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如圖所示，有理想邊界的兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.5T，兩邊界間距s=0.1m．一邊長(zhǎng) L=0.2m的正方形線框abcd由粗細(xì)均勻的電阻絲圍成，總電阻R=0.4Ω�，F(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運(yùn)動(dòng)到位置Ⅱ。

1.求cd邊未進(jìn)入右方磁場(chǎng)時(shí)線框所受安培力的大�。�

2.求整個(gè)過(guò)程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱．

3.在坐標(biāo)圖中畫(huà)出整個(gè)過(guò)程中線框a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)差U_ab隨時(shí)間t變化的圖線．

如圖所示，有理想邊界的兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.5T，兩邊界間距s=0.1m．一邊長(zhǎng) L=0.2m的正方形線框abcd由粗細(xì)均勻的電阻絲圍成，總電阻R=0.4Ω�，F(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運(yùn)動(dòng)到位置Ⅱ。

【小題1】求cd邊未進(jìn)入右方磁場(chǎng)時(shí)線框所受安培力的大�。�
【小題2】求整個(gè)過(guò)程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱．
【小題3】在坐標(biāo)圖中畫(huà)出整個(gè)過(guò)程中線框a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)差U_ab隨時(shí)間t變化的圖線．

如圖所示，有理想邊界的兩個(gè)勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.5T，兩邊界間距s=0.1m．一邊長(zhǎng) L=0.2m的正方形線框abcd由粗細(xì)均勻的電阻絲圍成，總電阻R=0.4Ω�，F(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運(yùn)動(dòng)到位置Ⅱ。

1.求cd邊未進(jìn)入右方磁場(chǎng)時(shí)線框所受安培力的大�。�

2.求整個(gè)過(guò)程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱．

3.在坐標(biāo)圖中畫(huà)出整個(gè)過(guò)程中線框a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)差U_ab隨時(shí)間t變化的圖線．

(1)求cd邊未進(jìn)入右方磁場(chǎng)時(shí)線框所受安培力的大�。�

(2)求整個(gè)過(guò)程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱；

(3)在坐標(biāo)圖中畫(huà)出整個(gè)過(guò)程中線框a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)差U_ab隨時(shí)間t變化的圖線．