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11．制備單質(zhì)硅的主要化學(xué)反應(yīng)如下: ① , ② , ③,下列對(duì)上述三個(gè)反應(yīng)的敘述中不正確的是( ) A．①③為置換反應(yīng) B．①②③均為氧化還原反應(yīng) C．③中是氧化劑 D．三個(gè)反應(yīng)的反應(yīng)物中的硅元素均被還原【查看更多】

制備單質(zhì)硅時(shí)，主要化學(xué)反應(yīng)如下：①SiO₂+2CSi+2CO↑；②Si+2Cl₂SiCl₄；③SiCl₄+2H₂Si+4HCl。下列對(duì)上述三個(gè)反應(yīng)的敘述中，不正確的是(　　)

A.①③為置換反應(yīng)

B.①②③均為氧化還原反應(yīng)

C.②為化合反應(yīng)

D.三個(gè)反應(yīng)的反應(yīng)物中硅元素均被氧化

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硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣．三氯硅烷（SiHCl₃）還原法是目前工業(yè)制高純度硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程如下圖：

根據(jù)題意完成下列備題：
（1）硅在元素周期表的位置

，其最外層有

種能量不同的電子．
（2）硅的氣態(tài)氫化物為SiH₄，其空間構(gòu)型為

；三氯硅烷中某些元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性

＞

（填化學(xué)式）．
（3）寫(xiě)出三氯硅烷與氫氣反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)方程式：

．
（4）自然界中硅酸鹽種類(lèi)多，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，通常用二氧化硅和金屬氧化物的形式來(lái)表示其組成．如正長(zhǎng)石（KALSi₃O₈），氧化物形式為：

．

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（16分）硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl₃）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

（1）在制粗硅的反應(yīng)中，焦炭的作用是。

（2）整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水、無(wú)氧。

①SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式　　　　；②H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混O₂，可能引起的后果是。

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫(xiě)出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋　　　　。

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硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。
三氯甲硅烷(SiHCl₃)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

①寫(xiě)出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式                                 。
②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式                                             ；
H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混入O₂，可能引起的后果是
                                                                            。
(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是        (填字母)。