科目：gzhx 來(lái)源： 題型：解答題

科目：gzhx 來(lái)源： 題型：

Ga和As在一定條件下可以合成GaAs，GaAs是一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越．多元化合物薄膜太陽(yáng)能電池材料為無(wú)機(jī)鹽，其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅錮硒薄膜電池等．
（1）Ga在元素周期表的位置是

第四周期第IIIA族

第四周期第IIIA族

，As的原子結(jié)構(gòu)示意圖

．
（2）Ga的原子核外電子排布式為：

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹

．
（3）GaCl₃和AsF₃的空間構(gòu)型分別是：GaCl₃

平面三角形

平面三角形

，AsF₃

三角錐形

三角錐形

．
（4）第IV A族的C和Si也可以形成類(lèi)似的化合物半導(dǎo)體材料SiC，其結(jié)構(gòu)跟金剛石相似，則SiC屬于

原子

原子

晶體，并寫(xiě)出其主要的物理性質(zhì)

硬度大、熔點(diǎn)高

硬度大、熔點(diǎn)高

  （任2種）．
（5）第一電離能：As

＞

＞

Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
（6）硫化鋅的晶胞中（結(jié)構(gòu)如圖所示），硫離子的配位數(shù)是

4

4

．
（7）二氧化硒分子的空間構(gòu)型為

V形

V形

，寫(xiě)出它的1個(gè)等電子體的分子式

O₃（或SO₂）

O₃（或SO₂）

．

科目：gzhx 來(lái)源： 題型：解答題

10．鋅是一種常用金屬，冶煉方法有火法和濕法．
Ⅰ．鎵（Ga）是火法冶煉鋅過(guò)程中的副產(chǎn)品，鎵與鋁同主族且相鄰，化學(xué)性質(zhì)與鋁相似．氮化鎵（GaN）是制造LED的重要材料，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料．
（1）Ga在元素周期表中的位置第四周期第ⅢA族．
（2）GaN可由Ga和NH₃在高溫條件下合成，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為2Ga+2NH₃$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$2GaN+3H₂．
（3）下列有關(guān)鎵和鎵的化合物的說(shuō)法正確的是ACD（填字母序號(hào)）．
A．一定條件下，Ga可溶于鹽酸和氫氧化鈉
B．常溫下，Ga可與水劇烈反應(yīng)放出氫氣
C．Ga₂O₃可由Ga（OH）₃受熱分解得到
D．一定條件下，Ga₂O₃可與NaOH反應(yīng)生成鹽
Ⅱ．工業(yè)上利用鋅焙砂（主要含Zn0、ZnFe₂O₄，還含有少量CaO、FeO、CuO、NiO等氧化物）濕法制取金屬鋅的流程如圖1所示，回答下列問(wèn)題：

已知：Fe的活潑性強(qiáng)于Ni
（4）ZnFe₂O₄可以寫(xiě)成ZnO•Fe₂O₃，寫(xiě)出ZnFe₂O₄與H₂SO₄反應(yīng)的化學(xué)方程式ZnFe₂O₄+4H₂SO₄═ZnSO₄+Fe₂（SO₄）₃+4H₂O．
（5）凈化I操作分為兩步：第一步是將溶液中少量的Fe²⁺氧化；第二步是控制溶液pH，只使Fe³⁺轉(zhuǎn)化為Fe（OH）₃沉淀．凈化I生成的沉淀中還含有溶液中的懸浮雜質(zhì)，溶液中的懸浮雜質(zhì)被共同沉淀的原因是Fe（OH）₃膠粒具有吸附性．
（6）凈化II中加入Zn的目的是使Cu²⁺、Ni²⁺轉(zhuǎn)化為Cu、Ni而除去．
Ⅲ．（7）某化學(xué)課外小組擬用廢舊電池鋅皮（含雜質(zhì)鐵），結(jié)合圖2信息從提供的試劑中選取適當(dāng)試劑，制取純凈的ZnSO₄•7H₂O．
實(shí)驗(yàn)步驟如下：
①將鋅片完全溶于稍過(guò)量的3mol•L^-1稀硫酸，加入A（選填字母，下同）；
A．30%H₂O₂      B．新制氯水C．FeCl₃溶液D．KSCN溶液
②加入C；
A．純鋅粉B．純碳酸鈣粉末   C．純ZnO粉末   D．3mol•L^-1稀硫酸
③加熱到60℃左右并不斷攪拌；
④趁熱過(guò)濾得ZnSO₄溶液，再蒸發(fā)濃縮、冷卻結(jié)晶，過(guò)濾、洗滌、干燥．
其中步驟③加熱的主要目的是促進(jìn)Fe³⁺水解轉(zhuǎn)化為沉淀，并使過(guò)量的H₂O₂分解除去．

