A.硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物?

B.硒難溶于水?

C.H₂S劇毒，H₂Se無毒?

D.硒與金屬、非金屬分界線相鄰，是良好的半導體材料?

氧族元素包括O、S、Se、Te等元素。下列關于硒及其化合物的敘述不正確的是(　　)?

A.硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物?

B.硒難溶于水?

C.H₂S劇毒，H₂Se無毒?

D.硒與金屬、非金屬分界線相鄰，是良好的半導體材料?

氧族元素包括O、S、Se、Te等元素。下列關于硒及其化合物的敘述不正確的是(　　)

1. A.
   硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物
2. B.
   硒難溶于水
3. C.
   H₂S劇毒，H₂Se無毒
4. D.
   硒與金屬、非金屬分界線相鄰，是良好的半導體材料

A．硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物

B．硒難溶于水

C．H₂S劇毒，H₂Se無毒

D．硒與金屬、非金屬分界線相鄰，是良好的半導體材料