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①Si+3HClSiHCl₃+H₂  ②SiHCl+H₂Si+3HCl

下列有關(guān)敘述錯(cuò)誤的是(    )

A.2個(gè)反應(yīng)都是氧化還原反應(yīng)                 B.2個(gè)反應(yīng)都是置換反應(yīng)

C.反應(yīng)①中Si是還原劑                         D.上述2個(gè)反應(yīng)互為可逆反應(yīng)

制造太陽(yáng)能電池需要高純度的硅。工業(yè)上由粗硅制高純度硅可能過(guò)以下反應(yīng)實(shí)現(xiàn)：（    ）

①      ②

下列有關(guān)敘述錯(cuò)誤的是

A．2個(gè)反應(yīng)都是氧化還原反應(yīng)          B．2個(gè)反應(yīng)都是置換反應(yīng)

C．反應(yīng)①Si是還原劑                 D．上述2個(gè)反應(yīng)互為可逆反應(yīng)

太陽(yáng)能的開(kāi)發(fā)和利用是21世紀(jì)的一個(gè)重要課題。

（1）利用儲(chǔ)能介質(zhì)儲(chǔ)存太陽(yáng)能的原理是：白天在太陽(yáng)光照射下，某種鹽熔化，吸收熱量，晚間熔鹽釋放出相應(yīng)能量，從而使室溫得以調(diào)節(jié)。已知如下表數(shù)據(jù)：

其中最適宜用作儲(chǔ)能介質(zhì)的是___________________。

A.CaCl₂·6H₂O                             B.Na₂SO₄·10H₂O

C.Na₂HPO₄·12H₂O                         D.Na₂S₂O₃·5H₂O

（2）制造太陽(yáng)能電池需要高純度的硅，工業(yè)上由粗硅制高純硅常通過(guò)以下反應(yīng)實(shí)現(xiàn)：

 關(guān)于上述條件下兩個(gè)反應(yīng)的敘述中不正確的是______________。

A.兩個(gè)反應(yīng)都是置換反應(yīng)

B.反應(yīng)①是放熱反應(yīng)

C.上述反應(yīng)是可逆反應(yīng)

D.兩個(gè)反應(yīng)都是氧化還原反應(yīng)、

（3）右圖是一種太陽(yáng)能熱水器的示意圖，陽(yáng)光照射到太陽(yáng)能集熱器上，將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化，圖中A是集熱器，B是儲(chǔ)水容器，C是供陰天時(shí)加熱的輔助電熱器。根據(jù)你對(duì)水的密度的認(rèn)識(shí)，你估計(jì)陽(yáng)光照射下水將沿________________（填“順”或“逆”）時(shí)針?lè)较蛄鲃?dòng)。