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5.金屬的下列性質(zhì)中和金屬晶體無關(guān)的是( ) A. 良好的導(dǎo)電性 B 反應(yīng)中易失電子 C 良好的延展性 D.良好的導(dǎo)熱性 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

金屬的下列性質(zhì)和金屬晶體無關(guān)的是

[  ]

A.

良好的導(dǎo)電性

B.

反應(yīng)中易失電子

C.

良好的延展性

D.

良好的導(dǎo)熱性

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金屬的下列性質(zhì)和金屬晶體無關(guān)的是

A.

良好的導(dǎo)電性

B.

反應(yīng)中易失電子

C.

良好的延展性

D.

良好的導(dǎo)熱性

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金屬的下列性質(zhì)中和金屬晶體無關(guān)的是
[     ]
A.良好的導(dǎo)電性
B.反應(yīng)中易失電子
C.良好的延展性
D.良好的導(dǎo)熱性

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《化學(xué)與生活》
(1)良好的生態(tài)環(huán)境可以提升生活質(zhì)量.
①近兩年來,全國多個省市出現(xiàn)嚴(yán)重的霧霾天氣.導(dǎo)致霧霾形成的主要污染物是
 
(選填字母).
a.SO2         b.NO2         c.CO2          d.PM2.5
②以下物質(zhì)垃圾不屬于“精英家教網(wǎng)”標(biāo)志的是
 
(選填字母).
a.廢報(bào)紙         b.廢鋁制的易拉罐       c.煙蒂、渣土
③綜合利用“地溝油”的一種方法是將它水解以獲取高級脂肪酸和
 
(填名稱).
(2)人體健康與食品、藥物等關(guān)系密切.
①生活中應(yīng)合理地?cái)z取人體必需的元素,體內(nèi)
 
元素含量過高或過低,會引起甲狀腺疾。嗝顾剡m合治療的疾病是
 
(選填字母).
a.感冒發(fā)燒          b.細(xì)菌感染          c.胃酸過多
②小蘇打可用來治療胃酸過多,請寫出該反應(yīng)的離子方程式:
 

③維生素C是生命活動的重要物質(zhì).在氯化鐵溶液中加入維生素C后,溶液由黃色轉(zhuǎn)變?yōu)闇\綠色,說明維生素C具有較強(qiáng)的
 
性.
④糖類、油脂、蛋白質(zhì)都是人體必需的營養(yǎng)物質(zhì).其中蛋白質(zhì)被攝入人體后,在酶的作用下水解為
 
(寫名稱).
(3)材料是人類賴以生存和發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ).
①在下列材料中,屬于無機(jī)非金屬材料的是
 
(選填字母).
a.硬幣       b.聚氯乙烯塑料      c.氮化硅陶瓷
②硅酸鹽水泥是常用的建筑材料,它主要是以
 
 和黏土為原料制成.
③晶體硅是半導(dǎo)體材料,二氧化硅是光纖的主要成分,晶體硅和二氧化硅都屬于
 
(選填“離子”、“分子”或“原子”)晶體.
④橡膠是制造輪胎的重要原料,天然橡膠通過硫化處理,使它的分子轉(zhuǎn)化為
 
結(jié)構(gòu),從而增大橡膠的強(qiáng)度.
⑤鋼鐵的生產(chǎn)與使用是人類文明和生活進(jìn)步的一個重要標(biāo)志.工業(yè)煉鐵原理的主要化學(xué)反應(yīng)方程式為
 

鋼鐵的腐蝕主要是由
 
腐蝕造成的.鋼鐵發(fā)藍(lán)是金屬防腐的常見方法之一,其原理是在表面形成一層致密的氧化膜.現(xiàn)有經(jīng)發(fā)藍(lán)處理后的鐵釘,請用實(shí)驗(yàn)證明其表面有一層致密的氧化膜,寫出操作步驟及實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象(提供的試劑有:稀硫酸、硫酸銅溶液及蒸餾水):
 

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(14分)元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途,請根據(jù)周期表中第三周期元素相關(guān)知識回答下列問題:
(1)按原子序數(shù)遞增的順序(稀有氣體除外),以下說法正確的是               。
a.原子序數(shù)和離子半徑均減小              b.金屬性減弱,非金屬性增強(qiáng)
c.氧化物對應(yīng)的水合物堿性減弱,酸性增強(qiáng)  d.單質(zhì)的熔點(diǎn)降低
(2)原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素名稱為           ,氧化性最弱的簡單陽離子是   
(3)已知:

化合物
MgO
Al2O3
MgCl2
AlCl3
類型
離子化合物
離子化合物
離子化合物
共價(jià)化合物
熔點(diǎn)/℃
2800
2050
714
191
 
工業(yè)制鎂時(shí),電解MgCl2而不電解MgO的原因是                           ;制鋁時(shí),電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是                                                 。
(4)晶體硅(熔點(diǎn)1410℃)是良好的半導(dǎo)體材料。由粗硅制純硅過程如下:

寫出SiCl4的電子式:            ;在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中,測得每生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量,寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:                                 。
(5)P2O5是非氧化性干燥劑,下列氣體不能用濃硫酸干燥,可用P2O5干燥的是          
a. NH3        b. HI        c. SO2      d . CO2
(6)KClO3可用于實(shí)驗(yàn)室制O2,若不加催化劑,400℃時(shí)分解只生成兩種鹽,其中一種是無氧酸鹽,另一種鹽的陰陽離子個數(shù)比為1:1。寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式:                                   。     

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