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元素的分區(qū)和族
（1）s 區(qū)： ，最后的電子填在_______上，包括_________，屬于活潑金屬，為堿金屬和堿土金屬；
（2）p區(qū)：；最后的電子填在_______上，包括_______族元素，為非金屬和少數(shù)金屬；
（3）d區(qū)：，最后的電子填在_______上，包括_______族元素，為過渡金屬；
（4）ds區(qū)： ， (n-1)d全充滿， 最后的電子填在_______上，包括_______，過渡金屬(d和ds區(qū)金屬合起來，為過渡金屬)；
（5）f區(qū)：，包括_______元素，稱為內(nèi)過渡元素或內(nèi)過渡系。

（2012?岳陽二模）現(xiàn)有七種元素，其中A、B、C、D、E為短周期主族元素，F(xiàn)、G為第四周期元素，它們的原子序數(shù)依次增大．請根據(jù)下列相關(guān)信息，回答問題．

A元素的核外電子數(shù)和電子層數(shù)相等，也是宇宙中最豐富的元素

B元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1

C原子的第一至第四電離能分別是： I1=738kJ/mol  I2=1451kJ/mol  I3=7733kJ/mol  I4=10540kJ/mol

D原子核外所有p軌道全滿或半滿

E元素的主族序數(shù)與周期數(shù)的差為4

F是前四周期中電負(fù)性最小的元素

G在周期表的第七列

（1）已知BA₅為離子化合物，寫出其電子式．
（2）B基態(tài)原子中能量最高的電子，其電子云在空間有個(gè)方向，原子軌道呈形
（3）某同學(xué)根據(jù)上述信息，推斷C基態(tài)原子的核外電子排布如圖：該同學(xué)所畫的電子排布圖違背了．
（4）G位于族區(qū)，價(jià)電子排布式為．
（5）DE₃中心原子的雜化方式為，用價(jià)層電子對互斥理論推測其空間構(gòu)型為．
（6）檢驗(yàn)F元素的方法是，請用原子結(jié)構(gòu)的知識解釋產(chǎn)生此現(xiàn)象的原因是．
（7）若某單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖甲所示，其晶胞特征如圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖丙所示．則晶胞中該原子的配位數(shù)為，該單質(zhì)晶體中原子的堆積方式為四種基本模式中的．

（2011?石景山區(qū)一模）短周期主族元素A、B、C、D、E，原子序數(shù)依次增大，A元素的單質(zhì)常溫常壓下是最輕的氣體，B元素所形成化合物種類最多，C的最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物甲與其氣態(tài)氫化物乙能夠化合形成鹽丙；D元素的離子半徑是同周期元素形成的簡單離子中最小的．
（1）已知相關(guān)物質(zhì)之間存在如下變化：

①丁與乙和水反應(yīng)生成戊和丙的離子方程式為，由物質(zhì)己電解得到單質(zhì)D的化學(xué)方程式為；
②0.1mol/L的丙溶液中所含離子濃度由大到小排列順序?yàn)?!--BA-->；常溫下，為使丙溶液中由丙電離的陰、陽離子濃度相等，應(yīng)向溶液中加入一定量的乙的水溶液至．
（2）已知E及其化合物有以下變化：

寫出單質(zhì)E與化合物Z在一定條件下反應(yīng)生成X和水的化學(xué)方程式_，由A、B、C、D、E5種元素中的兩種元素，可形成既含極性鍵又含非極性鍵的18電子的分子，該分子的分子式為（任寫一個(gè)即可）．
（3）C有多種氧化物，其中之一是一種無色氣體，在空氣中迅速變成紅棕色，在一定條件下，2L的該無色氣體與0.5L的氧氣相混合，若該混合氣體被足量的NaOH溶液完全吸收后沒有氣體殘留，所生成的C的含氧酸鹽的化學(xué)式是．

請回答下列問題：

（1）S單質(zhì)的常見形式為S₈，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是．
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量．Mg與Al原子的第一電離能大到小的順序?yàn)?!--BA-->；O與F電負(fù)性大到小的順序?yàn)?!--BA-->．（用＜或=或＞表示）
（3）34號元素的價(jià)層電子的電子排布圖為，在周期表位于區(qū)；Mn²⁺基態(tài)的電子排布式為．
（4）氣態(tài)SO₂分子的立體構(gòu)型為；SO₃^2-離子的立體構(gòu)型為（均用文字描述）
（5）H₂SeO₃的K₁和K₂分別為2.7×10^-3和2.5×10^-8，H₂SeO₄第一步幾乎完全電離，K₂為1.2×10^-2，請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋；
①H₂SeO₄和H₂SeO₃第一步電離程度大于第二部電離的原因：；
②H₂SeO₄比H₂SeO₃酸性強(qiáng)的原因：；
（6）向CuSO₄溶液中加入過量NaOH溶液可生成[Cu（OH）₄]^2-．不考慮空間構(gòu)型，[Cu（OH）₄]^2-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為．
（7）Cu元素的一種氯化物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，該氯化物的化學(xué)式是．