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G和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式      。

從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為      。

（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為     ，微粒間存在的作用力是       。

（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為     （填元素符號），MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似，MO的熔點比CaO的高，其原因是     。

（4）C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO₂中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO：中Si與O原子間不形成上述π健。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π健          。

G和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。

（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式      。

從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為      。

（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為     ，微粒間存在的作用力是       。

（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為     （填元素符號），MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似，MO的熔點比CaO的高，其原因是     。

（4）C、Si為同一主族的元素，CO2和SiO2化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO：中Si與O原子間不形成上述π健。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π健          。

C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位．
（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式______．從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為______．
（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為______，微粒間存在的作用力是______．
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為______（填元素符號），MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似，MO的熔點比CaO的高，其原因是______．
（4）C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同．CO₂中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO₂中Si與O原子間不形成上述π�。畯脑�子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π健______．
（5）有A、B、C三種物質(zhì)，每個分子中都各有14個電子，其中A的分子屬于非極性分子，且只有非極性鍵；B的分子也屬于非極性分子，但既有非極性鍵，又有極性鍵；C的分子屬于極性分子．則可推出：A的電子式是______，B的結(jié)構(gòu)式是______．
（6）已知Si-Si鍵能為176kJ/mol，Si-O鍵能為460kJ/mol，O=O鍵能為497.3kJ/mol．則可計算出1mol硅與足量氧氣反應(yīng)時將放出______kJ的熱量．

（化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)）C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位．
（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式______．
從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為______．
（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為______，微粒間存在的作用力是______．
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為______（填元素符號）．MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似．MO的熔點比CaO的高，其原因是______．
（4）C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同．CO₂中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO₂中Si與O原子間不形成上述π�。畯脑�子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π鍵______．

（化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)）C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位．
（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式______．
從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為______．
（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為______，微粒間存在的作用力是______．
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為______（填元素符號）．MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似．MO的熔點比CaO的高，其原因是______．
（4）C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同．CO₂中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO₂中Si與O原子間不形成上述π�。畯脑�子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π鍵______．