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（09年山東卷）如圖所示，光滑半球形容器固定在水平面上，O為球心，一質(zhì)量為m的小滑塊，在水平力F的作用下靜止P點。設滑塊所受支持力為F_N。OF與水平方向的夾角為θ。下列關(guān)系正確的是（    ）

A．            B．F ＝ mgtanθ

C．           D．F_N ＝ mgtanθ

（09年山東卷）如圖所示，光滑半球形容器固定在水平面上，O為球心，一質(zhì)量為m的小滑塊，在水平力F的作用下靜止P點。設滑塊所受支持力為F_N。OF與水平方向的夾角為θ。下列關(guān)系正確的是（   ）

A．	B．F ＝ mgtanθ
C．	D．FN ＝ mgtanθ

（08年山東卷）(15分)某興趣小組設計了如圖所示的玩具軌道，其中“2008”四個等高數(shù)字用內(nèi)壁光滑的薄壁細圓管彎成，固定在豎直平面內(nèi)(所有數(shù)字均由圓或半圓組成，圓半徑比細管的內(nèi)徑大得多)，底端與水平地面相切。彈射裝置將一個小物體(可視為質(zhì)點)以Va=5m/s的水平初速度由a點彈出，從b點進入軌道，依次經(jīng)過“8002”后從p點水平拋出。小物體與地面ab段間的動摩擦因數(shù)μ=0.3，不計其它機械能損失。已知ab段長L=l.5m,數(shù)字“0”的半徑R=0.2m，小物體質(zhì)量m=0.0lkg，g=10m／s²。求：

(1)小物體從p點拋出后的水平射程。

(2)小物體經(jīng)過數(shù)字“0”的最高點時管道對小物體作用力的大小和方向。

（08年山東卷)（12分）2007年諾貝爾物理學獎授予了兩位發(fā)現(xiàn)“巨磁電阻”效應的物理學家。材料的電阻隨磁場的增加而增大的現(xiàn)象稱為磁阻效應，利用這種效應可以測量磁感應強度。

若圖1為某磁敏電阻在室溫下的電阻―磁感應強度特性曲線，其中R_B、R_O分別表示有、無磁敏電阻的阻值。為了測量磁感應強度B，需先測量磁敏電阻處于磁場中的電阻值R_B。請按要求完成下列實驗。

（1）設計一個可以測量磁場中該磁敏電阻阻值的電路，在圖2的虛線框內(nèi)畫出實驗電路原理圖（磁敏電阻及所處磁場已給出，待測磁場磁感應強度大小約為0.6～1.0T，不考慮磁場對電路其它部分的影響）。要求誤差較小。

     提供的器材如下：

     A.磁敏電阻，無磁場時阻值

     B.滑動變阻器R，全電阻約

     C.電流表，量程2.5mA,內(nèi)阻約

     D.電壓表，量程3V，內(nèi)阻約3k

     E.直流電源E，電動勢3V，內(nèi)阻不計

     F.開關(guān)S，導線若干

（2）正確接線后，將磁敏電阻置入待測磁場中，測量數(shù)據(jù)如下表：

    根據(jù)上表可求出磁敏電阻的測量值R_B=       ，結(jié)合圖1可知待測磁場的磁感應強B＝     T。

（3）試結(jié)合圖1簡要回答，磁感應強度B在0～0.2T和0.4～1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻阻值的變化規(guī)律有何不同？

（4）某同學查閱相關(guān)資料時看到了圖3所示的磁敏電阻在一定溫度下的電阻―磁感應強度特性曲線（關(guān)于縱軸對稱），由圖線可以得到什么結(jié)論？

（08年山東卷）24.(15分)某興趣小組設計了如圖所示的玩具軌道，其中“2008”四個等高數(shù)字用內(nèi)壁光滑的薄壁細圓管彎成，固定在豎直平面內(nèi)(所有數(shù)字均由圓或半圓組成，圓半徑比細管的內(nèi)徑大得多)，底端與水平地面相切。彈射裝置將一個小物體(可視為質(zhì)點)以Va=5m/s的水平初速度由a點彈出，從b點進入軌道，依次經(jīng)過“8002”后從p點水平拋出。小物體與地面ab段間的動摩擦因數(shù)μ=0.3，不計其它機械能損失。已知ab段長L=l.5m,數(shù)字“0”的半徑R=0.2m，小物體質(zhì)量m=0.0lkg，g=10m／s²。求：

(1)小物體從p點拋出后的水平射程。

(2)小物體經(jīng)過數(shù)字“0”的最高點時管道對小物體作用力的大小和方向。