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A．已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E。其中A、B、C是同一周期的非金屬元素�；�合物DC的晶體為離子晶體，D的二價(jià)陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)。AC₂為非極性分子。B、C的氫化物的沸點(diǎn)比它們同族相鄰周期元素氫化物的沸點(diǎn)高。E的原子序數(shù)為24，ECl₃能與B、C的氫化物形成六配位的配合物，且兩種配體的物質(zhì)的量之比為2∶1，三個(gè)氯離子位于外界。請(qǐng)根據(jù)以上情況，回答下列問題：（答題時(shí)，A、B、C、D、E用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）

（1）A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>                  。

（2）B的氫化物的分子空間構(gòu)型是             。其中心原子采取          雜化。

（3）寫出化合物AC₂的電子式             ；一種由B、C組成的化合物與AC₂互為等電子體，其化學(xué)式為              。

（4）E的核外電子排布式是              ，ECl₃形成的配合物的化學(xué)式為        。

（5）B的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的稀溶液與D的單質(zhì)反應(yīng)時(shí)，B被還原到最低價(jià)，該反應(yīng)的化學(xué)方程式是                                                 。

B．醇與氫鹵酸反應(yīng)是制備鹵代烴的重要方法。實(shí)驗(yàn)室制備溴乙烷和1-溴丁烷的反應(yīng)如下：

             NaBr+H₂SO₄HBr+NaHSO₄                 ①

             R-OH+HBrR-Br+H₂O                    ②

可能存在的副反應(yīng)有：醇在濃硫酸的存在下脫水生成烯和醚，Br^—被濃硫酸氧化為Br₂等。有關(guān)數(shù)據(jù)列表如下；

請(qǐng)回答下列問題：

（1）溴乙烷和1-溴丁烷的制備實(shí)驗(yàn)中，下列儀器最不可能用到的是        。（填字母）

a．圓底燒瓶    b．量筒    c．錐形瓶    d．布氏漏斗            

（2）溴代烴的水溶性        （填“大于”、“等于”或“小于”）；其原因是           

                                                             。

（3）將1-溴丁烷粗產(chǎn)品置于分液漏斗中加水，振蕩后靜置，產(chǎn)物在         （填“上層”、“下層”或“不分層”）。

（4）制備操作中，加入的濃硫酸必需進(jìn)行稀釋，起目的是            。（填字母）

a．減少副產(chǎn)物烯和醚的生成         b．減少Br₂的生成

c．減少HBr的揮發(fā)                 d．水是反應(yīng)的催化劑            

（5）欲除去溴代烷中的少量雜質(zhì)Br₂，下列物質(zhì)中最適合的是            。（填字母）

a．NaI    b．NaOH    c．NaHSO₃    d．KCl            

（6）在制備溴乙烷時(shí)，采用邊反應(yīng)邊蒸出產(chǎn)物的方法，其有利于                ；但在制備1-溴丁烷時(shí)卻不能邊反應(yīng)邊蒸出產(chǎn)物，其原因是                            。

（12分）
A．已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E。其中A、B、C是同一周期的非金屬元素�；�合物DC的晶體為離子晶體，D的二價(jià)陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)。AC₂為非極性分子。B、C的氫化物的沸點(diǎn)比它們同族相鄰周期元素氫化物的沸點(diǎn)高。E的原子序數(shù)為24，ECl₃能與B、C的氫化物形成六配位的配合物，且兩種配體的物質(zhì)的量之比為2∶1，三個(gè)氯離子位于外界。請(qǐng)根據(jù)以上情況，回答下列問題：（答題時(shí)，A、B、C、D、E用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）
（1）A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>                 。
（2）B的氫化物的分子空間構(gòu)型是            。其中心原子采取         雜化。
（3）寫出化合物AC₂的電子式            ；一種由B、C組成的化合物與AC₂互為等電子體，其化學(xué)式為             。
（4）E的核外電子排布式是             ，ECl₃形成的配合物的化學(xué)式為       。
（5）B的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的稀溶液與D的單質(zhì)反應(yīng)時(shí)，B被還原到最低價(jià)，該反應(yīng)的化學(xué)方程式是                                                。
B．醇與氫鹵酸反應(yīng)是制備鹵代烴的重要方法。實(shí)驗(yàn)室制備溴乙烷和1-溴丁烷的反應(yīng)如下：
NaBr+H₂SO₄HBr+NaHSO₄                ①
R-OH+HBrR-Br+H₂O                   ②
可能存在的副反應(yīng)有：醇在濃硫酸的存在下脫水生成烯和醚，Br^—被濃硫酸氧化為Br₂等。有關(guān)數(shù)據(jù)列表如下；

(08上海重點(diǎn)中學(xué)第二次聯(lián)考) 常溫下單質(zhì)硫主要以S₈形式存在。加熱時(shí)，S₈會(huì)轉(zhuǎn)化為S₆、S₄、S₂等。當(dāng)溫度達(dá)到

750℃時(shí)，硫蒸汽主要以S₂形式存在(占92%)。下列說法正確的是（）        

A．S₈轉(zhuǎn)化為S₆、S₄、S₂屬于物理變化    B．不論哪種硫分子，完全燃燒都生成SO₂

C．常溫條件下單質(zhì)硫?yàn)樵�子晶體           D．把硫單質(zhì)在空氣中加熱到750℃即得S₂

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機(jī)物，無機(jī)鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對(duì)太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應(yīng)25～35 min，效果良好。

回答下列問題

（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學(xué)方程式加以解釋                           ；

（2）寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式                                    ，對(duì)單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型，他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng)，首先是Si與OH^一反應(yīng)，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄。基于此原理分析反應(yīng)中氧化劑為                     。

（3）本校化學(xué)興趣小組同學(xué)，為驗(yàn)證Seidel的理論是否正確，完成以下實(shí)驗(yàn)：

結(jié)論：從實(shí)驗(yàn)上說明堿性水溶液條件下，H₂O可作                 劑；NaOH作               劑，降低反應(yīng)             。高溫?zé)o水環(huán)境下，NaOH作               劑。

（4）在太陽能電池表面沉積深藍(lán)色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷（SiH₄）與氨氣（NH₃）在等離子體中反應(yīng)。硅烷是一種無色、有毒氣體，常溫下與空氣和水劇烈反應(yīng)。下列關(guān)于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是                。

A．在使用硅烷時(shí)要注意隔離空氣和水，SiH₄能與水發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成H₂；

B．硅烷與氨氣反應(yīng)的化學(xué)方程式為：3SiH₄+4NH₃＝Si₃N₄+12H₂↑，反應(yīng)中NH₃作氧化劑；

C．它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能，化學(xué)穩(wěn)定性很好，不與任何酸、堿反應(yīng)；

D．氮化硅晶體中只存在共價(jià)鍵，Si₃N₄是優(yōu)良的新型無機(jī)非金屬材料。