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如圖所示，水平固定的小圓盤A帶電荷量為Q，電勢為零，從盤心處O釋放一質(zhì)量為m帶電荷量為+q的小球，由于電場的作用，小球豎直上升的高度可達盤中心豎直線上的C點， OC = h，又知道過豎直線上 B點時，小球速度最大，由此可確定 Q形成的電場中下述物理量的是（    ）

                      A．B點的場強      B．C點的場強

C．B點的電勢          D．C點的電勢

如圖所示，水平固定的小圓盤A帶正電，帶電量為Q，從盤心處O釋放一個質(zhì)量為m、帶電量為+q（q遠小于圓盤帶電量）的小球，由于電場力的作用，小球豎直上升的最大高度可達盤中心豎直線上的C點，已知OC＝h，且圓盤A的電勢為零。又知道過豎直線上B點時小球的速度最大，研究圓盤形成的電場，則下列說法正確的是（  �。�

A．可以算出B點的電勢  

B．可以算出小球在C點的受到的電場力

C．可以算出B點的場強  

D．可以算出BC間的電勢差

如圖所示，水平固定的小圓盤A帶電荷量為Q，電勢為零，從盤心處O釋放一質(zhì)量為m、 帶電荷量為+q的小球，由于電場的作用，小球豎直上升的高度可達盤中心豎直線上的C 點， OC = h，又知道過豎直線上 B點時，小球速度最大，由此可確定 Q形成的電場中下述物理量的是（    ）

A．B點的場強          B．C點的場強

C．B點的電勢    D．C點的電勢