科目：gzhx 來(lái)源： 題型：實(shí)驗(yàn)題

科目：gzhx 來(lái)源：高考三人行　　化學(xué) 題型：013

科目：gzhx 來(lái)源： 題型：解答題

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3．金屬鎵是一種廣泛用于電子工業(yè)和通訊領(lǐng)域的重要金屬，鎵元素（₃₁Ga）在元素周期表中位于第四周期，ⅢA族，化學(xué)性質(zhì)與鋁元素相似．
（1）工業(yè)上利用Ga與NH₃合成固體半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）同時(shí)有氫氣生成，反應(yīng)中，生成3mol H₂時(shí)放出30.8KJ的熱．
①反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是2Ga（s）+2NH₃（g）?2GaN（s）+3H₂（g）△H=-30.8KJ/mol．
②反應(yīng)的化學(xué)平衡常數(shù)表達(dá)式是$\frac{{c}^{3}（{H}_{2}）}{{c}^{2}（N{H}_{3}）}$；溫度升高時(shí)，反應(yīng)的平衡常數(shù)變?。ㄌ睢白兇蟆薄白冃　被颉安蛔儭保?br />③在密閉體系內(nèi)進(jìn)行上述可逆反應(yīng)，下列有關(guān)表達(dá)正確的是A．

A．圖象Ⅰ中如果縱坐標(biāo)為正反應(yīng)速率，則t時(shí)刻改變的條件可以為升溫或加壓
B．圖象Ⅱ中縱坐標(biāo)可以為鎵的轉(zhuǎn)化率
C．圖象Ⅲ中縱坐標(biāo)可以為化學(xué)反應(yīng)速率
D．圖象Ⅳ中縱坐標(biāo)可以為體系內(nèi)混合氣體平均相對(duì)分子質(zhì)量
④氮化鎵（GaN）性質(zhì)穩(wěn)定，但能緩慢的溶解在熱的NaOH溶液中，該反應(yīng)的離子方程式是GaN+OH^-+H₂O$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$GaO₂^-+NH₃↑．
（2）將一塊鎵鋁合金完全溶于燒堿溶液中得到溶液X．已知：

	Al（OH）3	Ga（OH）3
酸式電離常數(shù)Ka	2×10-11	1×10-2
堿式電離常數(shù)Kb	1.3×10-33	1.4×10-34

往X溶液中緩緩?fù)ㄈ隒O₂，最先析出的氫氧化物是Al（OH）₃．
（3）工業(yè)上電解精煉鎵的原理如下：待提純的粗鎵（內(nèi)含Zn、Fe、Cu雜質(zhì)）為陽(yáng)極，高純度鎵為陰極，NaOH溶液為電解質(zhì)溶液．在電流作用下使粗鎵在陽(yáng)極溶解進(jìn)入電解質(zhì)溶液，離子遷移到達(dá)陰極并在陰極放出電析出高純鎵．
①已知離子氧化性順序?yàn)椋篫n²⁺＜Ga³⁺＜Fe²⁺＜Cu²⁺，電解精煉鎵時(shí)陽(yáng)極泥的成分是Fe、Cu．
②GaO₂^-在陰極放電的電極方程式是GaO₂^-+3e^-+2H₂O=Ga+4OH^-．

科目：gzhx 來(lái)源： 題型：解答題

15．已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42．X元素原子的4p軌道上有3個(gè)未成對(duì)電子，Y元素原子的最外層2p軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子．X跟Y可形成化合物X₂Y₃，Z元素可以形成負(fù)一價(jià)離子．元素M為第四周期元素，M原子核外最外層只有1個(gè)電子，其余各層電子均充滿．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）向MSO₄溶液中加入過(guò)量NaOH溶液生成離子[M（OH）₄]^2-．若不考慮空間構(gòu)型，則[M（OH）₄]^2-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為；N₃^-和CO₂是等電子體，則N₃^-的結(jié)構(gòu)式為[N=N=N]^-．
（2）Y元素原子外圍電子排布圖為．
（3）X與Z可形成化合物XZ₃，該化合物的空間構(gòu)型為三角錐形．
（4）已知由元素X與鎵元素組成的化合物A為第三代半導(dǎo)體．已知化合物A的晶胞結(jié)構(gòu)與金剛石相似，其中X原子位于立方體內(nèi)，鎵原子位于立方體頂點(diǎn)和面心，請(qǐng)寫(xiě)出化合物A的化學(xué)式GaAs；化合物A可由（CH₃）₃Ga和XZ₃在700℃下反應(yīng)制得，反應(yīng)的化學(xué)方程式為（CH₃）₃Ga+AsH₃$\frac{\underline{\;700℃\;}}{\;}$GaAs+3CH₄ ．
（5）已知鋁與鎵元素位于同一主族，金屬鋁屬立方晶系，其晶胞邊長(zhǎng)為405pm，密度是2.70g•cm^-3，通過(guò)計(jì)算確定其晶胞的類(lèi)型面心立方最密堆積（填簡(jiǎn)單立方堆積、體心立方堆積或面心立方最密堆積）；晶胞中距離最近的鋁原子可看作是接觸的，計(jì)算鋁的原子半徑r（A1）=143.17pm．（計(jì)算結(jié)果保留小數(shù)點(diǎn)后兩位；已知：405³≈6.64×10⁷，$\sqrt{2}$=1.414）

