）裝置A中g(shù)管的作用是              ；裝置C中的試劑是         ；裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                 。
（3）裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是             （填寫元素符號(hào)）。
（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預(yù)處理，是鐵元素還原成Fe²⁺，再用KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定，反應(yīng)的離子方程式是：

①滴定前是否要滴加指示劑？           （填“是”或“否”），請(qǐng)說(shuō)明理由          。
②某同學(xué)稱取5.000g殘留物，預(yù)處理后在容量瓶中配制成100ml溶液，移取25.00ml，試樣溶液，用1.000×10^-2mol· L^-1KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)，消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是           。

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度450-500°C），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下：  a.四氯化硅遇水極易水解；
b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；
c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表：

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度450-500°C），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下：

a.四氯化硅遇水極易水解；

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表：

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                   。

（2）裝置A中g(shù)管的作用是               ；裝置C中的試劑是          ；裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                  。

（3）裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是              （填寫元素符號(hào)）。

（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預(yù)處理，是鐵元素還原成Fe²⁺ ，再用KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定，反應(yīng)的離子方程式是：

①滴定前是否要滴加指示劑？            （填“是”或“否”），請(qǐng)說(shuō)明理由           。

②某同學(xué)稱取5.000g殘留物，預(yù)處理后在容量瓶中配制成100ml溶液，移取25.00ml，試樣溶液，用1.000×10^-2mol· L^-1KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)，消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是            。

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度450-500°C），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下：

a.四氯化硅遇水極易水解；

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表：

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：www.ks5.u.com

（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                   。

（2）裝置A中g(shù)管的作用是               ；裝置C中的試劑是          ；裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                  。

（3）裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是              （填寫元素符號(hào)）。

（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預(yù)處理，是鐵元素還原成Fe²⁺ ，再用KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定，反應(yīng)的離子方程式是：

①滴定前是否要滴加指示劑？            （填“是”或“否”），請(qǐng)說(shuō)明理由           。

②某同學(xué)稱取5.000g殘留物，預(yù)處理后在容量瓶中配制成100ml溶液，移取25.00ml，試樣溶液，用1.000×10^-2mol· L^-1KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)，消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是            。

（16分）單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度450-500°C），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下：

a.四氯化硅遇水極易水解；

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表：

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                  。

（2）裝置A中g(shù)管的作用是              ；裝置C中的試劑是         ；裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                 。

（3）裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是             （填寫元素符號(hào)）。

（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預(yù)處理，是鐵元素還原成Fe²⁺ ，再用KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定，反應(yīng)的離子方程式是：

①滴定前是否要滴加指示劑？           （填“是”或“否”），請(qǐng)說(shuō)明理由          。

②某同學(xué)稱取5.000g殘留物，預(yù)處理后在容量瓶中配制成100ml溶液，移取25.00ml，試樣溶液，用1.000×10^-2mol·L^-1KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)，消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是           。

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度450-500°C），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下：

a.四氯化硅遇水極易水解；

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表：

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：www.ks5.u.com

（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                  。

（2）裝置A中g(shù)管的作用是              ；裝置C中的試劑是         ；裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                 。

（3）裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是             （填寫元素符號(hào)）。

（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預(yù)處理，是鐵元素還原成Fe²⁺ ，再用KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定，反應(yīng)的離子方程式是：

①滴定前是否要滴加指示劑？           （填“是”或“否”），請(qǐng)說(shuō)明理由           。

②某同學(xué)稱取5.000g殘留物，預(yù)處理后在容量瓶中配制成100ml溶液，移取25.00ml，試樣溶液，用1.000×10^-2mol· L^-1KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)，消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是           。

（16分）單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度450-500°C），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。


相關(guān)信息如下：
a.四氯化硅遇水極易水解；
b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；
c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表：

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                  。
（2）裝置A中g(shù)管的作用是              ；裝置C中的試劑是         ；裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                 。
（3）裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是             （填寫元素符號(hào)）。
（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預(yù)處理，是鐵元素還原成Fe²⁺，再用KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定，反應(yīng)的離子方程式是：

①滴定前是否要滴加指示劑？           （填“是”或“否”），請(qǐng)說(shuō)明理由          。
②某同學(xué)稱取5.000g殘留物，預(yù)處理后在容量瓶中配制成100ml溶液，移取25.00ml，試樣溶液，用1.000×10^-2mol· L^-1KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)，消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是           。

（16分）單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硫、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度450-500°C），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下：

a.四氯化硅遇水極易水解；

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表：

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                   。

（2）裝置A中g(shù)管的作用是               ；裝置C中的試劑是          ；裝置E中的h瓶需要冷卻理由是                  。

（3）裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是              （填寫元素符號(hào)）。

（4）為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預(yù)處理，是鐵元素還原成Fe²⁺ ，再用KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定，反應(yīng)的離子方程式是：

①滴定前是否要滴加指示劑？            （填“是”或“否”），請(qǐng)說(shuō)明理由           。

②某同學(xué)稱取5.000g殘留物，預(yù)處理后在容量瓶中配制成100ml溶液，移取25.00ml，試樣溶液，用1.000×10^-2mol· L^-1KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定。達(dá)到滴定終點(diǎn)時(shí)，消耗標(biāo)準(zhǔn)溶液20.00ml,則殘留物中鐵元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)是            。