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A、B、C、D、E、F、G均是原子序數(shù)小于36的元素。A的基態(tài)原子外圍電子排布式為3s²；B原子的L電子層的P能級(jí)上有一個(gè)空軌道； C元素的基態(tài)原子最外層有3個(gè)未成對(duì)電子，次外層有2個(gè)電子； D 的原子的2p軌道上有1個(gè)電子的自旋方向與其它電子的自旋方向相反；E是海水中除氫、氧元素外含量最多的元素；F和G在周期表中既處于同一周期又位于同一族，且原子序數(shù)F比G小2。
根據(jù)信息回答下列問(wèn)題：
（1）C的外圍電子排布圖為         。C與氫元素可分別形成含10個(gè)電子的分子、陰離子和陽(yáng)離子，陽(yáng)離子中中心原子的雜化類型為      ；
（2）用電子式表示化合物AE₂的形成過(guò)程         。
（3）F與BD易形成配合物F(BD)₅，在F(BD)₅中F的化合價(jià)為_(kāi)______；與BD分子互為等電子體的離子的化學(xué)式為　　　。
（4）E有多種含氧酸根①EO^- ②EO₂^- ③EO₃^- ④EO₄^-，其中空間構(gòu)型為四面體型的是    。（填序號(hào)）
（5）B、C、D、E原子兩兩相互化合形成的分子有多種，請(qǐng)列舉一種分子內(nèi)所有原子都滿足最外層8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的分子：_________(寫分子式)
(6) G的價(jià)電子排布式為         。GD晶體晶胞結(jié)構(gòu)為NaCl型， 晶胞邊長(zhǎng)為428 pm。
晶胞中兩個(gè)G原子之間的最短距離為_(kāi)__________m（精確至0.01）。由于晶體缺陷，晶體的化學(xué)式為 G_0.88D，若晶體中的G分別為G^2﹢、G^3﹢，此晶體中G^2﹢與G^3﹢的最簡(jiǎn)整數(shù)比為_(kāi)________。

A、B、C、D、E、F是周期表中的前20號(hào)元素，原子序數(shù)逐漸增大。A元素是宇宙中含量最豐富的元素，其原子的原子核內(nèi)可能沒(méi)有中子。B的基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道，且每種軌道中的電子總數(shù)相等;C元素原子最外層p能級(jí)比s能級(jí)多1個(gè)電子；D原子p軌道上成對(duì)電子數(shù)等于未成對(duì)電子數(shù);E的常見(jiàn)化合價(jià)為＋3;F最高正價(jià)與最低負(fù)價(jià)的代數(shù)和為4; G⁺的M層電子全充滿。用化學(xué)式或化學(xué)符號(hào)回答下列問(wèn)題：

（1）G的基態(tài)原子的外圍電子排布式為           ，周期表中F屬于        區(qū)。

（2）B與F形成的一種非極性分子的電子式為               ;F的一種具有強(qiáng)還原性的氧化物分子的VSEPR模型為                       

（3）BD₂在高溫高壓下所形成的晶胞如右圖所示。該晶體的類型屬于_______     

（選填“分子”、“原子”、“離子”或“金屬”）晶體

（4）設(shè)C元素的氣態(tài)氫化物為甲，最高價(jià)氧化物的水化物為乙，甲與乙反應(yīng)的產(chǎn)物為丙。常溫下，有以下3種溶液：①pH=11的甲的水溶液  ②pH=3的乙的水溶液  ③pH=3的丙溶液，3種溶液中水電離出的cH⁺之比為                        

（5）丁、戊分別是E、F兩種元素最高價(jià)含氧酸的鈉鹽，丁、戊溶液能發(fā)生反應(yīng)。當(dāng)丁、戊溶液以物質(zhì)的量之比為1:4混合后，溶液中各離子濃度大小順序?yàn)?u>                                                                         

（6）A和C形成的某種氯化物CA₂Cl可作殺菌劑，其原理為CA₂Cl遇水反應(yīng)生成一種具有強(qiáng)氧化性的含氧酸，寫出CA₂Cl與水反應(yīng)的化學(xué)方程式：___________________________                

