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21．通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能.鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱.也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H).化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差. 化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C 鍵能 / kJ·mol-1 460 360 436 431 176 347 請(qǐng)回答下列問題: (1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低 SiC Si,SiCl4 SiO2 (2)右圖立方體中心的“● 表示硅晶體中的一個(gè)原子. 請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“● 表示出與之緊鄰的硅原子. (3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取: SiCl4(g)+2H2 該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H＝ kJ / mol 考點(diǎn)3 綜合應(yīng)用 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

（05年江蘇卷）（14分）

設(shè)數(shù)列{an}的前n項(xiàng)和為Sn，已知a1＝1，a2＝6，a3＝11，且

其中A,B為常數(shù).

（Ⅰ）求A與B的值；

（Ⅱ）證明數(shù)列{an}為等差數(shù)列；

（Ⅲ）證明不等式對(duì)任何正整數(shù)m、n都成立.

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（03年江蘇卷）（14分）

設(shè)，如圖，已知直線及曲線上的點(diǎn)的橫坐標(biāo)為作直線平行于軸，交直線作直線平行于軸，交曲線的橫坐標(biāo)構(gòu)成數(shù)列

（Ⅰ）試求的關(guān)系，并求的通項(xiàng)公式；

（Ⅱ）當(dāng)時(shí)，證明

（Ⅲ）當(dāng)時(shí)，證明

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（05年江蘇卷）（14分）

已知函數(shù)

（Ⅰ）當(dāng)a=2時(shí)，求使f（x）＝x成立的x的集合；

（Ⅱ）求函數(shù)y＝f (x)在區(qū)間[1,2]上的最小值.

 

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（05年江蘇卷）（14分）

如圖，在五棱錐S－ABCDE中，SA⊥底面ABCDE，SA=AB=AE=2,BC=DE=,

∠BAE=∠BCD=∠CDE=120°.

（Ⅰ）求異面直線CD與SB所成的角（用反三角函數(shù)值表示）；

（Ⅱ）證明BC⊥平面SAB；

（Ⅲ）用反三角函數(shù)值表示二面角B-SC-D的大�。ū拘柌槐貙懗鼋獯疬^程）

.

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（05年江蘇卷）（14分）

如圖，圓O1與圓O2的半徑都是1，O1O2=4，過動(dòng)點(diǎn)P分別作圓O1、圓O2的切線PM、PN

（M、N分別為切點(diǎn)），使得試建立適當(dāng)?shù)淖鴺?biāo)系，并求動(dòng)點(diǎn)P的軌跡方程.

 

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