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單質(zhì)硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料．通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度為450℃～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅．以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖：

相關(guān)信息如下：
①四氯化硅遇水極易水解
②硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物
③有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

物質(zhì)	SiCl4	BCl3	AlCl3	FeCl3	PCl5
沸點/℃	57.7	12.8	-	315	-
熔點/℃	-70.0	-107.2	-	-	-
升華溫 度/℃	-	-	180	300	162

請回答下列問題：
（1）裝置A中g(shù)管的作用是；裝置C中的試劑是．
（2）甲方案：f接裝置Ⅰ；乙方案：f接裝置Ⅱ．但是裝置Ⅰ、Ⅱ都有不足之處，請你評價后填寫下表．

方案	優(yōu)點	缺點
甲	①收集產(chǎn)品的導(dǎo)管粗，不會堵塞導(dǎo)管 ②冷凝產(chǎn)品，減少產(chǎn)品損失 ①收集產(chǎn)品的導(dǎo)管粗，不會堵塞導(dǎo)管 ②冷凝產(chǎn)品，減少產(chǎn)品損失	①空氣中的水蒸氣進入產(chǎn)品收集裝置，使四氯化硅水解 ②尾氣沒有處理，污染環(huán)境 ①空氣中的水蒸氣進入產(chǎn)品收集裝置，使四氯化硅水解 ②尾氣沒有處理，污染環(huán)境
乙	①有尾氣處理裝置，注重環(huán)保 ②避免空氣中的水蒸氣進入裝置 ①有尾氣處理裝置，注重環(huán)保 ②避免空氣中的水蒸氣進入裝置	①產(chǎn)品易堵塞導(dǎo)管 ②沒有冷凝裝置，產(chǎn)品易損失 ①產(chǎn)品易堵塞導(dǎo)管 ②沒有冷凝裝置，產(chǎn)品易損失

（3）在上述（2）的評價基礎(chǔ)上，請你設(shè)計一個合理方案并用文字表達：．
（4）SiCl₄與H₂反應(yīng)的化學(xué)方程式為．

單質(zhì)A、B、C分別為固體、黃綠色氣體和無色氣體，在一定條件下它們的反應(yīng)如圖所示．

（1）B的化學(xué)式為，C在充滿B的集氣瓶中燃燒時的現(xiàn)象是．
（2）A與B反應(yīng)的化學(xué)方程式為．溶液F與A反應(yīng)的離子方程式為．
（3）將B通入NaOH溶液中反應(yīng)的離子方程式為．
（4）F、G、H三種溶液中所含的相同陰離子是，檢驗該陰離子可用的試劑是．

單質(zhì)X和Y相互反應(yīng)生成

+2

X

-2

Y

，現(xiàn)有下列敘述：①X被氧化；②X是氧化劑；③X具有氧化性；④Y^2-是還原產(chǎn)物；⑤Y^2-具有還原性；⑥X²⁺具有氧化性；⑦Y的氧化性比X²⁺的氧化性強．其中正確的是（　�。�

單質(zhì)X與濃H₂SO₄共熱，反應(yīng)中X與H₂SO₄的物質(zhì)的量之比為1：2，則X元素在生成物中的化合價可能為（　�。�
①+1�、�+2�、�+3�、�+4．

單質(zhì)X和Y相互反應(yīng)生成X²⁺Y^2-．下列敘述中不正確的是（　　）