C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位．
（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式．從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?!--BA-->．
（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為，微粒間存在的作用力是．
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為（填元素符號(hào)），MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似，MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是．
（4）C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同．CO₂中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO₂中Si與O原子間不形成上述π�。畯脑�子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π健．
（5）有A、B、C三種物質(zhì)，每個(gè)分子中都各有14個(gè)電子，其中A的分子屬于非極性分子，且只有非極性鍵；B的分子也屬于非極性分子，但既有非極性鍵，又有極性鍵；C的分子屬于極性分子．則可推出：A的電子式是，B的結(jié)構(gòu)式是．
（6）已知Si-Si鍵能為176kJ/mol，Si-O鍵能為460kJ/mol，O=O鍵能為497.3kJ/mol．則可計(jì)算出1mol硅與足量氧氣反應(yīng)時(shí)將放出kJ的熱量．

C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位．
（1）寫出Si原子核外最外層電子排布式______． C、Si和O元素的原子半徑由小到大的順序?yàn)開_____．
（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，微粒間存在的作用力是______．SiC晶體熔點(diǎn)______ 晶體硅（填＜、＞、=）．
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則MCl₂水溶液顯______性，相關(guān)的離子方程式______．
（4）C、Si為同一主族的元素，證明兩者非金屬性強(qiáng)弱的事實(shí)有______．（舉一例說明）

C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。
(1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式______________。從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)開______________。
(2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為________________，粒子間存在的作用力是
_____________。
(3)C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO₂中C與O原子間形成σ鍵和π 鍵，SiO₂中Si與O原子間不形成上述π鍵。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成而Si、O原子間不能形成上述π鍵。_____________________________________

C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。
（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式__________ 從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)開______________
（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為______________，微粒間存在的作用力是____________。
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為_______（填元素符號(hào)）。MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是__________________。
（4）C、Si為同一主族的元素，CO₂和SiO₂化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO₂中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO₂中Si與O原子間不形成上述π 鍵。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π鍵。_____________________________________