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2.下列金屬氧化物中.不能用碳還原制得金屬單質(zhì)的是( ). A.MgO B.Al2O3 C.Fe2O3 D.CuO 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

下列金屬氧化物中,不能用碳還原制得金屬單質(zhì)的是

[  ]

A.MgO
B.
C.
D.CuO

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下列金屬氧化物中,不能用碳還原制得金屬單質(zhì)的是

[  ]

A.MgO
B.
C.
D.CuO

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下列金屬氧化物中,不能用碳還原制得金屬單質(zhì)的是

[  ]

A.MgO
B.
C.
D.CuO

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鐵是應(yīng)用最廣泛的金屬,工業(yè)上常采用熱還原法制備鐵。

(1)工業(yè)高爐煉鐵采用焦炭、鐵礦石等于高爐中共熱,并鼓入適量空氣,讓高溫下產(chǎn)生的CO氣體還原鐵礦石制得鐵。這種方法不可避免地混入了非金屬單質(zhì)——碳。純鐵的抗腐蝕能力相當(dāng)強(qiáng),而鐵碳合金卻易發(fā)生電化腐蝕。

①寫出鋼鐵發(fā)生吸氧腐蝕時(shí)的正極反應(yīng)____________________________________。

②為保護(hù)鋼鐵制品不被腐蝕,可采用的電化學(xué)防護(hù)方法是(答出一種電化學(xué)防護(hù)方法的名稱)____________________________________。

(2)焊接無縫鋼軌時(shí)常采用鋁熱反應(yīng)制備鐵,中學(xué)教材中也有Al和Fe2O3的鋁熱反應(yīng)實(shí)驗(yàn)。

①有人推測(cè),鋁熱反應(yīng)實(shí)驗(yàn)中所得熔融物中可能混有Al。若用一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)驗(yàn)證明含Al,則應(yīng)選用的試劑是____________,能證明含鋁的現(xiàn)象是__________________________。

②若經(jīng)實(shí)驗(yàn)證實(shí)熔融物含鋁,欲將該熔融物完全溶解,下列試劑中最適宜的是____________(填序號(hào))。

A.濃硫酸                                            B.稀硫酸

C.稀HNO3                                          D.NaOH溶液

③實(shí)驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn),硝酸發(fā)生氧化還原反應(yīng)時(shí),硝酸的濃度越稀,對(duì)應(yīng)還原產(chǎn)物中氮元素的化合價(jià)越低,直到還原成銨根離子()。某同學(xué)取一定量熔融物與一定量很稀的硝酸充分反應(yīng),反應(yīng)過程中無氣體放出。在反應(yīng)結(jié)束后的溶液中逐滴加入4 mol·L-1的NaOH溶液,所加NaOH溶液的體積(mL) 與產(chǎn)生沉淀的物質(zhì)的量(mol)的關(guān)系如圖所示:

試回答下列問題:

Ⅰ.圖中DE段沉淀的物質(zhì)的量沒有變化,此段發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為_________________。

Ⅱ.通過圖象判斷溶液中的離子結(jié)合OH-能力最強(qiáng)的是________________,最弱的是________________。

Ⅲ.EF段反應(yīng)的離子方程式是________________,A與B 的差值是________________mol。

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晶體硅是一種重要的非金屬材料.請(qǐng)寫出晶體硅的二種用途:
計(jì)算機(jī)芯片
計(jì)算機(jī)芯片
、
太陽能電池
太陽能電池
.制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3(常溫下為液態(tài),易揮發(fā))
③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅.
已知:
Ⅰ.SiHCl3水解會(huì)生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物,請(qǐng)寫出其水解的化學(xué)方程式:
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑
SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑

Ⅱ.SiHCl3 在空氣中自燃.請(qǐng)回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑
SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑

(2)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)

①裝置B中的試劑是
濃H2SO4
濃H2SO4
,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是
使SiHCl3氣化
使SiHCl3氣化
;
②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si+3HCl
;
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及
先通一段時(shí)間H2,將裝置中的空氣排盡
先通一段時(shí)間H2,將裝置中的空氣排盡
;
④設(shè)計(jì)鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法:
取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解,再滴加氯水和KSCN(aq),若出現(xiàn)紅色說明含F(xiàn)e,若不出現(xiàn)紅色說明不含F(xiàn)e.
取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解,再滴加氯水和KSCN(aq),若出現(xiàn)紅色說明含F(xiàn)e,若不出現(xiàn)紅色說明不含F(xiàn)e.

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