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不同的晶體:一般是:原子晶體>離子晶體>分子晶體. 例:金剛石>氯化鈉>干冰 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

[化學(xué)--選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]A、B、C、D、E、F為前四周期元素且原子序數(shù)依次增大,其中A含有3個能級,且每個能 級所含的電子數(shù)相同;C的最外層有6個運(yùn)動狀態(tài)不同的電子;D是短周期元素中電負(fù)性最 小的元素;E的最高價氧化物的水化物酸性最強(qiáng);F除最外層原子軌道處于半充滿狀態(tài),其余 能層均充滿電子.G元素與D元素同主族,且相差3個周期.
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(1)元素A、B、C的第一電離能由小到大的是
 
用元素符號表示).
(2)E的最高價含氧酸中E的雜化方式為
 

(3)F原子的外圍電子排布式為
 
,F(xiàn)的晶體中原子的堆積方式是如圖1中的
 
(填寫“甲”、“乙”或“丙”).
(4)DE,GE兩種晶體,都屬于離子晶體,但配位數(shù)不同,其原因是
 

(5)已知DE晶體的晶胞如圖2所示若將DE晶胞中的所有E離子去掉,并將D離子全部換為A原子,再在其中的4個“小 立方體”中心各放置一個A原子,且這4個“小立方體”不相鄰.位于“小立方體”中的A原 子與最近的4個A原子以單鍵相連,由此表示A的一種晶體的晶胞(已知A-A鍵的鍵長 為a cm,NA表示阿伏加德羅常數(shù)),則該晶胞中含有
 
個A原子,該晶體的密度是
 
 g?cm-3

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Ⅰ.A、B、C分別代表三種不同的短周期元素.A原子的最外層電子排布為ns1,B原子的價電子排布為ns2np2,C原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍.
(1)若A原子的最外層電子排布為1s1,則按原子軌道的重迭方式判斷,A與C形成的化合物中的共價鍵類型屬于
σ
σ
鍵,A與C所形成的化合物的熔沸點(diǎn)明顯高于A與C的同主族元素所形成的化合物的熔沸點(diǎn),其原因是
水分子之間存在氫鍵
水分子之間存在氫鍵

(2)當(dāng)n=2時,B與C形成的晶體屬于
分子
分子
晶體.當(dāng)n=3時,B與C形成的晶體中,B原子的雜化方式為
sp3
sp3
,微粒間的作用力是
共價鍵
共價鍵
;
Ⅱ.元素周期表中第四周期元素由于受3d電子的影響,性質(zhì)的遞變規(guī)律與短周期元素略有不同.第四周期過渡元素的明顯特征是形成多種多樣的配合物.
(3)CO可以和很多過渡金屬形成配合物,如羰基鐵[Fe(CO)5]、羰基鎳[Ni(CO)4].CO分子中C原子上有一對孤對電子,C、O原子都符合8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),CO的結(jié)構(gòu)式為
C≡O(shè)
C≡O(shè)
,與CO互為等電子體的離子為
CN-
CN-
(填化學(xué)式).
(4)第四周期元素的第一電離能隨原子序數(shù)的增大,總趨勢是逐漸增大的.鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
,Ga的第一電離能卻明顯低于Zn,原因是
Ga失去1個電子后內(nèi)層電子達(dá)到全充滿的穩(wěn)定狀態(tài),而Zn的4s容納2個電子、處于全滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,Zn第一電離能較高
Ga失去1個電子后內(nèi)層電子達(dá)到全充滿的穩(wěn)定狀態(tài),而Zn的4s容納2個電子、處于全滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,Zn第一電離能較高

(5)用價層電子對互斥理論預(yù)測H2Se和BBr3的立體結(jié)構(gòu),兩個結(jié)論都正確的是
d
d

a.直線形;三角錐形        b.V形;三角錐形
c.直線形;平面三角形      d.V形;平面三角形.

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(1)A元素的負(fù)一價離子和B元素的正一價離子的電子層結(jié)構(gòu)都與氬相同,A的離子結(jié)構(gòu)示意圖為         ,B元素名稱為            ;

(2)C元素基態(tài)原子的M層全充滿,N層沒有成對電子,只有一個未成對電子,C的元素基態(tài)原子的外圍電子排布式為             .

(3)D元素的原子序數(shù)為33,該元素原子的核外電子共有   種不同的運(yùn)動狀態(tài),此元素原子的核外電子排布式是                        

(4)N≡N的鍵能為942kJ·mol-1,N—N單鍵的鍵能為247kJ·mol-1,通過計(jì)算說明N2中的       鍵更穩(wěn)定(填“σ”或“π”)。

(5)下列4種物質(zhì)熔、沸點(diǎn)由高到低排列為           (填序號).

①金剛石  ②晶體鍺  ③晶體硅  ④金剛砂

 

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(1)A元素的負(fù)一價離子和B元素的正一價離子的電子層結(jié)構(gòu)都與氬相同,A的離子結(jié)構(gòu)示意圖為         ,B元素名稱為            ;
(2)C元素基態(tài)原子的M層全充滿,N層沒有成對電子,只有一個未成對電子,C的元素基態(tài)原子的外圍電子排布式為             .
(3)D元素的原子序數(shù)為33,該元素原子的核外電子共有   種不同的運(yùn)動狀態(tài),此元素原子的核外電子排布式是                        
(4)N≡N的鍵能為942kJ·mol-1,N—N單鍵的鍵能為247kJ·mol-1,通過計(jì)算說明N2中的       鍵更穩(wěn)定(填“σ”或“π”)。
(5)下列4種物質(zhì)熔、沸點(diǎn)由高到低排列為           (填序號).
①金剛石  ②晶體鍺  ③晶體硅  ④金剛砂

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A、B、C、D、E、F為前四周期元素且原子序數(shù)依次增大,其中A含有3個能級,且每個能級所含的電子數(shù)相同;C的最外層有6個運(yùn)動狀態(tài)不同的電子;D是短周期元素中電負(fù)性最小的元素;E的最高價氧化物的水化物酸性最強(qiáng);F除最外層原子軌道處于半充滿狀態(tài),其余能層均充滿電子。G元素與D元素同主族,且相差3個周期。

(1)元素A、B、C的第一電離能由小到大的是_______用元素符號表示)。

(2)E的最高價含氧酸中E的雜化方式為_______。

(3)F原子的外圍電子排布式為________________________________________,F(xiàn)的晶體中原子的堆積方式是下圖中的_______(填寫“甲”、“乙”或“丙”)。

(4)DE,GE兩種晶體,都屬于離子晶體,但配位數(shù)不同,其原因是______________________。

(5)已知DE晶體的晶胞如下圖所示:若將DE晶胞中的所有E離子去掉,并將D離子全部換為A原子,再在其中的4個“小立方體”中心各放置一個A原子,且這4個“小立方體”相鄰。位于“小立方體”中的A原子與最近的4個A原子以單鍵相連,由此表示A的一種晶體的晶胞(已知A — A鍵的鍵長acm, NA表示阿伏加德羅常數(shù)),則該晶胞中含有個    A原子,該晶體的密度是_____g/cm3。

 

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