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20．如圖20所示.絕緣長(zhǎng)方體B置于水平面上.兩端固定一對(duì)平行帶電極板.極板間形成勻強(qiáng)電場(chǎng)E.長(zhǎng)方體B的上表面光滑.下表面與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)=0.05(設(shè)最大靜摩擦力與滑動(dòng)摩擦力相同).B與極板的總質(zhì)量=1.0kg.帶正電的小滑塊A質(zhì)量=0.60kg.其受到的電場(chǎng)力大小F=1.2N.假設(shè)A所帶的電量不影響極板間的電場(chǎng)分布.t=0時(shí)刻.小滑塊A從B表面上的a點(diǎn)以相對(duì)地面的速度=1.6m/s向左運(yùn)動(dòng).同時(shí).B以相對(duì)地面的速度=0.40m/s向右運(yùn)動(dòng).問(wèn)(g取10m/s2) (1)A和B剛開(kāi)始運(yùn)動(dòng)時(shí)的加速度大小分別為多少? (2)若A最遠(yuǎn)能到達(dá)b點(diǎn).a.b的距離L應(yīng)為多少?從t=0時(shí)刻至A運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)時(shí).摩擦力對(duì)B做的功為多少? 解析:⑴由牛頓第二定律有 A剛開(kāi)始運(yùn)動(dòng)時(shí)的加速度大小 方向水平向右 B剛開(kāi)始運(yùn)動(dòng)時(shí)受電場(chǎng)力和摩擦力作用 由牛頓第三定律得電場(chǎng)力 摩擦力 B剛開(kāi)始運(yùn)動(dòng)時(shí)的加速度大小方向水平向左 ⑵設(shè)B從開(kāi)始勻減速到零的時(shí)間為t1.則有 此時(shí)間內(nèi)B運(yùn)動(dòng)的位移 t1時(shí)刻A的速度.故此過(guò)程A一直勻減速運(yùn)動(dòng). 此t1時(shí)間內(nèi)A運(yùn)動(dòng)的位移 此t1時(shí)間內(nèi)A相對(duì)B運(yùn)動(dòng)的位移 此t1時(shí)間內(nèi)摩擦力對(duì)B做的功為 t1后.由于.B開(kāi)始向右作勻加速運(yùn)動(dòng).A繼續(xù)作勻減速運(yùn)動(dòng).當(dāng)它們速度相等時(shí)A.B相距最遠(yuǎn).設(shè)此過(guò)程運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t2.它們速度為v.則有 對(duì)A 速度 對(duì)B 加速度 速度 聯(lián)立以上各式并代入數(shù)據(jù)解得 此t2時(shí)間內(nèi)A運(yùn)動(dòng)的位移 此t2時(shí)間內(nèi)B運(yùn)動(dòng)的位移 此t2時(shí)間內(nèi)A相對(duì)B運(yùn)動(dòng)的位移 此t2時(shí)間內(nèi)摩擦力對(duì)B做的功為 所以A最遠(yuǎn)能到達(dá)b點(diǎn)a.b的距離L為 從t=0時(shí)刻到A運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)時(shí).摩擦力對(duì)B做的功為 . 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

（09年廣東物理）12．圖是質(zhì)譜儀的工作原理示意圖。帶電粒子被加速電場(chǎng)加速后，進(jìn)入速度選擇器。速度選擇器內(nèi)相互正交的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和勻強(qiáng)電場(chǎng)的強(qiáng)度分別為B和E。平板S上有可讓粒子通過(guò)的狹縫P和記錄粒子位置的膠片A1A2。平板S下方有強(qiáng)度為B0的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。下列表述正確的是（   ）                 

A．質(zhì)譜儀是分析同位素的重要工具

B．速度選擇器中的磁場(chǎng)方向垂直紙面向外

C．能通過(guò)的狹縫P的帶電粒子的速率等于E/B

D．粒子打在膠片上的位置越靠近狹縫P，粒子的荷質(zhì)比越小

 

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（09年廣東物理）12．圖是質(zhì)譜儀的工作原理示意圖。帶電粒子被加速電場(chǎng)加速后，進(jìn)入速度選擇器。速度選擇器內(nèi)相互正交的勻強(qiáng)磁場(chǎng)和勻強(qiáng)電場(chǎng)的強(qiáng)度分別為B和E。平板S上有可讓粒子通過(guò)的狹縫P和記錄粒子位置的膠片A1A2。平板S下方有強(qiáng)度為B0的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。下列表述正確的是（  ）                 

A．質(zhì)譜儀是分析同位素的重要工具
B．速度選擇器中的磁場(chǎng)方向垂直紙面向外
C．能通過(guò)的狹縫P的帶電粒子的速率等于E/B
D．粒子打在膠片上的位置越靠近狹縫P，粒子的荷質(zhì)比越小

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