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下圖是Na.Cu.Si.H.C.N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序.其中c.d均是熱和電的良導(dǎo)體. (1)請(qǐng)寫出上圖中d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式 . (2)單質(zhì)a.b.f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1:1:1形成的分子中含 個(gè)鍵. 個(gè)鍵. (3)a與b的元素形成的10電子中性分子X的空間構(gòu)型為 ,將X溶于水后的溶液滴入到含d元素高價(jià)離子的溶液中至過量.生成的含d元素離子的化學(xué)式為 .其中X與d的高價(jià)離子之間以 鍵組合. (4)下列是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu):請(qǐng)簡要說明該物質(zhì)易溶于水的原因 . 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

(1)請(qǐng)寫出上圖中d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式       。

(2)單質(zhì)a、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1 :1形成的分子(相同條件下對(duì)H2的相對(duì)密度為13)中含    個(gè)鍵和    個(gè)鍵。

(3)a與b的元素形成的10電子中性分子X的空間構(gòu)型為                  ;將X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至過量,得到絡(luò)離子的化學(xué)式為              ,其中X與Ag之間以           鍵結(jié)合。

(4)下圖是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu):請(qǐng)簡要說明該物質(zhì)易溶于水的兩個(gè)數(shù)原因                  。

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下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

(1)請(qǐng)寫出上圖中d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式      

(2)單質(zhì)a、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1 :1形成的分子(相同條件下對(duì)H2的相對(duì)密度為13)中含    個(gè)鍵和    個(gè)鍵。

(3)a與b的元素形成的10電子中性分子X的空間構(gòu)型為                 ;將X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至過量,得到絡(luò)離子的化學(xué)式為             ,其中X與Ag之間以           鍵結(jié)合。

(4)下圖是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu):請(qǐng)簡要說明該物質(zhì)易溶于水的兩個(gè)數(shù)原因                 

 

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下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良
導(dǎo)體。下列判斷不正確的是

A.e、f單質(zhì)晶體熔化時(shí)克服的是共價(jià)鍵
B.d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式:1s22s22p63s23p2
C.b元素形成的最高價(jià)含氧酸易與水分子之間形成氫鍵       
D.單質(zhì)a、b、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1∶1∶1形成的分子中含2個(gè)σ鍵,2個(gè)π鍵

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下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

(1)請(qǐng)寫出上圖中d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式      
(2)單質(zhì)a、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1 :1形成的分子(相同條件下對(duì)H2的相對(duì)密度為13)中含   個(gè)鍵和   個(gè)鍵。
(3)a與b的元素形成的10電子中性分子X的空間構(gòu)型為                 ;將X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至過量,得到絡(luò)離子的化學(xué)式為             ,其中X與Ag之間以          鍵結(jié)合。
(4)下圖是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu):請(qǐng)簡要說明該物質(zhì)易溶于水的兩個(gè)數(shù)原因                 。

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下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良

導(dǎo)體。下列判斷不正確的是

A.e、f單質(zhì)晶體熔化時(shí)克服的是共價(jià)鍵

B.d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式:1s22s22p63s23p2

C.b元素形成的最高價(jià)含氧酸易與水分子之間形成氫鍵       

D.單質(zhì)a、b、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1∶1∶1形成的分子中含2個(gè)σ鍵,2個(gè)π鍵

 

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