科目：gzhx 來(lái)源：2014屆東北三省四市教研協(xié)作體高三聯(lián)合考試?yán)砭C化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

科目：gzhx 來(lái)源：不詳 題型：填空題

太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽(yáng)能電池，第二代為多晶硅、非晶硅等太陽(yáng)能電池，第三代就是銅銦鎵硒CIGs（CIS中摻入Ga）等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池。
（1）亞銅離子（Cu⁺）基態(tài)時(shí)的價(jià)電子排布式表示為               。
（2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?u>   （用元素符號(hào)表示）。
（3）Cu晶體的堆積方式是         （填堆積名稱(chēng)），其配位數(shù)為       ；往Cu的硫酸鹽溶液中加入過(guò)量氨水，可生成[Cu(NH₃)₄]SO₄，下列說(shuō)法正確的是_____

A．[Cu (NH3)4]SO4中所含的化學(xué)鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵

B．在[Cu(NH3)4 ]2+中Cu2+給出孤對(duì)電子，NH3提供空軌道

C．[Cu (NH3)4]SO4組成元素中第一電離能最大的是氧元素

D．SO42-與PO43-互為等電子體，空間構(gòu)型均為正四面體

（4）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H₃BO₃）溶于水顯弱酸性，但它卻只是一元酸，可以用硼酸在水溶液中的電離平衡解釋它只是一元弱酸的原因。
①H₃BO₃中B的原子雜化類(lèi)型為         ；
②寫(xiě)出硼酸在水溶液中的電離方程式         。
（5）硅與碳是同一主族元素，其中石墨為混合型晶體，已知石墨的層 間距為335pm,C-C鍵長(zhǎng)為142pm,計(jì)算石墨晶體密度（要求寫(xiě)出計(jì)算過(guò)程，得出結(jié)果保留三位有效數(shù)字,N_A為6.02×10²³mol^-1）

科目：gzhx 來(lái)源： 題型：

太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代．第一代為單晶硅太陽(yáng)能電池，第二代為多晶硅、非晶硅等太陽(yáng)能電池，第三代就是銅銦鎵硒CIGs（CIS中摻入Ga）等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池．
（1）亞銅離子（Cu⁺）基態(tài)時(shí)的價(jià)電子排布式表示為

 

．
（2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?div id="i2maou2" class='quizPutTag' contenteditable='true'> 

（用元素符號(hào)表示）．
（3）Cu晶體的堆積方式是

 

（填堆積名稱(chēng)），其配位數(shù)為

 

；往Cu的硫酸鹽溶液中加入過(guò)量氨水，可生成[Cu（NH₃）₄]SO₄，下列說(shuō)法正確的是

 

A．[Cu （NH₃）₄]SO₄中所含的化學(xué)鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵
B．在[Cu（NH₃）₄]²⁺中Cu²⁺給出孤對(duì)電子，NH₃提供空軌道
C．[Cu （NH₃）₄]SO₄組成元素中第一電離能最大的是氧元素
D．SO₄^2-與PO₄^3-互為等電子體，空間構(gòu)型均為正四面體
（4）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H₃BO₃）溶于水顯弱酸性，但它卻只是一元酸，可以用硼酸在水溶液中的電離平衡解釋它只是一元弱酸的原因．
①H₃BO₃中B的原子雜化類(lèi)型為

 

；
②寫(xiě)出硼酸在水溶液中的電離方程式

 

．
（5）硅與碳是同一主族元素，其中石墨為混合型晶體，已知石墨的層間距為335pm，C-C鍵長(zhǎng)為142pm，計(jì)算石墨晶體密度（要求寫(xiě)出計(jì)算過(guò)程，得出結(jié)果保留三位有效數(shù)字，N_A為6.02×10²³mol^-1）