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對離子晶體而言.“NaCl 其實(shí)是個(gè)“最簡比例式 .以下關(guān)于NaCl晶體成分的表達(dá)式中比較合理的是 . (A)Na6Cl6 (B)Na6Cl (C)NaCl6 n 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

下列對離子晶體的描述不正確的是

A.離子晶體中都不存在單個(gè)的分子

B.一般說來,離子晶體的熔點(diǎn)較低,密度較小

C.固態(tài)不導(dǎo)電,熔融狀態(tài)時(shí)導(dǎo)電

D.離子間存在著較強(qiáng)的離子鍵

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大多數(shù)離子晶體易溶于______中,難溶于____(如汽油、煤油)中。當(dāng)把離子晶體放在水中時(shí),極性水分子對離子晶體中的離子產(chǎn)生______,使晶體中的離子克服了____而電離,變成在水中自由移動的________。

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下列敘述不正確的是( 。
A、原子晶體、離子晶體、金屬晶體、分子晶體中都一定存在化學(xué)鍵B、向煤中加入生石灰可減少對大氣的污染C、完全由非金屬元素組成的化合物可以形成離子化合物D、由氮?dú)鉃樵虾铣砂笔堑墓潭?/span>

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(2012?西安一模)已知A、B、C、D、E、F為元素周期表中原子序數(shù)依次增大的前20號元素,A與B;C、D與E分別位于同一周期.A原子L層上有2對成對電子,B、C、D的核外電子排布相同的簡單離子可形成一種C3DB6型離子晶體X,CE、FA為電子數(shù)相同的離子晶體.
(1)寫出A元素的基態(tài)原子價(jià)電子排布式
2s22p4
2s22p4
;F離子電子排布式
1s22s22p63s23p6
1s22s22p63s23p6

(2)寫出X的化學(xué)式
Na3AlF6
Na3AlF6

(3)試解釋工業(yè)冶煉D不以DE3而是以D2A3為原料的原因:
氯化鋁為分子晶體,氧化鋁為原子晶體,用氧化鋁冶煉鋁消耗能量大
氯化鋁為分子晶體,氧化鋁為原子晶體,用氧化鋁冶煉鋁消耗能量大

(4)CE、FA的晶格能分別為786KJ/mol l、3401KJ/mo,試分析導(dǎo)致兩者晶格能差異的主要原因是:
晶格能與離子的電荷呈正比,電荷越多,晶格能越大,鈣離子、氧離子電荷大于鈉離子、氯離子電荷
晶格能與離子的電荷呈正比,電荷越多,晶格能越大,鈣離子、氧離子電荷大于鈉離子、氯離子電荷

(5)F與B可形成離子化合物,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:F與B形成離子化合物的化學(xué)式為
CaF2
CaF2
;該離子化合物晶體的密度為a g/cm3,則晶胞的體積是
4×78g/mol
ag/cm3.6.02×1023/mol
4×78g/mol
ag/cm3.6.02×1023/mol
(只要求列出算式).

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(2011?商丘二模)[選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]已知A、B、C、D、E五種元素的核電荷數(shù)依次增大,除E為第四周期元素外,其余都是短周期元素,其中A、B、C是同一周期的非金屬元素,A元素最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的2倍,B元素基態(tài)原子的最外層有3個(gè)未成對電子,化合物DC的晶體為離子晶體,D的二價(jià)陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu),E元素的+3價(jià)離子的3d能級為半充滿狀態(tài).(答題時(shí)用ABCDE對應(yīng)的元素符號表示)
(1)A的氫化物A2H2分子的空間構(gòu)型為
直線形
直線形
,其中心原子采取的雜化形式為
SP
SP
,分子中含有
3
3
個(gè)σ鍵,
2
2
π鍵.
(2)寫出化合物DC的電子式
,E原子的核外電子排布式
1S22S22P63S23P63d64S2
1S22S22P63S23P63d64S2

(3)由E元素形成的金屬的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,則該晶胞中含有金屬原子的數(shù)目為
2
2

(4)化合物E(CO)5常溫下為液態(tài),熔點(diǎn)為-20.5℃,沸點(diǎn)為103℃,易溶于非極性溶劑,據(jù)此判斷E(CO)5晶體屬于
分子晶體
分子晶體
(填晶體類型).

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