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質(zhì)子進(jìn)入磁場(chǎng)中.在v0方向的總位移.時(shí)間為 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

精英家教網(wǎng)如圖所示,電子源每秒發(fā)射2.5×1013個(gè)電子,電子以V0=8.0×106m/s的速度穿過(guò)P板上A孔,從M、N兩平行板正中央進(jìn)入兩板間,速度方向平行于板M且垂直于兩板間的勻強(qiáng)磁場(chǎng),兩極板M、N間電壓始終為UMN=80.0V,兩板距離d=1.0×10-3m.電子在板M、N間做勻速直線運(yùn)動(dòng)后進(jìn)入由C、D兩平行板組成的已充電的電容器中,電容器電容為8.0×10-8F,電子打到D板后就留在D板上.在t1=0時(shí)刻,D板電勢(shì)較C板的電勢(shì)高818V,在t2=T時(shí)刻,開(kāi)始有電子打到M板上.已知電子質(zhì)量m=9.1×10-31㎏、電荷量e=1.6×10-19C,兩板C、P均接地,電子間不會(huì)發(fā)生碰撞(忽略電子的重力和電子間的相互作用力).求:
(1)兩極板M、N間勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B;
(2)T時(shí)刻打到M板上每個(gè)電子的動(dòng)能Ek(以eV為單位);
(3)最終到達(dá)D板的電子總數(shù)n;
(4)在t3=
3T5
時(shí)刻,每個(gè)電子到達(dá)D板時(shí)的速度v.(保留兩位有效數(shù)字)

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如圖所示,電子源每秒鐘發(fā)射2.5×1013個(gè)電子,電子以v0=8.0×106m/s的速度穿過(guò)P板上A孔,從M、N兩平行板正中央進(jìn)入兩板間,速度方向平行于板M且垂直于兩板間的勻強(qiáng)磁場(chǎng),兩極板M、N間電壓始終為UMN=80.0V,兩板距離d=1.00×10-3m,電子在板M、N間做勻速直線運(yùn)動(dòng)后進(jìn)入由C、D兩平行板組成的已充電的電容器上,電容器電容為C=8.0×10-8F,電子打到D板后就留在D板上.在t1=0時(shí)刻,D板電勢(shì)較C板的電勢(shì)高818V,在t1=T時(shí)刻,開(kāi)始有電子打到M板上,已知電子質(zhì)量m=9.1×10-31kg、電荷量e=1.6×10-19C,兩板C、P均接地,電子間不會(huì)發(fā)出碰撞(忽略電子所受的重力).求:
(1)兩極板M、N間勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B;
(2)T時(shí)刻打到M板上每個(gè)電子的動(dòng)能EK(以eV為單位);
(3)最終到達(dá)D板的電子總數(shù)n.

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精英家教網(wǎng)如圖所示,電子源每秒鐘發(fā)射2.5×1013個(gè)電子,電子以v0=8.0×106m/s的速度穿過(guò)P板上A孔,從M、N兩平行板正中央進(jìn)入兩板間,速度方向平行于板M且垂直于兩板間的勻強(qiáng)磁場(chǎng),兩極板M、N間電壓始終為UMN=80.0V,兩板距離d=1.00×10-3m,電子在板M、N間做勻速直線運(yùn)動(dòng)后進(jìn)入由C、D兩平行板組成的已充電的電容器中,電容器電容為8.0×10-8F,電子打到D板后就留在D板上.在t1=0時(shí)刻,D板電勢(shì)較C板的電勢(shì)高818V,在t2=T時(shí)刻,開(kāi)始有電子打到M板上,已知電子質(zhì)量m=9.1×10-31kg、電荷量e=1.6×10-19C,兩板C、P均接地,電子間不會(huì)發(fā)生碰撞(忽略電子所受的重力).求:
(1)兩極板M、N間勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B;
(2)T時(shí)刻打到M板上每個(gè)電子的動(dòng)能EK(以eV為單位);
(3)最終到達(dá)D板的電子總數(shù)n;
(4)在t3=
35
T
時(shí)刻,每個(gè)電子作用到D板的沖量I.

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如圖所示,電子源每秒鐘發(fā)射2.5×1013個(gè)電子,電子以v0=8.0×106m/s的速度穿過(guò)P板上A孔,從M、N兩平行板正中央進(jìn)入兩板間,速度方向平行于板M且垂直于兩板間的勻強(qiáng)磁場(chǎng),兩極板M、N間電壓始終為UMN=80.0V,兩板距離d=1.00×10-3m,電子在板M、N間做勻速直線運(yùn)動(dòng)后進(jìn)入由C、D兩平行板組成的已充電的電容器中,電容器電容為8.0×10-8F,電子打到D板后就留在D板上.在t1=0時(shí)刻,D板電勢(shì)較C板的電勢(shì)高818V,在t2=T時(shí)刻,開(kāi)始有電子打到M板上,已知電子質(zhì)量m=9.1×10-31kg、電荷量e=1.6×10-19C,兩板C、P均接地,電子間不會(huì)發(fā)生碰撞(忽略電子所受的重力).求:
(1)兩極板M、N間勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B;
(2)T時(shí)刻打到M板上每個(gè)電子的動(dòng)能EK(以eV為單位);
(3)最終到達(dá)D板的電子總數(shù)n;
(4)在t3=
3
5
T
時(shí)刻,每個(gè)電子作用到D板的沖量I.
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如圖所示,質(zhì)量為m =4×10-9kg,帶電量q =2×10-8C的正粒子(重力不計(jì)),以v0 =100 m/s的速度垂直進(jìn)入場(chǎng)強(qiáng)E =3×104 V/m的勻強(qiáng)電場(chǎng)中,粒子進(jìn)入電場(chǎng)的位置距磁場(chǎng)上部邊界d =0.1 m,運(yùn)動(dòng)一段時(shí)間后進(jìn)入磁感強(qiáng)度的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)中。若粒子恰好能從磁場(chǎng)的另一邊界穿出,已知電場(chǎng)方向與磁場(chǎng)方向垂直,電場(chǎng)方向與磁場(chǎng)的兩個(gè)邊界也垂直。求:?

(1)粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑。?

(2)粒子在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的總時(shí)間。?

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