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質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具，它的構(gòu)造原理如圖所示，離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可看作為零），經(jīng)加速電場加速后垂直進入有界勻強磁場，到達記錄它的照相底片P上，設(shè)離子在P上的位置到入口處S₁的距離為x，則下列判斷正確的是（　�。�

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具，它的構(gòu)造原理如圖所示．離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可看作為零），經(jīng)加速電場（加速電場極板間的距離為d、電勢差為U）加速，然后垂直進入磁感應(yīng)強度為B的有界勻強磁場中做勻速圓周運動，最后到達記錄它的照相底片P上．設(shè)離子在P上的位置與人口處S₁之間的距離為x．
（1）求該離子的比荷衛(wèi)

q

m

．
（2）若離子源產(chǎn)生的是帶電量為q、質(zhì)量為m₁和m₂的同位素離子（m₁＞m₂），它們分別到達照相底片上的P₁、P₂位置（圖中末畫出），求P₁、P₂間的距離△x．
（3）若第（2）小題中兩同位素離子同時進入加速電場，求它們到達照相底片上的時間差△t（磁場邊界與靠近磁場邊界的極板間的距離忽略不計）．

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具，它的構(gòu)造原理如圖所示，離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可看作零），經(jīng)加速電場加速后垂直進入有界勻強磁場，到達照相底片P上，設(shè)離子在P上的位置到入口處S₁的距離為x，則離子的比荷

q

m

與x關(guān)系，下列那一幅正確（　�。�

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具，它的構(gòu)造原理如圖所示，離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（電量為q，速度可看作為零），經(jīng)加速電場電壓U加速后垂直進入有界勻強磁場，到達記錄它的照相底片P上，設(shè)離子在P上的位置到入口處S₁的距離為x，不計離子重力，則下列說法正確的是（　�。�

質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具，在科學(xué)研究中具有重要應(yīng)用．如圖所示是質(zhì)譜儀工作原理簡圖，電容器兩極板相距為d，兩端電壓為U，板間勻強磁場磁感應(yīng)強度為B₁，一束帶電量均為q的正電荷粒子從圖示方向射入，沿直線穿過電容器后進入另一勻強磁場B₂，結(jié)果分別打在a、b兩點，測得兩點間的距離為△R，由此可知，打在兩點的粒子質(zhì)量差為△m=．（粒子重力不計）