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已知硼位于元素周期表的第2周期.第ЩA族.推測硼的最高價含氧酸的化學(xué)式不可能是( ) A.H2BO4 B.H3BO3 C.HBO2 D.H2B4O7 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

納米技術(shù)制成的金屬燃料、非金屬固體燃料、氫氣等已應(yīng)用到社會生活和高科技領(lǐng)域。單位質(zhì)量的A和B單質(zhì)燃燒時均放出大量熱,可用作燃料。已知A和B為短周期元素,其原子的第一至第四電離能如下表所示:

電離能(kJ/mol)

I1

I2

I3

I4

A

932

1821

15390

21771

B

738

1451

7733

10540

(1)某同學(xué)根據(jù)上述信息,推斷B的核外電子排布如右圖所示,

該同學(xué)所畫的電子排布圖違背了          。

(2)根據(jù)價層電子對互斥理論,預(yù)測A和氯元素形成的簡單分子空間構(gòu)型為  。

(3)氫氣作為一種清潔能源,必須解決它的儲存問題,C60可用作儲氫材料。已知金剛石中的C-C的鍵長為154.45pm,C60中C-C鍵長為145~140pm,有同學(xué)據(jù)此認(rèn)為C60的熔點(diǎn)高于金剛石,你認(rèn)為是否正確   (填是、否),并闡述理由            。

(4)科學(xué)家把C60和鉀摻雜在一起制造了一種富勒烯化合物, 其晶胞如圖所示,該物質(zhì)在低溫時是一種超導(dǎo)體。寫出基態(tài)鉀原子的價電子排布式         ,該物質(zhì)的K原子和C60分子的個數(shù)比為     

(5)繼C60后,科學(xué)家又合成了Si60、N60,C、Si、N原子電負(fù)性由大到小的順序是      。Si60分子中每個硅原子只跟相鄰的3個硅原子形成共價鍵,且每個硅原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),則Si60分子中π鍵的數(shù)目為   。

(6) 晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元是由硼原子組成的正二十面體的原子晶體。其中含有20個等邊三角形和一定數(shù)目的頂角,每個頂角各有一個原子,試觀察圖形回答:這個基本結(jié)構(gòu)單元由_____個硼原子組成,共含有________個B-B鍵。

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(2013?青島一模)[化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代.第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池.完成下列填空:
(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時的電子排布式為
[Ar]3d10
[Ar]3d10
;
(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序為
Br>As>Se
Br>As>Se
 (用元素符號表示),用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋
As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大;Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大
As、Se、Br原子半徑依次減小,原子核對外層電子的吸引力依次增強(qiáng),元素的第一電離能依次增大;Se原子最外層電子排布為4s24p4,而As原子最外層電子排布為4s24p3,p電子排布處于半充滿狀態(tài),根據(jù)洪特規(guī)則特例可知,半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定,所以As元素的第一電離能比Se大
;
(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價電子數(shù)少于價層軌道數(shù)),其化合物可與具有孤對電子的分子或離子生成加合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3?NH3. BF3?NH3中B原子的雜化軌道類型為
sp3
sp3
,B與N之間形成
配位
配位
鍵;
(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);在SiC中,每個C原子周圍最近的C原子數(shù)目為
12
12

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太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGS(CIS中摻人Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。

(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是___      

(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序為    (用元素符號表示)。

(3)H2Se的酸性比H2S____(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為____     。

(4)硅烷(SinH2n+2)的沸點(diǎn)與其相對分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示,呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是     

(5)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B(OH)4]而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì),則[B(OH)4]中B的原子雜化類型為                   。

(6)金屬Cu單獨(dú)與氨水或單獨(dú)與過氧化氫都不能反應(yīng),但可與氨水和過氧化氫的混合溶液反應(yīng),其原因是____,反應(yīng)的離子方程式為            

(7)一種銅金合金晶體具有面心立方最密堆積的結(jié)構(gòu)。在晶脆中,Au原子位于頂點(diǎn),Cu原子位于面心,則該合金中Au原子與Cu原子個數(shù)之比為      ,若該晶胞的邊長為a pm,則合金的密度為     g·cm-3(已知lpm=10-12m,只要求列算式,不必計算出數(shù)值,阿伏加塞羅常數(shù)為NA)。

 

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太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGS(CIS中摻人Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是___      。
(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序為   (用元素符號表示)。
(3)H2Se的酸性比H2S____(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為____    。
(4)硅烷(SinH2n+2)的沸點(diǎn)與其相對分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示,呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是     。

(5)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B(OH)4]而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì),則[B(OH)4]中B的原子雜化類型為                  。
(6)金屬Cu單獨(dú)與氨水或單獨(dú)與過氧化氫都不能反應(yīng),但可與氨水和過氧化氫的混合溶液反應(yīng),其原因是____,反應(yīng)的離子方程式為            
(7)一種銅金合金晶體具有面心立方最密堆積的結(jié)構(gòu)。在晶脆中,Au原子位于頂點(diǎn),Cu原子位于面心,則該合金中Au原子與Cu原子個數(shù)之比為     ,若該晶胞的邊長為a pm,則合金的密度為    g·cm-3(已知lpm=10-12m,只要求列算式,不必計算出數(shù)值,阿伏加塞羅常數(shù)為NA)。

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太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGs(CIS中摻入Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。

(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時的價電子排布式表示為               

(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序為    (用元素符號表示)。

(3)Cu晶體的堆積方式是          (填堆積名稱),其配位數(shù)為        ;往Cu的硫酸鹽溶液中加入過量氨水,可生成[Cu(NH3)4]SO4,下列說法正確的是_____

A.[Cu (NH3)4]SO4中所含的化學(xué)鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵

B.在[Cu(NH3)4 ]2+中Cu2+給出孤對電子,NH3提供空軌道

C.[Cu (NH3)4]SO4組成元素中第一電離能最大的是氧元素

D.SO42-與PO43-互為等電子體,空間構(gòu)型均為正四面體

(4)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)溶于水顯弱酸性,但它卻只是一元酸,可以用硼酸在水溶液中的電離平衡解釋它只是一元弱酸的原因。

①H3BO3中B的原子雜化類型為          ;

②寫出硼酸在水溶液中的電離方程式          。

(5)硅與碳是同一主族元素,其中石墨為混合型晶體,已知石墨的層 間距為335pm,C-C鍵長為142pm,計算石墨晶體密度(要求寫出計算過程,得出結(jié)果保留三位有效數(shù)字,NA為6.02×1023mol-1

 

 

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