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4.硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅.其化學(xué)方程式為: ① ② ③.上述反應(yīng)中.反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于( ) A.化合反應(yīng) B.分解反應(yīng) C.置換反應(yīng) D.都不是 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO②Si+2Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
SiCl4③SiCl4+2H2
  △  
.
 
Si+4HC,上述反應(yīng)中,反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于( 。
A、化合反應(yīng)B、分解反應(yīng)
C、置換反應(yīng)D、都不是

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硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2C
 高溫 
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Si+2CO②Si+2Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
SiCl4③SiCl4+2H2
  △  
.
 
Si+4HC,上述反應(yīng)中,反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于( 。
A.化合反應(yīng)B.分解反應(yīng)C.置換反應(yīng)D.都不是

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硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC,上述反應(yīng)中,反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于( )
A.化合反應(yīng)
B.分解反應(yīng)
C.置換反應(yīng)
D.都不是

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硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC,上述反應(yīng)中,反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于( )
A.化合反應(yīng)
B.分解反應(yīng)
C.置換反應(yīng)
D.都不是

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硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC,上述反應(yīng)中,反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于( )
A.化合反應(yīng)
B.分解反應(yīng)
C.置換反應(yīng)
D.都不是

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