（7）往G的硫酸鹽溶液中加入過(guò)量氨水，可生成一種配合物X，下列說(shuō)法正確的是___    __

A．X中所含化學(xué)鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵 

B．X中G²⁺給出孤對(duì)電子，NH₃提供空軌道

C．組成X的元素中第一電離能最大的是氧元素

D．SO₄^2-與PO₄^3-互為等電子體，空間構(gòu)型均為正四面體

A、B、C、D、E、F、G均是原子序數(shù)小于36的元素。A的基態(tài)原子外圍電子排布式為3s²；B原子的L電子層的P能級(jí)上有一個(gè)空軌道； C元素的基態(tài)原子最外層有3個(gè)未成對(duì)電子，次外層有2個(gè)電子； D 的原子的2p軌道上有1個(gè)電子的自旋方向與其它電子的自旋方向相反；E是海水中除氫、氧元素外含量最多的元素；F和G在周期表中既處于同一周期又位于同一族，且原子序數(shù)F比G小2。

根據(jù)信息回答下列問(wèn)題：

（1）C的外圍電子排布圖為         。C與氫元素可分別形成含10個(gè)電子的分子、陰離子和陽(yáng)離子，陽(yáng)離子中中心原子的雜化類型為      ；

（2）用電子式表示化合物AE₂的形成過(guò)程         。

（3）F與BD易形成配合物F(BD)₅，在F(BD)₅中F的化合價(jià)為_(kāi)______；與BD分子互為等電子體的離子的化學(xué)式為　　　。

（4）E有多種含氧酸根①EO^- ②EO₂^- ③EO₃^- ④EO₄^-，其中空間構(gòu)型為四面體型的是    。（填序號(hào)）

（5）B、C、D、E原子兩兩相互化合形成的分子有多種，請(qǐng)列舉一種分子內(nèi)所有原子都滿足最外層8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的分子：_________(寫分子式)

(6) G的價(jià)電子排布式為         。GD晶體晶胞結(jié)構(gòu)為NaCl型， 晶胞邊長(zhǎng)為428 pm。

晶胞中兩個(gè)G原子之間的最短距離為_(kāi)__________m（精確至0.01）。由于晶體缺陷，晶體的化學(xué)式為 G_0.88D，若晶體中的G分別為G^2﹢、G^3﹢，此晶體中G^2﹢與G^3﹢的最簡(jiǎn)整數(shù)比為_(kāi)________。

A、B、C、D、E、F、G均是原子序數(shù)小于36的元素。A的基態(tài)原子外圍電子排布式為3s²；B原子的L電子層的P能級(jí)上有一個(gè)空軌道； C元素的基態(tài)原子最外層有3個(gè)未成對(duì)電子，次外層有2個(gè)電子； D 的原子的2p軌道上有1個(gè)電子的自旋方向與其它電子的自旋方向相反；E是海水中除氫、氧元素外含量最多的元素；F和G在周期表中既處于同一周期又位于同一族，且原子序數(shù)F比G小2。

根據(jù)信息回答下列問(wèn)題：

（1）C的外圍電子排布圖為          。C與氫元素可分別形成含10個(gè)電子的分子、陰離子和陽(yáng)離子，陽(yáng)離子中中心原子的雜化類型為       ；

（2）用電子式表示化合物AE₂的形成過(guò)程          。

（3）F與BD易形成配合物F(BD)₅，在F(BD)₅中F的化合價(jià)為_(kāi)______；與BD分子互為等電子體的離子的化學(xué)式為　　　。

（4）E有多種含氧酸根①EO^-  ②EO₂^-  ③EO₃^-  ④EO₄^-，其中空間構(gòu)型為四面體型的是     。（填序號(hào)）

（5）B、C、D、E原子兩兩相互化合形成的分子有多種，請(qǐng)列舉一種分子內(nèi)所有原子都滿足最外層8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的分子：_________(寫分子式)

(6) G的價(jià)電子排布式為          。GD晶體晶胞結(jié)構(gòu)為NaCl型， 晶胞邊長(zhǎng)為428 pm。

晶胞中兩個(gè)G原子之間的最短距離為_(kāi)__________m（精確至0.01）。由于晶體缺陷，晶體的化學(xué)式為 G_0.88D，若晶體中的G分別為G^2﹢、G^3﹢，此晶體中G^2﹢與G^3﹢的最簡(jiǎn)整數(shù)比為_(kāi)________。