原子核外第M層電子層是指

1. A.
   第三層
2. B.
   第二層
3. C.
   第一層
4. D.
   第四層

VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題：

（1）S單質(zhì)的常見形式為S₈，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是______；

（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_____；

（3）Se原子序數(shù)為______，其核外M層電子的排布式為______；

（4）H₂Se的酸性比H₂S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO₃分子的立體構(gòu)型為______平面三角形，SO₃^2－離子的立體構(gòu)型為______三角錐形；

（5）H₂SeO₃的K₁和K₂分別為2.7×10^－3和2.5×10^－8，H₂SeO₄第一步幾乎完全電離，K₂為1.2×10^－2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：

①H₂SeO₃和H₂SeO₄第一步電離程度大于第二步電離的原因：                    ；第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子；

②H₂SeO₄比H₂SeO₃酸性強(qiáng)的原因：______；

（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm，密度為____________(列式并計(jì)算)，a位置S^2－離子與b位置Zn^2＋離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。